Електроніка. – 2004. – №513

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35077

Browse

Now showing 1 - 20 of 35

Фототепловий метод вимірювання характеристик матеріалів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Демкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Бобицький, Я. В.
Розроблено фототепловий метод вимірювання характеристик конструкційних та оптичних матеріалів, а саме, теплоємності, теплопровідності, коефіцієнта теплового лінійного розширення. Метод базується на реєстрації фотостимульованих змін, які виникають у зразку під дією потужного лазерного пучка з відомим просторово-часовим розподілом енергії випромінювання, зокрема, теплових полів та полів деформацій на поверхні зразка. Для реєстрації цих полів використані методи лазерної та електронної кореляційної спекл-інтерферометрії. Для розрахунку невідомих характеристик за експериментально зареєстрованими розподілами температур та поверхневих деформацій розроблена математична модель та відповідне програмне забезпечення. The measurement photothermal method of parameters of construction and optical materials, namely, heat capacity, heat conductivity, thermal linear expansion coefficient is developed. The method is based on registration of the photostimulative changes, which appear in a sample under influence of powerful laser beam with the given spatio-temporal distribution of radiation energy, in particular, thermal fields and deformation fields on the sample surface. The methods of laser and electronic correlation specl-interferometry are used for registration of these fields. For computation of unknown parameters using the experimental registered distribution of temperatures and surface deformations a mathematical model and corresponding software is developed.
Домішково-вакансійні агрегати в легованих кристалах флюоритів
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Качан, С. І.; Пірко, І. Б.; Салапак, В. М.; Чорній, З. П.; Дубельт, С. П.
У межах моделі точково-іонної взаємодії проведені розрахунки енергії зв’язку, термодисоціації та реорієнтації аніонних вакансій у лінійних домішково-вакансійних асоціатах типу (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ і (nD)O2' (де D-домішково-вакансійний диполь, Va+ - аніонна вакансія, Ме+ - іон лужного металу, п=1,2,3...). Показано, що в кристалах легованих флюоритів енергія реорієнтації домішково-вакансійних асоціатів (ДВА) більша за енергію реорієнтації домішково-вакансійних диполів (ДВД) на величину порядку 0,10-0,20 еВ. Термодисоціація ДВА зумовлює виникнення на термограмах струмів термостимульованої деполяризації (ТСД) трьох серій максимумів: з енергією активації (0,75+0,85) еВ і (0,85+1,0) еВ , що викликані термодисоціацією (nD)Va+ і (nD) асоціатів відповідно, та (1,2+1,5) еВ, зумовлених термодисоціацією (nD)Me+ чи (nD)O2' асоціатів. Результати теоретичних розрахунків якісно збігаються з результатами досліджень струмів ТСД в кристалах, легованих лужними металами і киснем. Within the framework of the point-ion interaction model the calculations of energy of connection, thermo-dissociation and ion-vacancy reorientation in linear impurity-vacantion associats type of (nD), (nD)Va+, (nD)Me+ and (nD)O2 (where D-stands for the impurity- vacantion dipole, Va+-anion vacantion, Me+-alkali-metal-ion, n=l,2,3...) are conducted. Is shown, that in doped fluorides crystals the energy of reorientation of impurity-vacantion associats (1VA) is approximately 0,10-0,20 eV more than the energy of reorientation of impurity-vacantion dipoles (1VD). The thermodissociation (1VA) on the thermograms of the (TSD)-currents causes three maximum serieses with the energy of activation equal (0,75-0,85) eV and (0,85-l,0)eV, wich are caused by thermodissociation of (nD)Va+ and (nD) associats correspondingly, and (1,2+1,5) eV, caused by thermodissociation of (nD)Me+ or (nD)O2' associats. The results of theoretical calculations roughly coincide with the results of research of (TSD)-currents in the crystals, doped by alkali metals and oxygen.
Електрон-фононна взаємодія у груповому формалізмі теорії збурень
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Товстюк, К. К.
Формалізм подвійних перестановок для опису ряду теорії збурення електрон-електронної взаємодії, розвинутий у [1-3], дозволив записати загальний вигляд функції Гріна, використовуючи незвідні зображення перестановок - схеми Юнга-Ямануті. Ми продовжуємо розвивати формалізм ПП для електрон-фононної взаємодії у наближенні гамільтоніана Фреліха. Отримано загальний вигляд П-доданка теорії збурення, що описується асоційованими ПП. The formalism of double permutations (DP) for perturbation theory for electron-electron interaction has been developed un [1-3]. In this paper we further develop DP formalism for electron - phonon interaction in Frelih Hamiltonian approximation. The general expression for the П - term of perturbation theofy is obtained in terms of associated double permutations (ADP)
Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тампль-Буайє, П'єр; Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гуменюк, І. А.
