Browsing by Author "Готра, О. З."

Now showing 1 - 11 of 11

Аналоговий рідкокристалічний індикатор для вимірювання напруги
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Готра, О. З.; Стадник, Б. І.; Яворський, Б. М.
Наведено результати розробки аналогових рідкокристалічних індикаторів та експериментальних досліджень. The results of elaboration of analog liquid crystal displays and experimental investigations are given.
Аналіз нестабільності робочих режимів вузлів первинного перетворення термосенсорних біполярних ІС
(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Готра, О. З.
Проаналізовано нестабільність вихідних сигналів вузла первинного перетворення, визначальними факторами якої є зміна струмів базових кіл та модуляція колекторною напругою вхідної характеристики транзисторів. Показано, що при збільшенні напруги живлення вихідний струм стабілізатора lout може не лише зростати, але й, переходячи точку з нульовим приростом, спадати. Отже, даний режим може бути використаним при роботі перетворювачів з мінімальною залежністю сигналів від напруги живлення. The nonstability of output signals of unit of primary transduction the main factors of what are the base circuits current change and modulation of input characteristic of transistors by collector voltage is analized. It is shown that the output current of stabilizer Iout at supply voltage increase can not only increase but decrease transiting through the point with zero increment. Such regime can be used at operation of transducers with minimum dependence of signals on supply voltage.
Аналіз параметрів кола первинного перетворювача ємнісних сенсорів вологості
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Голяка, Р. Л.; Мельник, О. М.; Гладун, М. Р.; Готра, О. З.
Розглянуті методи аналізу параметрів кола первинного перетворювача в сенсорах вологості ємнісного типу. Відзначено, що у деяких задачах необхідний детальний аналіз розподілених структур ємнісних перетворювачів, параметрами яких є не лише ємність, але і опори та індуктивності. Показано, що при значних значеннях паразитної індуктивності розподіленої структури відзначена нестабільність перехідних процесів заряду ємності сенсора. The methods for analysis of circuit parameters of primary transducer in humidity sensors of capacitive type are considered. It is established that detailed analysis of distributed structures of capactive sensors is required and it is necessary to take into anto account not only capacitance but also resistance and inductance. High parasitic inductance can cause instability in charge transition processes of sensor capacity.
Аналіз сучасних електронних засобів для біометрії
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Готра, О. З.; Дорош, Н. В.; Кучмій, Г. Л.
Проаналізовано сучасний стан та перспективи розвитку електронних біометричних засобів для ідентифікації особи. Описано узагальнений алгоритм проведення ідентифікації особи з використанням статичних та динамічних біометричних характеристик (БМХ) людини та структурну організацію таких систем. Розглянуто приклади та будову сенсорних пристроїв, які використовують для реєстрації дактилоскопічних БМХ людини. The analysis of a modern state and prospects of development of electronic biometric equipments for personal identification is carried out. The generalized algorithm of realization of personal identification with use of the static and dynamical biometric characteristics (BMC) and structural organization of such systems are described. The examples and structure of sensor devices, which are used for registration of dactiloscopic BMC of the person are considered.
Верифікація температурних моделей елементів термосенсорних ІС
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.
Розглянуто алгоритм верифікації температурних моделей p-n переходів транзисторних структур, що використовуються як первинні перетворювачі термосенсорних біполярних інтегральних схем. У процесі верифікації моделей ППП ”Spice” можливе досягнення невідповідності між ними та характеристикою реальних структур ІС в межах (-0,8...0,7)% в температурному діапазоні (- 50...+100)0С. The algorythm of verification of temperature models of p-n transistor structures that are used as primary transducers of thermosensitive bipolar integrated circuits is shown. In the process of verification of models of ”Spice” it is possible to achieve the noncorrespondence between them and characteristic of real structures of IC in the range of (-0,8...0,7)% in the temperature range of (-50...+100)0С.
Вимірювальний комплекс для досліджень електрооптичних характеристик рідких кристалів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Микитюк, З. М.; Готра, О. З.; Сушинський, О. Є.; Скочиляс, М.; Гураль, В. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний медичний університет імені Данила Галицького; Жешувська політехніка
Розглянуто можливості створення вимірювального комплексу для досліджень електрооптичних характеристик рідкокристалічних матеріалів. Запропоновано використання мікроконтролерів для оптимізації вимірювальних методик досліджень рідкокристалічних модуляторів лазерного випромінювання, що суттєво покращило точність вимірювання.
Високочутливі перетворювачі для однокристальних термосенсорних інтегральних схем
(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.; Каліта, В.
