Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів

Simple item page
dc.citation.epage19
dc.citation.issue454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
dc.citation.journalTitleВісник Національного університету “Львівська політехніка”
dc.citation.spage15
dc.contributor.affiliationНаціональний університет “Львівська політехніка”
dc.contributor.authorГотра, З. Ю.
dc.contributor.authorГоляка, Р. Л.
dc.contributor.authorГладун, М. Р.
dc.contributor.authorГуменюк, І. А.
dc.coverage.placenameЛьвів
dc.date.accessioned2019-08-21T13:26:20Z
dc.date.available2019-08-21T13:26:20Z
dc.date.created2002-03-26
dc.date.issued2002-03-26
dc.description.abstractДосліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистора
dc.description.abstractThe influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.
dc.format.extent15-19
dc.format.pages5
dc.identifier.citationДослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19.
dc.identifier.citationenDoslidzhennia vplyvu zmishchennia pidkladky ionno-selektyvnykh polovykh tranzystoriv na parametry khimichnykh sensoriv / Z. Yu. Hotra, R. L. Holiaka, M. R. Hladun, I. A. Humeniuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 15–19.
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45264
dc.language.isouk
dc.publisherВидавництво Національного університету “Львівська політехніка”
dc.relation.ispartofВісник Національного університету “Львівська політехніка”, 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки, 2002
dc.relation.references1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 171-174.
dc.relation.references2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings. - PP. 1052 - 1055,
dc.relation.references3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972. - 527 p.
dc.relation.referencesen1. Bohuslav Palan, Filipe Vincidos Santos, Jean-Michel Karani. A new ISFET Sensor Interface Circuit. Euro sensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 171-174.
dc.relation.referencesen2. Gumenjuk S., Podlepetsky B., Nikiforova M., Ledovsky K. Evaluation of hydrogensen sitivity and measuring range of integrated M ISFET sensors bymeans of testing the elec trical characte ristics of sensing elements. Eurosensors XII. September, 1998. Proceedings, PP. 1052 - 1055,
dc.relation.referencesen3. MOS Integrated Circuits. Edited by William M.Penney, Lilian Lau. Micro electronics Series, 1972, 527 p.
dc.rights.holder© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002
dc.rights.holder© Готра З. Ю., Голяка Р. Л., Гладун М.Р., Гуменюк І. А., 2002
dc.subject.udc621.382
dc.titleДослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів
dc.typeArticle

Files

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
No Thumbnail Available
Name:
license.txt
Size:
3.01 KB
Format:
Plain Text
Description:
Download

Collections

Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454