Електроніка. – 2007. – №592
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/3175
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – № 592 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 184 с. : іл.
Browse
Search Results
Item Ефекти блокування лімітуючої негельмгольцевої ємності в напористих і нанокомпозитних структурах та їх застосування для створення зміннострумових суперконденсаторів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Григорчак, І. І.; Каліцінський, В. З.; Ріпецький, Є. Й.; Міцов, М. М.Запропоновано підхід до вирішення задачі зниження тангенса кута втрат конденсаторів з подвійним електричним шаром (ПЕШ). Для цього як електродні матеріали використовують активований вуглецевий матеріал з фрактальною графітовою сіткою, нанодисперсний вуглець та вуглець-кремнеземовий нанокомпозит з внутрішньоагре- гованою С-ізоляцією. Електролітами слугують 32% водний розчин гідроксиду калію та одномолярний розчин тетраетиламонію тетрафторборату в γ-бутиролактоні. Імпедансні виміри та дослідження циклічної вольтамперометрії свідчать про високе значення питомої ємності при тангенсі кута втрат, меншому від 1 в низькочастотному інтервалі. В роботі пропонується теоретична модель, яка розкриває механізм розблокування гельмгольцевої ємності. In this work an approach to the task solution of the decrease in dissipation factor of capacitor with double electric layer (DEL) is offered. For this propose activated carbon with fractal graphite grid, nanoscale carbon and SiO2-C nanocomposite with internal aggregated Cisolation are used as a basis for electrode materials. 32% aqueous solution of KOH and 1 M solution of Tetraethyl-Ammonium-Tetrafluoro-Borate in γ -butyrolactone serve as electrolytes. Impedance measurements and cyclic volt amperometric studies are evidence of high profile of permittivity when dissipation factor is less than 1 in low-frequency slot. A theoretical model that exposes the mechanism of deblocking of the Helmholtz’s capacitance is offered in our work.Item Структура та електричні властивості тонких плівок Bi2Te3, Sb2Te3 та надструктур Bi2Te3 / Sb2Te3, отриманих імпульсним лазерним осадженням(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Курило, І. В.; Рудий, І. О.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та надрешітки Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм. рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Досліджено структуру об’ємного матеріалу мішеней за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and superlattices structures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5 Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of bulk materials of target was investigated by X-ray diffraction method. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K.Item Оптимізація режиму роботи джозефсонівських кріотронів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.Запропоновано метод оптимізації режиму роботи джозефсонівських кріотронів (ДК) під час керування їхнім логічним станом імпульсами струму. Існуюча математична модель перехідних процесів в джозефсонівських кріотронах дає можливість отримати перехідні характеристики під час зміни логічного стану. Проте оптимізувати режим роботи кріотронів через велику кількість параметрів у моделі є складним завданням. Запропонований нами метод оптимізації, який полягає в розрахунках не тільки перехідних характеристик кріотронів, а також і часових залежностей складових загального струму в кріотроні, дав змогу дослідити вплив кожної складової струму на перехідні процеси і визначити ті параметри моделі, які безпосередньо впливають на логічні переходи. In the paper, we propose a method of operation mode optimization of Josephson cryotrons (JC) during the regulation of their logic-state by current impulses. The existing mathematical model of transitional processes in Josephson cryotrons allows us to obtain transitional charachteristics during the change in cryotrons' logic-state. However, to carry out the operation mode optimization of cryotrons remains a hard task due to the large number of the model's parameters. The proposed optimization method consisting in calculating not only the transitional charachteristics of cryotrons, but also the timedependences of the total current components in a cryotron allowed us to investigate the influence of each current component on the transitional processes and determine those parameters, which have a direct influence on logic-state transitions.Item Особливості технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати, отримані під час розроблення технології вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX за механізмом пара–рідина–кристал (ПРК- механізмом) методом газотранспортних реакцій. Визначено залежність складу вирощених мікрокристалів від температурного режиму процесу вирощування. За розробленою технологією було вирощено мікрокристали InAs1-XSbX, в яких вміст InSb становив 4 мол.