Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe
Date
2002-03-26
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract
Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К
розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної
взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.
By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2 - 300 К the main electron scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic electron interaction with optical vibrations of the crystal! lattice.
By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2 - 300 К the main electron scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic electron interaction with optical vibrations of the crystal! lattice.
Description
Keywords
Citation
Малик О. Л. Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe / О. Л. Малик, Г. В. Кеньо // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 28–37.