Електроніка. – 2008. – №619

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2524

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2008. – № 619 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 192 с. : іл.

Browse

Filters

20082

Settings

Author: search.filters.author.Большакова, І. А.

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Кінетичні властивості мікрокристалів твердих розчинів InAs1-xSbx, вирощених методом транспортних реакцій
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макіло, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
    Показана можливість вирощування мікрокристалів твердих розчинів InAs1-хSbх методом хімічних транспортних реакцій в атмосфері хлористого водню. В інтервалі температур 77–450 К виконано дослідження кінетичних параметрів вирощених мікрокристалів – коефіцієнта Холла, питомого опору і рухливості електронів. Показано, що результати цих досліджень можна узгодити між собою, якщо припустити, що у досліджуваних твердих розчинах ефективна маса вільних носіїв заряду зростає з температурою за степеневим законом m ~ T0,25. Встановлено, що за високих температур в процесах розсіювання вільних носіїв заряду домінують оптичні фонони з деякою добавкою розсіювання на акустичних фононах. Визначена ширина забороненої зони досліджуваних мікрокристалів і оцінено їхній хімічний склад, який відповідав значенню х ≈ 0,15. The possibility of growing InAs1-хSbх solid solution microcrystals with the help of chemical-transport technique in hydrogen chloride atmosphere has been shown. Kinetic parameters of grown microcrystals – Hall coefficient, resistivity, and electron mobility – have been investigated in the temperature range of 77-450 K. It has been demonstrated that the results of these investigations can be agreed with each other, assuming that effective mass of free charge carriers grows with temperature according to power law m ~ T0,25 in solid solutions under research. It has been determined that at high temperatures, in the processes of free charge carrier scattering, optical phonons dominate with some addition of scattering on acoustical phonons. The breadth of band gap in microcrystals under research has been determined, and their chemical composition estimated as the one corresponding to the value of х ≈ 0.1.
  • Thumbnail Image
    Item
    Дослідження впливу температури опромінення на зміну параметрів напівпровідникових сенсорів магнітного поля на основі insb та inas
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2008) Большакова, І. А.; Гумен, І. С.; Ковальова, Н. В.; Макіло, О. Ю.; Маслюк, В. Т.; Мегела, І. Г.; Шуригін, Ф. М.
    Виконано дослідження впливу температури опромінення сенсорів на основі гетероструктур n-InSb/i-GaAs та n-InAs/Al2O3 високоенергетичними електронами в діапазоні від 0 до 200 °С, а також впливу ізохронного відпалу у вакуумі на параметри опромінених зразків. Показано, що під час опромінення в гратку InSb та InAs вводяться радіаційні дефекти як донорного, так і акцепторного типів. Встановлено, що ефективність впливу радіаційних дефектів на властивості досліджених структур залежить від рівня легування епітаксійних плівок та температури опромінення. Методом ізохронного відпалу зразків, опромінених при різних температурах, доведено, що точкові радіаційні дефекти, які виникають під час опромінення високоенергетичними електронами, зазнають часткового відпалу під час високотемпературного опромінення. The impact of temperature of n-InSb/i-GaAs and n-InAs/Al2O3 heterostructure-based sensors’ irradiation with high-energy electrons in the range from 0°C up to 200°C, as well as the influence of isochronous annealing in vacuum upon the parameters of irradiated samples have been investigated. It has been demonstrated that radiation defects of both donor and acceptor types are input into InSb and InAs lattice during irradiation process. It has been determined that the effectiveness of radiation defects’ impact on the characteristics of structures under research depends upon the level of epitaxial films’ doping and irradiation temperature. It has been proved with the help of samples’ isochronous annealing method (applied to the samples irradiated at different temperatures) that point radiation defects appearing at irradiation with high-energy electrons sustain partial annealing in the course of high-temperature irradiation.