Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску
Date
2002-03-26
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Наведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу
дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.
The technology of laser-stimulated boron diffusion in silicon for obtaining dopant concentration in order of 1020 cm'3 at reduction of temperature and diffusing annealing time with purpose of sensitivity improvement in microelectronic pressure sensors is presented in the paper. The method of determination of laser threshold power for creation of defective region in silicon wafer is presented.
The technology of laser-stimulated boron diffusion in silicon for obtaining dopant concentration in order of 1020 cm'3 at reduction of temperature and diffusing annealing time with purpose of sensitivity improvement in microelectronic pressure sensors is presented in the paper. The method of determination of laser threshold power for creation of defective region in silicon wafer is presented.
Description
Keywords
Citation
Дорош Н. В. Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску / Н. В. Дорош, Г. Л. Кучмій // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 11–14.