Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe
dc.contributor.author | Малик, О. П. | |
dc.contributor.author | Собчук, І. С. | |
dc.date.accessioned | 2010-06-03T08:47:57Z | |
dc.date.available | 2010-06-03T08:47:57Z | |
dc.date.issued | 2007 | |
dc.description.abstract | Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Малик О. П. Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe / О. П. Малик, І. С. Собчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2007. – № 601 : Фізико-математичні науки. – С. 78–81. – Бібліографія: 19 назв. | uk_UA |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3879 | |
dc.language.iso | ua | uk_UA |
dc.publisher | Видавництво Національного університету "Львівська політехніка" | uk_UA |
dc.subject | напівпровідники | uk_UA |
dc.subject | явища переносу | uk_UA |
dc.title | Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |