Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”

Simple item page
dc.citation.epage58
dc.citation.issue454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage53
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorКеньо, Г. В.
dc.contributor.authorМалик, О. П.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-21T13:26:14Z
dc.date.available2019-08-21T13:26:14Z
dc.date.created2002-03-26
dc.date.issued2002-03-26
dc.description.abstractРозроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.
dc.description.abstractThe mathematical model for calculation the high-frequency C-V characteristics of SOI MOS- capacitors is obtained. The dependence of the space charge region capacitance in semiconductor layers near interfaces “semiconductor-insulator” from its charge state is analysed. The change of contribution of the structure components capacitances into common capacitance depending on applied voltage is estimated.
dc.format.extent53-58
dc.format.pages6
dc.identifier.citationКеньо Г. В. Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі” / Г. В. Кеньо, О. П. Малик // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 53–58.
dc.identifier.citationenKeno H. V. Rozrakhunok vysokochastotnykh volt-f aradnykh kharakterystyk MON-kondensatoriv na strukturakh "kremnii-na-izoliatori" / H. V. Keno, O. P. Malik // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 53–58.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45255
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
dc.relation.references1. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSIK luwer Academic Publishers, 1991. - 228 p.
dc.relation.references2. Sieber N . Otto G. M athematical modelling of capacitance charactristics and the threchold voltage of a MOS structure on thin silicon substrate. E nergy Pulse and Particle Beam M o d if M ater. Int. C onf Dresden, Sept. 7 - 11. 1987. EPM .87. - Berlin, 1988. - p. 439 - 442.
dc.relation.references3. Greve D.W., Hay V. R. Interpretation o f capacitance-voltage characteristics of polycrystalline silicon thin-film transistors. J. Appl Phys. - 1987. - V. 61. - N 1 . - P. 1176 -1180.
dc.relation.references4. Vu D.P., Pfister J.C. Characterization o f beam -recrystallized Si film s and their Si/SiО2 interfaces in silicon-on-insulator structures. Appl Phys. Letters. - 1986. - V. 48. - N 1. - P. 50 - 52.
dc.relation.references5. Кеньо Г. В., Малик О.Л. Моделювання зарядового стану структури металдіелектрик-напівпровідник / Вісник ДУ “Львівська політехніка” “Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика” - 1998. - N 327. - С. 245 - 249.
dc.relation.referencesen1. Colinge. Silicon-on-Insulator Technology: Materials to VLSIK luwer Academic Publishers, 1991, 228 p.
dc.relation.referencesen2. Sieber N . Otto G. M athematical modelling of capacitance charactristics and the threchold voltage of a MOS structure on thin silicon substrate. E nergy Pulse and Particle Beam M o d if M ater. Int. C onf Dresden, Sept. 7 - 11. 1987. EPM .87, Berlin, 1988, p. 439 - 442.
dc.relation.referencesen3. Greve D.W., Hay V. R. Interpretation o f capacitance-voltage characteristics of polycrystalline silicon thin-film transistors. J. Appl Phys, 1987, V. 61, N 1 , P. 1176 -1180.
dc.relation.referencesen4. Vu D.P., Pfister J.C. Characterization o f beam -recrystallized Si film s and their Si/SiO2 interfaces in silicon-on-insulator structures. Appl Phys. Letters, 1986, V. 48, N 1, P. 50 - 52.
dc.relation.referencesen5. Keno H. V., Malyk O.L. Modeliuvannia zariadovoho stanu struktury metaldielektryk-napivprovidnyk, Visnyk DU "Lvivska politekhnika" "Kompiuterni systemy proektuvannia. Teoriia i praktyka" - 1998, N 327, P. 245 - 249.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Кеньо Г. В., Малик 0. П., 2002
dc.subject.udc621.315.592
dc.titleРозрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
2.96 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454