Надлишкові масиви незалежної флеш-пам’яті
Date
2005-03-01
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Описано застосування технології RAID для побудови завадостійкого нагромаджувана на базі флеш-пам’яті. Для забезпечення надійності використовують стандартний для флеш-пам’яті код Геммінга з виправленням однієї помилки в масиві. Також застосовують код Геммінга, що виправляє дві помилки у 16-розрядному слові.
Conception of redundant arrays of independent flash-memories (RAIFM, similar to RAID) for development of the error-controlled store is proposed. Hamming code that corrects one error in a file is used in RAIFM as well as in RAID. Additionally Hamming code that corrects two errors in 16 bits word of data is used.
Conception of redundant arrays of independent flash-memories (RAIFM, similar to RAID) for development of the error-controlled store is proposed. Hamming code that corrects one error in a file is used in RAIFM as well as in RAID. Additionally Hamming code that corrects two errors in 16 bits word of data is used.
Description
Keywords
Citation
Надлишкові масиви незалежної флеш-пам’яті / В. С. Глухов, Р. В. Грица, М. В. Ногаль, Д. Я. Тиханський // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 546 : Комп’ютерні системи та мережі. — С. 34–45.