Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску

Simple item page
dc.citation.epage14
dc.citation.issue454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage11
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorДорош, Н. В.
dc.contributor.authorКучмій, Г. Л.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-21T13:26:19Z
dc.date.available2019-08-21T13:26:19Z
dc.date.created2002-03-26
dc.date.issued2002-03-26
dc.description.abstractНаведено технологію лазеростимульованої дифузії бору в кремнії для одержання концентрації домішки порядку ІО20 см 3 при зниженні температури та часу дифузійного відпалу з метою підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску. Наведено методику визначення порогової потужності лазерного випромінювання для створення порушених областей кремнієвої пластини.
dc.description.abstractThe technology of laser-stimulated boron diffusion in silicon for obtaining dopant concentration in order of 1020 cm'3 at reduction of temperature and diffusing annealing time with purpose of sensitivity improvement in microelectronic pressure sensors is presented in the paper. The method of determination of laser threshold power for creation of defective region in silicon wafer is presented.
dc.format.extent11-14
dc.format.pages4
dc.identifier.citationДорош Н. В. Підвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску / Н. В. Дорош, Г. Л. Кучмій // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 11–14.
dc.identifier.citationenDorosh N. V. Pidvyshchennia chutlyvosti mikroelektronnykh sensoriv tysku / N. V. Dorosh, H. L. Kuchmii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 11–14.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45263
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
dc.relation.references1. Ваганов В. И. Интегральные тензопреобразователи. - М, 1983.
dc.relation.references2. Кучмій Г. Л. Мироненко М. Л. Контроль глибини дифузії при виготовленні напівпровідникових інтегральних мікросхем : Матеріали наукової конференції викладачів, співробітників та студентів. - Чернівці, 1995. - Т, 2. - С. 36.
dc.relation.referencesen1. Vahanov V. I. Intehralnye tenzopreobrazovateli, M, 1983.
dc.relation.referencesen2. Kuchmii H. L. Myronenko M. L. Kontrol hlybyny dyfuzii pry vyhotovlenni napivprovidnykovykh intehralnykh mikroskhem : Materialy naukovoi konferentsii vykladachiv, spivrobitnykiv ta studentiv, Chernivtsi, 1995, T, 2, P. 36.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Дорош Н. В., Кучмій Г. Л., 2002
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleПідвищення чутливості мікроелектронних сенсорів тиску
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.96 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454