Електроніка. – 2004. – №513
Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35077
Browse
Search Results
Item Зміст до Вісника "Електроніка", № 513(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)Item Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тиханський, М. В.; Тиханська, К. М.Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.Item Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.Item Методика вивчення просторової анізотропії акустооптичного ефекту на прикладі кристалів бета борату барію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Андрущак, А. С.; Бобицький, Я. В.; Кайдан, M. B.; Кітик, А. В.; Тибінка, Б. В.Запропоновано методику вивчення просторової анізотропії акустооптичних параметрів. Для ефективної пружнооптичної постійної pef та коефіцієнта акустооптичної якості М2 на прикладі кристалів Р-ВаВ2С>4 записані співвідношення та побудовані вказівні поверхні для випадку ізотропної та анізотропної дифракцій світла на поздовжній акустичній хвилі. Проаналізовано просторову анізотропію відповідного акустооптичного ефекту для кристалів Р-ВаВ2С>4. Spatial anisotropy study method for acoustooptical parameters are proposed. For effective elastooptical constants pef and figure of merit M2 for example of crystals P-BaB204 the equations were written and the indicative surfaces were constructed for case of isotropic and anisotropic diffraction of light with longitudinal acoustic wave. The spatial anisotropy analysis for such acoustooptical effect in crystals P-BaB204 was carried out.Item Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ющук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.Досліджено оптичні спектри пропускання епітаксійних структур залізо-ітрієвого та залізо-галій-ітрієвого гранатів. Отримано залежності коефіцієнтів поглинання від довжини світлової хвилі у видимій і близькій інфрачервоній областях На основі аналізу і обробки інтерференційних картин розраховано показники заломлення ферогранатових плівок і підкладок з галій-гадолінієвого гранату в широкому інтервалі довжин хвиль та товщини плівок.Item Потенціальний профіль квантової ями ZnSe у гетероструктурі ZNSE/ZNS В залежності від концентрації електронів провідності(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Романів, І. Б.У межах електрон-деформаційної моделі досліджено вплив концентрації носіїв струму на форму потенціальної ями ZnSe у напруженій гетероструктурі ZnSe/ZnS, в якій неузгодженість параметрів граток двох контактуючих епітаксіальних шарів становить ~ 4%. Показано, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до виникнення поблизу межі розділу епітаксіальних шарів локальних електрон-деформаційних ям і бар’єрів, глибина і висота яких залежить від концентрації електронів провідності Встановлено, що зі збільшенням концентрації електронів провідності 10і7—10і9 слГ3, глибина цих ям та висота бар’єрів зростає на~6%. It was investigated that within the frame of the electron-deformation model the influence of concentrating of carries on the shape of a potential well ZnSe in a strained heterostructure ZnSe/ZnS with lattice mismatch in the epitaxial layers makes ~ 4%. Electron - deformation interaction are represented that in the vicinity of the heterocontact arise local electron- deformation wells and barries which depth and height depends on the conduction electron concentration. It was established that depth of these wells and height of these barriers is incremented on 6% with increasing conduction electron concentration from 1017 to 1019 cm3.Item Непружне розсіювання електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки в твердому розчині(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Малик, О. П.Запропонована модель непружного розсіяння електронів на полярних оптичних коливаннях кристалічної гратки, в якій ймовірність розсіяння не залежить від макроскопічного параметра - діелектричної проникності кристала. Розглянута модель дає добре узгодження між теорією та експериментом в інтервалі температур 120 - 300 К. A model of inelastic electron scattering on the polar optical vibrations of the crystal lattice is proposed in which the scattering probability does not depend on macroscopic parameter, the crystal permittivity. The reviewed model yields the good agreement between the theory and experiment in temperature range 120 - 300 K.Item Низькотемпературні характеристики мікрокристалів кремнію на пружних елементах для створення п’єзорезистивних сенсорів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Мар'ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Досліджувались характеристики ниткоподібних кристалів (НК) кремнію р-типу, закріплених на пружних елементах з інвару, в широкому діапазоні деформацій ^0-=-±1,26x103 відн. од. і температур 4,2-КЗОО К з різною концентрацією бору: сильно-леговані кристали з металевою провідністю; поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) з металевого боку; поблизу ПМД з діелектричного боку. В НК Si поблизу ПМД при гелієвих температурах спостерігався значний некласичний п’єзоопір. Отримані характеристики НК Si, закріплених на пружних елементах, дозволяють прогнозувати параметри п’єзорезистивних сенсорів механічних величин, створених на їх основі, для низьких температур. Characteristics of p-type silicon whiskers with different boron doping: heavily doped crystals with metallic conductivity; in the vicinity of metal-insulator transition (MIT) from the metallic side and in the vicinity of MIT from the insulating side, mounted on the invar spring elements were studied in the wide range of strains ^0-=-±1.26xl03 rel. un. and temperatures 4.2-K300 K. In Si whiskers in the vicinity of MIT the great non-classic piezoresistance at helium temperatures was observed. Obtained characteristics of Si whiskers mounted on the spring elements allowed to forecast the performance of piezoresistive mechanical sensors created on their basis, operating at low temperatures.Item Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.Item Ефекти екранування в легованих кристалах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Буджак, Я. С.У роботі показано, що в сильно легованих кристалах існують ефекти екранування домішків носіями струму, які можуть енльно впливати на природу властивостей кристалів. Ці ефекти можна не враховувати в слабко легованих кристалах 3 цією метою в роботі обгрунтовані критерії слабкого та сильного легування. In a work was pointed out, that there are the screening effects of the doppants by charge carriers, which can have a great influence on the physical properties of crystals. These effects can be neglected in low dopped crystals. For that reason the criteria of low and high dopping have been grounded in this work.