Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини
Loading...
Files
Date
2010
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Досліджено вплив акцепторної домішки Но на зміну кристалічної та електронної
структур інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні
х(Но) = 0 ÷ 0,50. Зроблені висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF )
Zr1-xНоxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення
резистивних та термоелектричних термоелементів.
Description
Keywords
Citation
Крайовський Р. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини / Р. Крайовський, В. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 665 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 69–74. – Бібліографія: 5 назв.