Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту

Simple item page
dc.contributor.authorЛопатинський, І. Є.
dc.contributor.authorСтахіра, П. Й.
dc.contributor.authorСтахіра, Р. Й.
dc.contributor.authorТокарєв, І. С.
dc.date.accessioned2011-06-16T09:13:56Z
dc.date.available2011-06-16T09:13:56Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractРозглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.uk_UA
dc.identifier.citationМетод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту / І. Є. Лопатинський, П. Й. Стахіра, Р. Й. Стахіра, І. С. Токарєв // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 104–108. – Бібліографія: 2 назви.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9866
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleМетод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефектуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
21.pdf
Size:
1.29 MB
Format:
Adobe Portable Document Format
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393