Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації

Simple item page
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету "Львівська політехніка"
dc.contributor.affiliationНаціональний університет "Львівська політехніка"uk_UA
dc.contributor.authorБаран, М. М.
dc.contributor.authorПелещак, P. M.
dc.contributor.authorЛукіянець, Б. А.
dc.coverage.countryUAuk_UA
dc.coverage.placenameЛьвівuk_UA
dc.date.accessioned2018-03-13T10:43:59Z
dc.date.available2018-03-13T10:43:59Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractУ рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.uk_UA
dc.format.pages185-191
dc.identifier.citationБаран М. М. Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації / М. М. Баран, Р. М. Пелещак, Б. А. Лукіянець // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 185–191. – Бібліографія: 11 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39620
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету "Львівська політехніка"uk_UA
dc.relation.references1. Судзуки Т., Есинага X., Такнути С. Динамика дислокацій и пластичность. - M., 1989. 2. Бонч-Бруєвич В.Л., Гласко В.Б. / / ФТТ. - 1961. - 3, В.1. - С. 36-46. 3. Шикин В.Б., Шикина Ю.В. / / УФН. - 1995. -1 6 5 , № 8 . - С. 888-905. 4. Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1991. - 36, В. 11. - С. 1744. 5. Пелещак P.M., Лукіянець Б.A., Тупчак В.П. / / ЖФД. - 2000. - 4. - С. 165-170. 6 . Пелещак P.M. Электронные состояния деформации решётки кристалла при наличии точечных дефектов / / Препринт-69-53 ИТФ ФН УССР. - К., 1989. - 24 с. 7. Taguchi Tsunemasa, Kawakami Yoich , Yamada Yoichi / / Physica B. - 1993. - 23. - P. 191-196. 8 . Стасюк 1.В., Пелещак P.M. / / УФЖ. - 1999. - 44, В. 8 . - С. 856-860. 9. Peleschak R.M. / / Condensed Matter Physics. - 2000. - 3. - P. 169. 10. Коваленко А.В. / / ФТП. - 1997. - 31, В.1. - С. 11. 11. Пелещак P.M., Лукиянец Б.А. / / Письма в ЖТФ. - 1998. - 24, В. 3. - С. 32-38.uk_UA
dc.rights.holderБаран М. М., Пелещак P. M., Лукіянець Б. А., 2002uk_UA
dc.subject.udc621uk_UA
dc.titleІзоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокаціїuk_UA
dc.title.alternativeIzoelectron-concentrational lines around edged dislocationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
32_185-191.pdf
Size:
138.15 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2002. – №455