Аналізуються схеми термосенсорних пристроїв з експоненційною характеристикою перетворення. Виготовлені у вигляді однокристальних біполярних ІС, дані пристрої дозволяють отримати гранично високу чутливість в околицях опорної температури при мінімальних структурних затратах. В основі функціонування запропонованих ІС покладено принцип вимірювання та подальшого перетворення струму через прямозміщений pn-перехід при фіксації на ньому заданої напруги, що визначає опорну точку вимірювання температури. Сфера застосування ІС – системи керування термостатами, елементи захисту від перегріву, протипожежна сигналізація. The circuits of thermosensitive devices with exponential transduction characteristic are analysed. Made as single-chip bipolar IC these devices allow to receive maximum sensitivity in the range of reference temperature at minimum structure expenditures. The functioning of proposed IC is based on principle of measuring and further trunsduction of current through direct biased p-n-junction at fixation on it the defined voltage which determines the reference point of temperature measuring. IC can be used in systems of thermostate controlling, elements of overheating protection, fire-prevention signalling.
Елементи теорії термодинамічних та кінетичних властивостей матеріалів
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Буджак, Я. С.; Готра, О. З.; Лопатинський, І. Є.
У роботі обґрунтовані розрахункові алгоритми важливих термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів з довільними законами дисперсії та довільними механізмами розсіювання носіїв заряду в омічній області провідності і в неквантуючому магнітному полі. The calculating algorithms of important thermodynamic and kinetic properties of crystals with arbitrary dispersion laws and arbitrary mechanisms of scattering of charge carriers in ohmic conductivity range and in non-quantumed magnetic field are considered in this paper.
Плівкові сенсори для вимірювання температури і теплового потоку
(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Готра, О. З.; Стадник, Б. І.; Тимчишин, М. В.
Розроблено мініатюрні сенсори температури і теплового потоку на основі тонких плівок AgCuSe (n-тип) і Ag0,4Cu1,6Se (p-тип), який забезпечує вимірювання температури в діапазоні 300…410 К і теплового потоку в діапазоні 10-10…103 Вт, інерційність сенсора 0,7–2,5 с. Miniature temperature and thermal flow sensors based on AgCuSe (n-type) and Ag0,4Cu1,6Se (p-type) thin films that provide the measurement of temperature in the range of 300…410 К and thermal flow in the range of 10-10…103 W, sensor inertiality of 0,7–2,5 s are elaborated.
Принципи термокомпенсації низьковольтних опорних напруг
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Голяка, Р. Л.; Готра, О. З.; Єрашок, В. Е.; Шевчук, 0. І.; Національний університет “Львівська політехніка”
Запропоновані нові схемні рішення термокомпенсованих низьковольтних джерел опорної напруги, зокрема для інтегральних стабілізаторів напруги та струму, сенсорних пристроїв, аналогово-цифрових перетворювачів тощо. На від¬міну від аналогів, запропоновані схеми термокомпенсації інтегральних стабіліза¬торів забезпечують нормальне функціонування при напругах живлення від 1 В. Досліджено характеристики таких стабілізаторів. Novel circuitry is proposed for thermocompensated low-voltage sources of reference voltage, in particular for integrated stabilizers of voltage and current, sensor devices, analog-digital converters etc. Despite the known analogs, the proposed thermo¬compensation algorithms for the integrated stabilizers provide normal operation at the supply voltages from 1 V. Parameters of such stabilizers are studied.
Рідкокристалічний матеріал для порогового сенсора температури
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2003) Готра, О. З.; Фечан, А. В.; Микитюк, З. М.; Черпак, В. В.; Лопатинський, І. Є.
Досліджено температурні залежності фізичних параметрів рідкокристалічних матеріалів та електрооптичних характеристик холестерико-нематичного переходу для немато-холестеричних сумішей на базі серійного нематичного рідкого кристала СЖК-1 з домішкою сильнополярного нематичного рідкого кристала бороксан та немезогенною оптично-активною домішкою ВІХН-3. Отримані результати дають змогу запропонувати конструкцію порогового сенсора температури. Принцип дії такого сенсора базується на зміні прозорості рідкокристалічної комірки під дією температури при сталій напрузі. The paper dedicated to investigation of temperature dependences of liquid crystal mixtures and electrooptical characteristics of cholesteric-nematic transition of nematic-cholesteric mixture on base of serial nematic liquid crystal SGK-1 with strong polar nematic liquid crystal boroxan and nonmesogenic optical active dopant VIHN-3 was carried out. The obtained results give a possibility to propose a threshold temperature sensors construction. The principle of sensor functioning based on transparency changing of liquid crystal cell at constant applied voltage.