Мікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням

dc.contributor.authorДружинін, А. О.
dc.contributor.authorЛавитська, О. М.
dc.contributor.authorМар’ямова, І. Й.
dc.contributor.authorПанков, Ю. М.
dc.contributor.authorХоверко, Ю. М.
dc.date.accessioned2011-05-27T16:15:03Z
dc.date.available2011-05-27T16:15:03Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractОписується зміст теоретичних, експериментальних, технологічних науководослідних робіт із метою створення українського промислового мікроелект- ронного сенсора тиску. Обговорюється використання лазерної рекристалізації в технології сенсорів як метода покращання характеристик КНІ п’єзорезисторів. The content of R&D works (theory, experimental, design and technology) performed in the «Lviv Polytechnic» State University in order to develop commercial Ukrainian microelectronic SOI pressure sensors is presented. The use of the microzone laser recrystallisation in sensor technology as a method to obtain improved performances of SOI piezoresistor is discussed.uk_UA
dc.identifier.citationМікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненням / А. О. Дружинін, О. М. Лавитська, І. Й. Мар'ямова, Ю. М. Панков, Ю. М. Ховерко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – С. 7–11. – Бібліографія: 7 назв.uk_UA
dc.identifier.urihttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/9157
dc.language.isouauk_UA
dc.publisherВидавництво Державного університету “Львівська політехніка”uk_UA
dc.titleМікроелектронні сенсори на основі шарів КНІ, рекристалізованих лазерним опроміненнямuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Thumbnail Image
Name:
02.pdf
Size:
1.25 MB
Format:
Adobe Portable Document Format