% та 16 мол.%. Проведені дослідження показали можливість одержання мікрокристалів твердого розчину InAs1-XSbX з газової фази в хлоридній системі. Results obtained while developing the technology of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical transport reactions method in conjunction with VLS-mechanism are represented. Composition dependence of the microcrystals grown upon the thermal conditions of the growth process is determined. InAs1-XSbX microcrystals with InSb content of 4 molar % and 16 molar % have been grown by means of the technology developed. The conducted research demonstrated the possibility of growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals by chemical vapor deposition in chloride system.Item Технология получения наноразмерных феррогранатов состава (YCa)3Fe5O12(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Булатова, А. Н.; Трутнев, Н. С.; Булатов, М. Ф.С использованием криохимической технологии были получены нанодисперсные порошки феррогранатов иттрия с иновалентным замещением Са. Использование данной технологии позволило снизить температуру спекания Y2,9Ca0,1Fe5O12. Установлено, что самопроизвольная намагниченность насыщения образцов состава Y2,9Ca0,1Fe5O12, получен- ных по данной технологии ниже, чем у образцов, полученных твердофазным синтезом. Using cryo-chemical technique we obtained nano-dispersed powders of iron garnets with hetero-valent substitution by Ca ions. Usage of this technique allows to reduce the agglomeration temperature of Y2,9Ca0,1Fe5O12. It was established that saturation magnetization of Y2,9Ca0,1Fe5O12 samples fabricated under this technology is lower than of samples manufactured by solid state synthesis.Item Зміст до до Вісника "Комп'ютерні системи проектування. Теорія і практика"(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007)У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів;методика досліджень; У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть бути представлені як співробітниками Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.Item Вплив параметрів холестеричних рідких кристалів на смугу селективного відбивання світла в РЗЗ-лазерах(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Микитюк, З. М.; Фечан, А. В.; Ясиновська, О. Й.Наведено результати теоретичних й експериментальних досліджень спектрів селективного відбивання холестеричних рідких кристалів. Проведено моделювання коефіцієнта відбивання для різних параметрів зразків. Досліджено залежність коефіцієнта відбивання від товщини зразка і двопроменезаломлення. Отримані результати показують, що для забезпечення високого коефіцієнта відбивання товщина зразка має становити не менше ніж 10 кроків спіралі. У випадку меншої товщини треба використовувати матеріали з високою величиною двопроменезаломлення (0,3 ÷ 0,4). The results of theoretical and experimental researches of the spectrums of selective reflection of cholesteric liquid crystals are represented. The modelling of reflection coefficient for different parameters of sample is carried out. The dependences of reflection coefficient from the sample thickness and the birefringence are investigated. The got results are shown, that for providing of high reflection coefficient, the sample thickness is to make not less than 10 pitches of spiral. In the case of less thickness it follows to use materials with the high size of birefringence (0,3 ÷ 0,4).Item Моделювання процесів предачі енергії збудження іонів Yb3+ до іонів домішок у лазерному кристалі(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Мартинюк, Н. В.; Фагундес-Петерс, Д.; Петерман, К.; Убізський, С. Б.; Бурий, О. А.