Підсистема для відображення профілів розподілу домішок в напівпровідникових інтегральних пристроях
Date
2001-03-27
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Запропоновано підсистему для відображення профілів домішок в напівпровідникових інтегральних пристроях. Наведено основні алгоритми та розподіли домішок в біполярних, МОЯ та КМОН -пристроях.
The subsystem for reverberation of admixtures profiles in semiconductor integral devices is proposed. Basic algorithms and admixtures distributions in bipolar; MOS and CMOS devices are directed.
The subsystem for reverberation of admixtures profiles in semiconductor integral devices is proposed. Basic algorithms and admixtures distributions in bipolar; MOS and CMOS devices are directed.
Description
Keywords
Citation
Гранат П. Підсистема для відображення профілів розподілу домішок в напівпровідникових інтегральних пристроях / П. Гранат, В. Теслюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001. — № 433 : Комп’ютерна інженерія та інформаційні технології. — С. 111–116.