Розроблено та експериментально досліджено характеристики іонно-селективних польових транзисторів (1СПТ) з індукованим n-каналом. Функцію підзатворного діелектрика, чутливого до іонів водню, виконує мембрана з оксиду та нітриду кремнію Si02/Si3N4. Для забезпечення селективності до іонів нітрату N03' та амонію NH4+ використано чутливу мембрану на основі роїуНЕМА/сілопрен. Дано рекомендації щодо режимів живлення 1СПТ. Виготовлення та експериментальні дослідження проведені в Лабораторії Аналізу та Архітектур Систем, Тулуза, Франція. Front-side connected, N-channel, normally-off, ion-sensitive field effect transistor (1SFET) microsensors including a SiOi/SijNj pH-sensitive gate have been fabricated using a standard P-well silicon technology. Sensor properties and performances are demonstrated through pH measurements. Finally, the front-side connected ChemFETs microsensors have been adapted to the detection of ions thanks to polyHEMA/siloprene-based ionosensitive membrane. Operating modes of 1SFET sensor have been optimized. Fabrication and characterization of these ion-sensitive structures have been carried out at the Laboratory for Analysis and Architecture of Systems (LAAS, Toulouse, France).
Титульний аркуш до до Вісника "Електроніка", № 513
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)
Ефект Брюстера в спектрах відбиття Фабрі-Перо
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Моргуліс, А.
Описані особливості кутових закономірностей спектрів резонансного відбиття світла від тришарових структур типу прозора плівка Фабрі-Перо на поверхні резонансно поглинаючої підкладки. Показано, що для частот світла в області поздовжньо- поперечного розщеплення за умови фазової компенсації можлива інверсія за поляризацією ефекту Брюстера. The paper is devoted to theoretical modeling the angular regularities of amplitude spectra of light reflection from films deposited on the surface of resonant absorptive substrates. It was shown that inversion of Brewster effect by polarization is caused by Fabry- Perot interference and realized for light frequency in the region of transverse-longitudinal splitting when condition of phase compensation is valid.
Термічне розширення CeGa03 перовськіту
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Василечко, Л. О.; Сенишин, А. Т.
Структура ортогалату церію та її термічна еволюція прецизійно досліджена методом порошкової дифракції синхротронного випромінювання в великому інтервалі температур 12 - 1213 К. Встановлено, що в цьому температурному діапазоні структура належить до структурного типу GdFeOj. Параметри комірки плавно та анізотропно змінюються з температурою. Термічне розширення в напрямках [100J та [010J перовськітної комірки є на ЗО % меншим порівняно з напрямком [001J. З калориметричних досліджень встановлено структурний фазовий перехід при температурі приблизно 1222 К. The structure of CeGaOj and its thermal evolution has been precisely investigated by using powder diffraction of synchrotron radiation in the wide temperature region 12-1213 K. It was established that in this temperature range structure possesses GdFeQ? structural type. Lattice parameters smoothly and anisotropically change with temperature, Thermal expansion in [100J and [010J directions of perovskite structure has been detected to be a ~ 30 % lower, in comparison to the [001J direction. The structural phase transition at temperature near 1222 K has been observed using DTA/DSC methods.
Перехідні шари в гетероструктурах на основі CdHgTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Курило, l. B.; Рудий, І. 0.; Лопатинський, І. Є.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Власенко, З. К.
Методами електронографії, растрової та трансмісійної електронної мікроскопії, електронної Оже-спектроскопії, мікромеханічних досліджень та селективного хімічного травлення досліджували початкові стадії росту та формування перехідних шарів гетероструктур на основі CdHgTe, вирощених ізотермічною парофазною епітаксією та імпульсним лазерним осадженням. By electron diffraction, scanning and transmission electron microscopy, Auger-electron apectroscopy, micromechanical investigation and preferencial etching the initial stages of growth and the formation of the transition layers in heterostructures CdHgTe were investigated. The heterostructures were grown by isothermal vapor phase epitaxy and pulsed laser deposition.
Максимально допустимі концентрації переносників NH4X (Х=Вг,С1) при вирощуванні CdxHgi-xTe методом хімічних транспортних реакцій
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ільчук, Г. А.; Українець, В. О.; Данилов, А. Б.; Українець, Н. А.; Харамбура, С. Б.
На основі результатів розрахунку рівноважного складу парової фази системи CdxHgi_xTe-Hg-NH4Br при заданих тисках Hg в інтервалі температур 560-860К і надлишкових тисків Ар = 103-=-105 Па визначені речовини, які вносять основний вклад в масоперенесення кадмію, ртуті і телуру - CdBr2, Hg, Те2. Для телурової границі області гомогенності CdxHgi_xTe складів х = 0.2; 0.3; 0.4 та відхилень від неї в бік металічної границі твердого розчину (для різних тисків ртуті в системі) визначені максимально допустимі концентрації броміду амонію, що відповідають утворенню насичених парів диброміду кадмію в системі CdxHgi_xTe -Hg-NH4Br. При проведенні процесів росту CdxHgi_xTe в системі CdJlg,_vTe —Hg-NH4C1 у досліджуваному інтервалі температур і надлишкових тисків обмеження на використовувану концентрацію переносника NH4C1 практично не існує. The substances (CdBr2, Hg, Te2) that make main contribution into mass transfer of cadmium, mercury and tellurium are determined from the results of computation of vapor phase equilibrium composition of CdxHgi-xTe-Hg-NH4Br system in temperature range 560-860 K for excess pressure Ар = 103-=-105Pa and controlled pressures of mercury. Maximum allowable concentrations of ammonium bromide that correspond to formation of saturated vapor of cadmium dibromide in the system Cd,Hg,Te-Hg-NH4Вr were determined for CdxHgbxTe (with composition x = 0.2; 0.3; 0.4) homogeneity region limit from the tellurium side and for deviation of side to metallic limit of solid solution for different pressures of mercury in the system. It was shown that in the studied temperature and excess pressure ranges there is practically no limit on NHjCl concentration in the system CdxHgbxTe-Hg- NH4Br when CdxHg,.xTe is grown.