Проаналізовано процеси передачі енергії збудження в лазерному кристалі, активованому іонами Yb3+. Розглядаються три моделі, що містять двочастинкову передачу (від активного центра до домішки), тричастинкову (від двох активних до одного домішкового іона) та двох механізмів одночасно. Для кожного з трьох випадків описано особливості кінетики спонтанної люмінесценції активного іона, а також залежності квантової ефективності від амплітуди імпульсу збудження, що дає змогу за вимірюваннями цих характеристик класифікувати процеси передачі енергії, що відбуваються в кристалі. The excitation energy transfer processes in laser crystals doped with Yb3+ ions are analyzed in this work. Three models are considered including two-particles transfer (from the active center to impurity ion), three-particles cooperative transfer (from two active centers to impurity ion) and the case of both mechanisms simultaneously. Peculiarities of the active ion luminescence decay kinetics as well as a dependence of quantum efficiency on the excitation pulse amplitude are described for each case that allows classifying the energy transfer processes being held in the crystal from measurements of these characteristics.Item Особливості вирощування епітаксійних плівок ферит-гранатів з субмікронними ЦМД(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Юр’єв, С. О.; Юрчишин, П. І.; Ющук, С. І.Для зменшення швидкості росту МПФГ з ЦМД, покращання технологічності та відтворюваності їх магнітних параметрів при багатопозиційному методі отримання запропоновано ферит-гранатову систему 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O та розчинник 2 3 3 PbO − Bi O −MoO і встановлені молярні співвідношення між оксидами у вихідній шихті. Використання розчинника 2 3 3 PbO − Bi O −MoO дало змогу понизити температуру наси- чення розплавів до 1151...1189 К, температуру росту МПФГ до 1048...1103 К та швидкість росту плівок до 0,10...0,60 мкм/ хв . За допомогою введення до складу шихти оксиду вісмуту 2 3 Bi O отримано задовільні вищі значення полів одновісної магнітної анізотропії H E K = 1800...3150, температури Кюрі T K K = 483...513 з одночасним покращанням контрастності доменів за рахунок збільшення вмісту в МПФГ іонів Bi3+ . Наявність в шихті оксиду кремнію 2 SiO зменшує неузгодження параметрів решіток плівок та підкладок до значень Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. Встановлені інтервали вмісту оксидів в шихті відповідають оптимальним магнітним параметрам та їх відтворюваності у вирощених МПФГ. For decreasing of speed growing of MFGF with BCD, the improvement of technologicalness and reproduction of their magnetic parameters at the multiposition method of reception the ferro-garnet system 3 5 12 (Y,Sm,Ca,Bi) (Fe,Ge,Si) O and solvent 2 3 3 PbO − Bi O − MoO are offered and molar correlations between oxides in an initial charge are set. The usage of 2 3 3 PbO − Bi O − MoO solvent allowed to reduce the temperature of liquid phase saturation to 1151...1189 K, the temperature growth of MFGF to 1048...1103 K and the films speed growing to 0,10...0,60 μm/min. The intercalation in to the composition of charge of bismuth oxide 2 3 Bi O allowed to get the satisfactory higher values of uniaxial magnetic anisotropy fields H Oe K = 1800...3150 , Curie temperature T K K = 483...513 with the simultaneous improvement of domain contrasting at the expense of increase of Bi 3+ ions contents in MFGF. A presence in the charge of silicon oxide 2 SiO decreases the mismatch of films and substrates grates parameters to the values of Δa = −5 ⋅10−3... + 9 ⋅10−3 Å. The determined intervals of oxides contents in the charge correspond to optimum magnetic parameters and their reproduction in growing of MFGF.Item Вплив технологічних параметрів осадження на кристалічну структуру тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Савчук, В.Досліджено вплив параметрів осадження в вакуумній камері (температура підкладки, тип підкладки) на формування кристалічної структури тонких плівок CdTe, вирощених методом імпульсного лазерного напилення. На основі аналізу результатів рентгено-дифракційних та електронно-мікроскопічних досліджень плівок CdTe, вирощених при різних параметрах осадження, встановлено, що основним фактором, який визначає кристалічний стан плівок, є температура підкладки. Effect of technological condensation parameters into vacuum chamber, such as substrate temperature and substrate type on crystalline structure of CdTe thin films grown by Pulsed Laser Deposition were studied. Examinations of CdTe thin films grown at various condensation parameters by X-ray diffraction and electron-diffraction methods were carried out. As a result, it was established that the substrate temperature is main parameter, which determines a crystallinity of grown films.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »