Електроніка. – 2004. – №513

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35077

Browse

Now showing 1 - 19 of 19

Багатоелементні інфрачервоні фотоприймачі на основі епітаксійних гетероструктур P-Pb/xSnxTe/ySey/J-Pb0,8oSn0,2oTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Царенко, О. М.; Рябець, С. І.; Ткачук, А. І.
Методами рідинної епітаксії та вакуумного напилення сформовані багато¬елементні фотоприймачі Pb/8-uiap/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pbo,8oSn0,юТе/Au на основі епітаксійних шарів (0,09<х<0,18 (ат. д.), 0,02<у<0,06 (ат. д.); р=(2,1^7,5)х1017 см'3, |н=(0,9^6,3)х103 CM^B'V'1). Одержаний Pb/8-map/p-Pb0,82Sn0,i8Teo,98Seo,o2/p+- Pb0,8oSn0,2oTe/Au 2х20-елементний фотоприймач при 170 К, Ар~8 мкм і Ас~8,3 мкм мав RoA=0,31-0,97 Ом-см2, Пх=0,32-0,51 TaDx*=(0,70-l,83)xl010 смГц,2Вт’. The Pb/§-layer/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pb0.8oSn0.2oTe/Au linear photovoltaic infrared sensor arrays have been formed on the basis of high-quality epitaxial layers (0.09
Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.
Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Большакова, І. А.; Ковальова, Н. В.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі вирощені мікро-кристали InAs та GaAs. Для оптимізації технологічних умов проведено моделювання фізико-хімічних процесів, що відбуваються у системах InAs-HCl та GaAs-HCl, визначені оптимальні температури вирощування мікрокристаліа Проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалів lnAs з різним рівнем легування в температурному діапазоні 77-440К. Досліджено вплив опромінення реакторними нейтронами до флюенсу Ф=М015 н*см'2 на електрофізичні параметри мікрокристалів lnAs. Показана можливість створення мікросенсорів магнітного поля на основі мікрокристалів lnAs з початковою концентрацією носіїв заряду п=(2-4)‘1018 см'3. Радіаційна стійкість за таких умов становить 0,3 %. By the method of chemical transport reactions, the InAs and GaAs microcrystals were developed in the chloride system. For the optimization of the technological conditions, the modeling of the physicochemical processes, running in the InAs-HCl and GaAs-HCl systems was performed, and the optimal temperatures for microcrystal growth were determined. The investigation of electro-physical parameters of lnAs microcrystals with the different level of doping in the temperature range of 77-440K were performed. The influence of the irradiation with reactor neutrons on the electro-physical parameters of lnAs microcrystals was investigated up to the fluence of F=M015 H'cm'2. The possibility of the creation of the magnetic field microsensors based on lnAs microcrystals with the initial charge carrier concentration of n=(2-4)*1018 cm'3 is shown. The radiation resistance under such conditions is of 0,3 %.
Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.
У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.
Ефекти екранування в легованих кристалах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Буджак, Я. С.
У роботі показано, що в сильно легованих кристалах існують ефекти екранування домішків носіями струму, які можуть енльно впливати на природу властивостей кристалів. Ці ефекти можна не враховувати в слабко легованих кристалах 3 цією метою в роботі обгрунтовані критерії слабкого та сильного легування. In a work was pointed out, that there are the screening effects of the doppants by charge carriers, which can have a great influence on the physical properties of crystals. These effects can be neglected in low dopped crystals. For that reason the criteria of low and high dopping have been grounded in this work.
Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.
Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.
Зміст до Вісника "Електроніка", № 513
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)
Кристалічна структура твердого розчину Y3.xYbxAl5012
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Мартинюк, Н. В.; Васичечко, Л. О.; Фадеев, С. В.; Матковсъкий, А. О.; Петерман, К.
Методом рентгенівської порошкової дифракції досліджено кристалічну структуру твердого розчину Y3.xYbxAl5Oi2 (х = 0,6; 1,2; 1,8; 2,4; 3) при кімнатній температурі. Встановлено, що досліджені кристали мають кубічну структуру типу гранату (просторова група ІаЗсІ). Зменшення середнього іонного радіуса катіонів РЗЕ внаслідок ізовалентного заміщення Y3+ - Yb3+ зумовлює закономірне зменшення об'єму елемен¬тарної комірки, який спадає лінійно, згідно з правилом Вегарда. Для всіх зразків твердого розчину уточнено періоди елементарної комірки, координати атомів та константи теплових коливань. Crystal structure of Y3.xYbxAl5Oi2 (x = 0,6; 1,2; 1,8; 2,4; 3) solid solution has been studied by means of X-ray powder diffraction technique. It was found, that the investigated crystals belong to the cubic garnet structure (space group ІаЗсІ). Decreasing of the average ionic radii of RE-cations resulting from the iso valent substitution Y3+ - Yb3+ leads to the reduction of the cell volume, which falls linearly according to the Vegard’s law. The lattice parameters, atomic coordinates as well as equivalent isotropic displacement parameters of the atoms were refined for each composition of the solid solution.
