Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”

Abstract

Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.The mathematical model for calculation the high-frequency C-V characteristics of SOI MOS- capacitors is obtained. The dependence of the space charge region capacitance in semiconductor layers near interfaces “semiconductor-insulator” from its charge state is analysed. The change of contribution of the structure components capacitances into common capacitance depending on applied voltage is estimated.