Надлишкові масиви незалежної флеш-пам’яті
dc.citation.epage | 45 | |
dc.citation.issue | 546 : Комп’ютерні системи та мережі | |
dc.citation.journalTitle | Вісник Національного університету “Львівська політехніка” | |
dc.citation.spage | 34 | |
dc.contributor.affiliation | Національний університет “Львівська політехніка” | |
dc.contributor.author | Глухов, В. С. | |
dc.contributor.author | Грица, Р. В. | |
dc.contributor.author | Ногаль, М. В. | |
dc.contributor.author | Тиханський, Д. Я. | |
dc.coverage.placename | Львів | |
dc.coverage.placename | Lviv | |
dc.date.accessioned | 2020-11-18T20:18:28Z | |
dc.date.available | 2020-11-18T20:18:28Z | |
dc.date.created | 2005-03-01 | |
dc.date.issued | 2005-03-01 | |
dc.description.abstract | Описано застосування технології RAID для побудови завадостійкого нагромаджувана на базі флеш-пам’яті. Для забезпечення надійності використовують стандартний для флеш-пам’яті код Геммінга з виправленням однієї помилки в масиві. Також застосовують код Геммінга, що виправляє дві помилки у 16-розрядному слові. | |
dc.description.abstract | Conception of redundant arrays of independent flash-memories (RAIFM, similar to RAID) for development of the error-controlled store is proposed. Hamming code that corrects one error in a file is used in RAIFM as well as in RAID. Additionally Hamming code that corrects two errors in 16 bits word of data is used. | |
dc.format.extent | 34-45 | |
dc.format.pages | 12 | |
dc.identifier.citation | Надлишкові масиви незалежної флеш-пам’яті / В. С. Глухов, Р. В. Грица, М. В. Ногаль, Д. Я. Тиханський // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005. — № 546 : Комп’ютерні системи та мережі. — С. 34–45. | |
dc.identifier.citationen | Nadlyshkovi masyvy nezalezhnoi flesh-pamiati / V. S. Hlukhov, R. V. Hritsa, M. V. Nohal, D. Ia. Tikhanskii // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Lviv : Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2005. — No 546 : Kompiuterni systemy ta merezhi. — P. 34–45. | |
dc.identifier.uri | https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/55299 | |
dc.language.iso | uk | |
dc.publisher | Видавництво Національного університету “Львівська політехніка” | |
dc.relation.ispartof | Вісник Національного університету “Львівська політехніка”, 546 : Комп’ютерні системи та мережі, 2005 | |
dc.relation.references | 1. David А Patterson, Garth Gibson, and Randy H Katz. A Case for Redundant Arrays of Inexpensive Disks (RAID). SIGMOD Conference. - 1988. -P. 109-116. | |
dc.relation.references | 2. NAND Flash Spare Assignment Recommendation. - 2003. Memory Division Samsung Electronics Co., Ltd. | |
dc.relation.references | 3. Samsung NAND Flash Memory. Memory Product & Technology Division. - 2000. | |
dc.relation.references | 4. A (16,8) ERROR CORRECTING CODE (T=2) FOR CRITICAL MEMORY APPLICATIONS. M.S. Hodgart and H.A.B. Tiggeler. Surrey Space Centre, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 5XH, UK. http://www.ee.surrev.ac.uk/EE/ CSER/UOSAT/ | |
dc.relation.references | 5. Технічний звіт про дослідно-конструкторську роботу “Створення уніфікованої бортової системи збору і обробки інформації з наукової апаратури “Виготовлення, відлагодження, дослідження та випробування робочого макету модуля памяті СЗНІ. Розробка космічних досліджень НКА У і НАНУ. - Львів, 2004. | |
dc.relation.references | 6. Copyright © 1996 - 2005 Advanced Computer & Network Corporation, http://www.acnc.com/04 00.html | |
dc.relation.references | 7. AN1759 Application Note. How to Connect NAND Flash Memories to Build Storage Modules. © 2003 STMicroelectronics - All rights reserved. | |
dc.relation.references | 8. NAND Flash Spare Assignment Recommendation. 2003. Memory Division Samsung Electronics Co., Ltd. | |
dc.relation.referencesen | 1. David A Patterson, Garth Gibson, and Randy H Katz. A Case for Redundant Arrays of Inexpensive Disks (RAID). SIGMOD Conference, 1988. -P. 109-116. | |
dc.relation.referencesen | 2. NAND Flash Spare Assignment Recommendation, 2003. Memory Division Samsung Electronics Co., Ltd. | |
dc.relation.referencesen | 3. Samsung NAND Flash Memory. Memory Product & Technology Division, 2000. | |
dc.relation.referencesen | 4. A (16,8) ERROR CORRECTING CODE (T=2) FOR CRITICAL MEMORY APPLICATIONS. M.S. Hodgart and H.A.B. Tiggeler. Surrey Space Centre, University of Surrey, Guildford, Surrey, GU2 5XH, UK. http://www.ee.surrev.ac.uk/EE/ CSER/UOSAT/ | |
dc.relation.referencesen | 5. Tekhnichnyi zvit pro doslidno-konstruktorsku robotu "Stvorennia unifikovanoi bortovoi systemy zboru i obrobky informatsii z naukovoi aparatury "Vyhotovlennia, vidlahodzhennia, doslidzhennia ta vyprobuvannia robochoho maketu modulia pamiati SZNI. Rozrobka kosmichnykh doslidzhen NKA U i NANU, Lviv, 2004. | |
dc.relation.referencesen | 6. Copyright © 1996 - 2005 Advanced Computer & Network Corporation, http://www.acnc.com/04 00.html | |
dc.relation.referencesen | 7. AN1759 Application Note. How to Connect NAND Flash Memories to Build Storage Modules. © 2003 STMicroelectronics - All rights reserved. | |
dc.relation.referencesen | 8. NAND Flash Spare Assignment Recommendation. 2003. Memory Division Samsung Electronics Co., Ltd. | |
dc.relation.uri | http://www.ee.surrev.ac.uk/EE/ | |
dc.relation.uri | http://www.acnc.com/04 | |
dc.rights.holder | © Національний університет “Львівська політехніка”, 2005 | |
dc.rights.holder | © Глухов В. С., Грица Р. В., Ногаль М. В., Тиханський Д. Я., 2005 | |
dc.subject.udc | 681.3 | |
dc.title | Надлишкові масиви незалежної флеш-пам’яті | |
dc.type | Article |
Files
License bundle
1 - 1 of 1