Методика вивчення просторової анізотропії акустооптичного ефекту на прикладі кристалів бета борату барію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Андрущак, А. С.; Бобицький, Я. В.; Кайдан, M. B.; Кітик, А. В.; Тибінка, Б. В.
Запропоновано методику вивчення просторової анізотропії акустооптичних параметрів. Для ефективної пружнооптичної постійної pef та коефіцієнта акустооптичної якості М2 на прикладі кристалів Р-ВаВ2С>4 записані співвідношення та побудовані вказівні поверхні для випадку ізотропної та анізотропної дифракцій світла на поздовжній акустичній хвилі. Проаналізовано просторову анізотропію відповідного акустооптичного ефекту для кристалів Р-ВаВ2С>4. Spatial anisotropy study method for acoustooptical parameters are proposed. For effective elastooptical constants pef and figure of merit M2 for example of crystals P-BaB204 the equations were written and the indicative surfaces were constructed for case of isotropic and anisotropic diffraction of light with longitudinal acoustic wave. The spatial anisotropy analysis for such acoustooptical effect in crystals P-BaB204 was carried out.
Непружне розсіювання електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки в твердому розчині
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Малик, О. П.
Запропонована модель непружного розсіяння електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки, в якій ймовірність розсіяння не залежить від макроскопічного параметра - діелектричної проникності кристала. Розглянута модель дає добре узгодження між теорією та експериментом в інтервалі температур 120 - 300 К. A model of inelastic electron scattering on the polar optical vibrations of the crystal lattice is proposed in which the scattering probability does not depend on macroscopic parameter, the crystal permittivity. The reviewed model yields the good agreement between the theory and experiment in temperature range 120 - 300 K.
Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п’єзорезистивних сенсорів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.
Досліджувались характеристики ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу, закріплених на пружних елементах з інвару, в широкому діапазоні деформацій ^0-=-±1,26x103 відн. од. і температур 4,2-КЗОО К з різною концентрацією бору: сильно-леговані кристали з металевою провідністю; поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) з металевого боку; поблизу ПМД з діелектричного боку. В НК Si поблизу ПМД при гелієвих температурах спостерігався значний некласичний п’єзоопір. Отримані характеристики НК Si, закріплених на пружних елементах, дозволяють прогнозувати параметри п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, створених на їх основі, для низьких температур. Characteristics of p-type silicon whiskers with different boron doping: heavily doped crystals with metallic conductivity; in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) from the metallic side and in the vicinity of MIT from the insulating side, mounted on the invar spring elements were studied in the wide range of strains ^0-=-±1.26xl03 rel. un. and temperatures 4.2-K300 K. In Si whiskers in the vicinity of MIT the great non-classic piezoresistance at helium temperatures was observed. Obtained characteristics of Si whiskers mounted on the spring elements allowed to forecast the performance of piezoresistive mechanical sensors created on their basis, operating at low temperatures.
Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.
Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ющук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.
Досліджено оптичні спектри пропускання епітаксійних структур залізо-ітрієвого та залізо-галій-ітрієвого гранатів. Отримано залежності коефіцієнтів поглинання від довжини світлової хвилі у видимій і близькій інфрачервоній областях На основі аналізу і обробки інтерференційних картин розраховано показники заломлення ферогранатових плівок і підкладок з галій-гадолінієвого гранату в широкому інтервалі довжин хвиль та товщини плівок.
Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тиханський, М. В.; Тиханська, К. М.
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.
Пориста структура, розмірні ефекти та асиметрія катодно-анодної поляризації вуглецевих матеріалів у конденсаторах з подвійним електричним шаром
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Венгрин, Б. Я.; Бахматюк, Б. П.
Досліджено вуглецеві матеріали для електродів конденсаторів з подвійним електричним шаром. Показано, що подрібнення активаційно-карбонізованого вуглецевого матеріалу синтетичного походження погіршує його пористу структуру і знижує ємнісні показники. З’ясовано, що вплив розмірів зарядонакопичувальних часток на ємність та її частотну залежність має немонотонний характер. Виявлено, що зменшення енергії сольватації катіонів та аніонів сприяє симетризації анодно-катодної поляризації та може призводити до процесів з частковим перенесенням заряду на межі розділу активованого вугілля з електролітом. The carbon materials for electrodes of the electric double-layer capacitors have been investigated. It has been shown, that crushing the activation-saturated of a synthetic origin carbon material worsens its porous structure and reduces capacitor parameters. It is found out, that influence of the sizes of charge-storage particles on capacity and its frequency dependence has nonmonotonic character. The reduction of cations and anions solvatation energy promotes of symmetrization of anode-cathodic polarization have been revealed and can involve to processes with partial transferring a charge on boundary of the division of the activated carbon with electrolit.
