Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням

Simple item page
dc.citation.epage74
dc.citation.issue454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage71
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorПрокопчук, О. Л.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-21T13:26:16Z
dc.date.available2019-08-21T13:26:16Z
dc.date.created2002-03-26
dc.date.issued2002-03-26
dc.description.abstractМетодом рентгенівського мікроаналізу та низькотемпературної екситонної спектроскопії відбиття досліджено взаємодію імпульсного випромінювання ІЧ лазера з кристалом p-CdTe, Виявлено сублімацію атомів кадмію з поверхні та певну періодичність концентраційних розподілів атомів Cd і Те в опроміненій ділянці.
dc.description.abstractPulsed IR laser irradiation of p-CdTe single crystal was investigated by means of X ray microanalysis and low température excitonic refleetion spectroscopy. Sublimation of cadmium and telluride atoms from the surface as well as certain periodicity of concentration distributions for Cd and Te atoms were observed in the irradiated area.
dc.format.extent71-74
dc.format.pages4
dc.identifier.citationПрокопчук О. Л. Контроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням / О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 71–74.
dc.identifier.citationenProkopchuk O. L. Kontrol parametriv poverkhnevoho sharu CdTe, modyfikovanoho impulsnym lazernym oprominiuvanniam / O. L. Prokopchuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 71–74.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45258
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
dc.relation.references1. Двуреченский А.В,, Качурин Г.А., Нидаев Е.В. и др. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов. - М, 1982. - 208 с.
dc.relation.references2. Кашкарев П.К., Тимошенко В.Ю. Поверхность / Физика, химия, механика. - 1995. ~ № б. С. 5.
dc.relation.references3. Акобирова А.Т., Матвеев О.А., Ривкий С.М., Зеленина Н.К Тепловое воздействие импульсного лазерного излучения на структуру CdTe / ФТП, 1976. - 10, 11, 2127.
dc.relation.references4. Kosoboutski Р., Kijak R., Bibikov RRed. Effects and Defects in Solids. - 1995. - V. 137. - P. 40.
dc.relation.references5. Гаркавенко A.C., Кособуцкий Н. С., Мокрицкий B.A. Лазерная обработка широкозонных материалов / Технология и Конструирование в Электронной Аппаратуре. - 1993. - М 2. - С. 41.
dc.relation.references6. Danylov A., Kosoboutskiy Р., Prokopch.uk О. Laser oxidation of wide bandgap semiconductors by continious 1R laser light // Proc. ofICSS-10, Birmingham, 31 August - 4 September, 1998.
dc.relation.references7. Райхман Б.А., Смирнов B.H. / ЖТФ, 1995. - 56. - Ns 11, 2277.
dc.relation.references8. Bonchik A.Yu., Dacko B.J., Demchuk V.I., et.al Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation // Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2000. - V. 3. - N. 3. - P. 311.
dc.relation.references9. Данилов А.Б., Kocoбуцький П.С., Прокопчук О.Л. Еліпсометричні дослідження поповерхонь кристалів CdTe і GaAs, опромінених імпульсним лазером ІЧ діапазону // Вісник ДУ ”Львівська Політехніка”, 2000. - № 393. - С. 44.
dc.relation.references10. Кособуцький П.С. Докторська дисертація, 1996. - С. 26.
dc.relation.references11. Кособуцький П.С., Прокопчук О.Л. Локалізація екстремумів екситонного відбивання світла надхраткою з поодинокою квантовою ямою // УФЖ, 1996. 41. - № 4. - С. 419.
dc.relation.references12. Байдулаева А., Власенко А.И., Горковенко Б.Л., Ломовцев А.В., Мозоль П.Е. Изменение структуры дефектов в монокристаллах р-CdTe при прохождении лазерной ударной волны // ФТП, 2000. - 34. 4. - С. 443.
dc.relation.references13. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник/Под ред. А.В. Новоселова. - М., 1978. - 326 с.
dc.relation.referencesen1. Dvurechenskii A.V,, Kachurin H.A., Nidaev E.V. and other Impulsnyi otzhih poluprovodnikovykh materialov, M, 1982, 208 p.
dc.relation.referencesen2. Kashkarev P.K., Timoshenko V.Iu. Poverkhnost, Fizika, khimiia, mekhanika, 1995. ~ № b. P. 5.
dc.relation.referencesen3. Akobirova A.T., Matveev O.A., Rivkii S.M., Zelenina N.K Teplovoe vozdeistvie impulsnoho lazernoho izlucheniia na strukturu CdTe, FTP, 1976, 10, 11, 2127.
dc.relation.referencesen4. Kosoboutski R., Kijak R., Bibikov RRed. Effects and Defects in Solids, 1995, V. 137, P. 40.
dc.relation.referencesen5. Harkavenko A.C., Kosobutskii N. S., Mokritskii B.A. Lazernaia obrabotka shirokozonnykh materialov, Tekhnolohiia i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, 1993, M 2, P. 41.
dc.relation.referencesen6. Danylov A., Kosoboutskiy R., Prokopch.uk O. Laser oxidation of wide bandgap semiconductors by continious 1R laser light, Proc. ofICSS-10, Birmingham, 31 August - 4 September, 1998.
dc.relation.referencesen7. Raikhman B.A., Smirnov B.H., ZhTF, 1995, 56, Ns 11, 2277.
dc.relation.referencesen8. Bonchik A.Yu., Dacko B.J., Demchuk V.I., et.al Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation, Semiconductor Physics, Quantum Electronics Optoelectronics, 2000, V. 3, N. 3, P. 311.
dc.relation.referencesen9. Danylov A.B., Kocobutskyi P.S., Prokopchuk O.L. Elipsometrychni doslidzhennia popoverkhon krystaliv CdTe i GaAs, oprominenykh impulsnym lazerom ICh diapazonu, Visnyk DU "Lvivska Politekhnika", 2000, No 393, P. 44.
dc.relation.referencesen10. Kosobutskyi P.S. Doktorska dysertatsiia, 1996, P. 26.
dc.relation.referencesen11. Kosobutskyi P.S., Prokopchuk O.L. Lokalizatsiia ekstremumiv eksytonnoho vidbyvannia svitla nadkhratkoiu z poodynokoiu kvantovoiu yamoiu, UFZh, 1996. 41, No 4, P. 419.
dc.relation.referencesen12. Baidulaeva A., Vlasenko A.I., Horkovenko B.L., Lomovtsev A.V., Mozol P.E. Izmenenie struktury defektov v monokristallakh r-CdTe pri prokhozhdenii lazernoi udarnoi volny, FTP, 2000, 34. 4, P. 443.
dc.relation.referencesen13. Fiziko-khimicheskie svoistva poluprovodnikovykh veshchestv: Spravochnik/ed. A.V. Novoselova, M., 1978, 326 p.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Прокопчук О. Л., 2002
dc.subject.udc621
dc.subject.udc535.21
dc.titleКонтроль параметрів поверхневого шару CdTe, модифікованого імпульсним лазерним опромінюванням
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.95 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454