Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням
No Thumbnail Available
Files
Date
2000
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Описується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект-
ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed.
Description
Keywords
Citation
Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Ю. М. Панков, Ю. М. Ховерко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 7–11. – Бібліографія: 7 назв.