Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм

Abstract

Досліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.The possibility of indium antimonide microcrystals alloying by lanthanides range elements in the process of its growth by chemical transport reactions is researched. For the first time the physics-chemical processes modeling, which take place in InSb-Er-J2 iodide system during crystal growth in ampullaceous reactors of closed type, is performed and optimal temperatures of their growth are determined. Dependence of electro-physical parameters of grown microcrystals InSb alloyed by Er from the quantity of introduced impurity into (furnace) charge is determined.