Пориста структура, розмірні ефекти та асиметрія катодно-анодної поляризації вуглецевих матеріалів у конденсаторах з подвійним електричним шаром
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Венгрин, Б. Я.; Бахматюк, Б. П.; Григорчак, І. І.; Бордун, І. М.
Досліджено вуглецеві матеріали для електродів конденсаторів з подвійним електричним шаром. Показано, що подрібнення активаційно-карбонізованого вуглецевого матеріалу синтетичного походження погіршує його пористу структуру і знижує ємнісні показники. З’ясовано, що вплив розмірів зарядонакопичувальних часток на ємність та її частотну залежність має немонотонний характер. Виявлено, що зменшення енергії сольватації катіонів та аніонів сприяє симетризації анодно-катодної поляризації та може призводити до процесів з частковим перенесенням заряду на межі розділу активованого вугілля з електролітом. The carbon materials for electrodes of the electric double-layer capacitors have been investigated. It has been shown, that crushing the activation-saturated of a synthetic origin carbon material worsens its porous structure and reduces capacitor parameters. It is found out, that influence of the sizes of charge-storage particles on capacity and its frequency dependence has nonmonotonic character. The reduction of cations and anions solvatation energy promotes of symmetrization of anode-cathodic polarization have been revealed and can involve to processes with partial transferring a charge on boundary of the division of the activated carbon with electrolit.
Потенціальний профіль квантової ями ZnSe у гетероструктурі ZNSE/ZNS В залежності від концентрації електронів провідності
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Романів, І. Б.
У межах електрон-деформаційної моделі досліджено вплив концентрації носіїв струму на форму потенціальної ями ZnSe у напруженій гетероструктурі ZnSe/ZnS, в якій неузгодженість параметрів граток двох контактуючих епітаксіальних шарів становить ~ 4%. Показано, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до виникнення поблизу межі розділу епітаксіальних шарів локальних електрон-деформаційних ям і бар’єрів, глибина і висота яких залежить від концентрації електронів провідності Встановлено, що зі збільшенням концентрації електронів провідності 10і7—10і9 слГ3, глибина цих ям та висота бар’єрів зростає на~6%. It was investigated that within the frame of the electron-deformation model the influence of concentrating of carries on the shape of a potential well ZnSe in a strained heterostructure ZnSe/ZnS with lattice mismatch in the epitaxial layers makes ~ 4%. Electron - deformation interaction are represented that in the vicinity of the heterocontact arise local electron- deformation wells and barries which depth and height depends on the conduction electron concentration. It was established that depth of these wells and height of these barriers is incremented on 6% with increasing conduction electron concentration from 1017 to 1019 cm3.
Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Британ, В. Б.; Цюцюра, Д. І.; Пігур, О. М.; Ковачьчук, І. В.; Денис, Р. В.; Кричюк, С. Г.
Проведені дослідження, пов’язані з технологією вирощування CdxZni_xTe, та аналіз домішково-дефектного стану кристалів CdxZni_xTe, вирощених методом сублімації у вакуумі, у водні із шихти, синтезованої у водні, а також у вакуумі із шихти, синтезованої у водні. За спектрами фотолюмінісценції, отриманих при 5 К найменш дефектними виявились кристали CdxZni_xTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні. The paper deals with the investigation of CdxZni_xTe growth technology and analysis of a impurity and defective condition of crystals CdxZni_xTe brought up by a method of sublimation in vacuum, at hydrogen from charge, synthesized in hydrogen and in vacuum from charge synthesized in hydrogen is carried out. The crystals CdvZni_vTe, brought up from charge, synthesized in hydrogen are the less defective behind the spectrum of photoluminescence received at 5 K least defective have appeared.
Програмно-апаратний комплекс для дослідження температурних властивостей матеріалів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Злобін, Г. Г.; Карбовник, І. Д.; Шевчук, В. Д.
Детально розглянуто програмно-апаратний комплекс, розроблений для дослідження температурних властивостей матеріалів та керування технологічними процесами, пов’язаними із зміною температури. Особливу увагу звернено на схемну реалізацію систем реєстрації та керування температурою. Аналізуються практичні аспекти розробки програмного забезпечення комплексу. Наведено приклади принципових схем та вихідний код керуючих програм. Hardware realization of the automated device for the temperature measurements and process control is discussed in great details. A substantial attention is paid to the schematic overview. Some practical aspects of the software development are also analyzed. Sample circuits and working code examples are listed.