Вплив атомів водню на систему Ni-Ge

dc.contributor.authorМатюшин, В. M.
dc.contributor.authorМартинюк, P. B.
dc.date.accessioned2017-08-02T09:56:46Z
dc.date.available2017-08-02T09:56:46Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractДосліджується процес гетеродифузії в германії під впливом атомарного водню на основі модельної системи Ni-Ge. Розглянуто вплив процесу дефекто-утворення на протікання дифузії атомів нікелю в приповерхніх прошарках германію. Розраховано розподіл концентрації нікелю в германії. Запропоновано фізичну модель процесу стимулювання гетеродифузії атомарним воднем з урахуванням впливу дефектів. Based upon a model system Ni-Ge, research of diffusion stimulated by hydrogen atoms is held. It is shown that defect creation processes caused by hydrogen-atom- recombination have a great effect on nickel diffusion in germanium subsurface layers. The nickel-in-germanium concentration distribution is calculated. The physical model of chemistimulated diffusion is suggested.uk_UA
dc.identifier.citationМатюшин В. М. Вплив атомів водню на систему Ni-Ge / В. M. Матюшин, P. B. Мартинюк // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 21–25. – Бібліографія: 14 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38596
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleВплив атомів водню на систему Ni-Geuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
5_21-25.pdf
Size:
145.43 KB
Format:
Adobe Portable Document Format