Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії

Abstract

Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.The results of investigations of Mg impurity influence on free carrier concentration in epitaxial layers Al0.1Ga0.9As and Al0.28Ga0.72As growing by LTLPE method are presented. It is shown that the free carrier concentration at the doped epitaxial layers is over 1·1018 cm-3 if the impurity concentration in solution-melt is over 0.014 at %. Dependences of free holes concentration in epitaxial layers on impurity concentration in the melt, crystal matrix composition, and technological condition of initial charge homogenization are analyzed.