Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe

Loading...
Thumbnail Image

Date

2007

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"

Abstract

Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.

Description

Keywords

напівпровідники, явища переносу

Citation

Малик О. П. Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe / О. П. Малик, І. С. Собчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2007. – № 601 : Фізико-математичні науки. – С. 78–81. – Бібліографія: 19 назв.

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By