Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O

Simple item page
dc.contributor.authorГерман, І. І.
dc.contributor.authorМахній, В. П.
dc.contributor.authorЧерних, О. І.
dc.date.accessioned2014-03-20T14:31:27Z
dc.date.available2014-03-20T14:31:27Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractПроаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.uk_UA
dc.identifier.citationГерман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24025
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Львівської політехнікиuk_UA
dc.subjectТелурид кадміюuk_UA
dc.subjectповерхнево-бар’єрний діодuk_UA
dc.subjectнадбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струмuk_UA
dc.subjectтунелюванняuk_UA
dc.subjectударна іонізаціяuk_UA
dc.subjectcadmium tellurideuk_UA
dc.subjectsurface-barrier diodeuk_UA
dc.subjectgeneration-recombination currentuk_UA
dc.subjecttunnelinguk_UA
dc.subjectimpact ionizationuk_UA
dc.titleМеханізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:Ouk_UA
dc.title.alternativeInverse current mechanisms in photosensitive Au/CdTe:O structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle
Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
14-88-91.pdf
Size:
209.05 KB
Format:
Adobe Portable Document Format
Description:
Download

Collections

Електроніка. – 2013. – №764