Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge
| dc.contributor.author | Буджак, Я. С. | |
| dc.contributor.author | Дружинін, А. О. | |
| dc.contributor.author | Островський, І. П. | |
| dc.contributor.author | Когут, Ю. Р. | |
| dc.date.accessioned | 2015-12-17T10:28:54Z | |
| dc.date.available | 2015-12-17T10:28:54Z | |
| dc.date.issued | 2006 | |
| dc.description.abstract | Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge<B, Pt> solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge / Я. С. Буджак, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 133–137. – Бібліографія: 6 назв. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30558 | |
| dc.language.iso | ua | uk_UA |
| dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
| dc.title | Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Files
Original bundle
1 - 1 of 1