Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge
Loading...
Date
2006
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge<B, Pt> solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals
the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated.
Description
Keywords
Citation
Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge / Я. С. Буджак, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 133–137. – Бібліографія: 6 назв.