Фотопровідність CdTe, легованого алюмінієм
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Пігур, О. М.; Цюцюра, Д. І.; Британ, В. Б.; Шуптар, Д. Д.; Крилюк, С. Г.
Проведено дослідження фотопровідності і фотолюмінесценції CdTe:Al, вирощеного методом сублімації. Проаналізовано процес рекомбінації носіїв заряду в залежності від температури. Із вимірювань фотолюмінесценції при 5 К отримано спектр домішок і дефектів за участю А1. Відмічено особливості фотопровідності CdTe:Al, пов’язані з величиною і напрямком електричного поля. The researches of photoconductivity and photoluminescence of CdTe:Al, brought up by a method of sublimation are carried out. The process of recombination of carriers of a charge in depending un temperature is analysed. A spectrum of impurity and defects with participation of A1 is received from measurements of photoluminescence at 5 K. The special features of photoconductivity of CdTe:Al, connected with size and direction of an electrical field, are marhed.
Методика вивчення просторової анізотропії акустооптичного ефекту на прикладі кристалів бета борату барію
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Андрущак, А. С.; Бобицький, Я. В.; Кайдан, M. B.; Кітик, А. В.; Тибінка, Б. В.
Запропоновано методику вивчення просторової анізотропії акустооптичних параметрів. Для ефективної пружнооптичної постійної pef та коефіцієнта акустооптичної якості М2 на прикладі кристалів Р-ВаВ2С>4 записані співвідношення та побудовані вказівні поверхні для випадку ізотропної та анізотропної дифракцій світла на поздовжній акустичній хвилі. Проаналізовано просторову анізотропію відповідного акустооптичного ефекту для кристалів Р-ВаВ2С>4. Spatial anisotropy study method for acoustooptical parameters are proposed. For effective elastooptical constants pef and figure of merit M2 for example of crystals P-BaB204 the equations were written and the indicative surfaces were constructed for case of isotropic and anisotropic diffraction of light with longitudinal acoustic wave. The spatial anisotropy analysis for such acoustooptical effect in crystals P-BaB204 was carried out.
Ефекти екранування в легованих кристалах
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Буджак, Я. С.
У роботі показано, що в сильно легованих кристалах існують ефекти екранування домішків носіями струму, які можуть енльно впливати на природу властивостей кристалів. Ці ефекти можна не враховувати в слабко легованих кристалах 3 цією метою в роботі обгрунтовані критерії слабкого та сильного легування. In a work was pointed out, that there are the screening effects of the doppants by charge carriers, which can have a great influence on the physical properties of crystals. These effects can be neglected in low dopped crystals. For that reason the criteria of low and high dopping have been grounded in this work.
Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Даньків, О. О.; Пелещак, Р. М.
У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.
Оптичні властивості ферогранатових епітаксійних структур
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Ющук, С. І.; Юр ’єв, С. О.; Бондар, В. І.; Ніколайчук, В. Й.; Харамбура, С. Б.
Досліджено оптичні спектри пропускання епітаксійних структур залізо-ітрієвого та залізо-галій-ітрієвого гранатів. Отримано залежності коефіцієнтів поглинання від довжини світлової хвилі у видимій і близькій інфрачервоній областях На основі аналізу і обробки інтерференційних картин розраховано показники заломлення ферогранатових плівок і підкладок з галій-гадолінієвого гранату в широкому інтервалі довжин хвиль та товщини плівок.
Однорідність епітаксійннх структур GaAs, вирощених методом під впливом легуючої домішки Yb
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Полигач, Є. О.; Струхляк, Н. Я.
Експериментально досліджені низькотемпературні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) епітаксійних шарів арсеніду галію, вирощених методом рідинно-фазної епітаксії (РФЕ) з розчинів-розплавів галію, легованих домішкою ітербію в діапазоні концентрацій від 1-Ю'3 до 1.2-10"2 ат. %. Показано, що характер спектрів ФЛ і якість вирощуваних структур суттєво залежать від концентрації легуючої домішки в розплаві Визначено діапазон концентрацій легуючої домішки, який дає змогу отримувати епітаксійні структури високого ступеня однорідності. Low-temperature photoluminescence (PL) spectra of GaAs epitaxial layers grown by liquid-phase epitaxy (LPE) method from gallium solution-melt doped with Yb impurity over the range of concentration from MO'3 till 1.2‘10'2 at. % are investigated. It is shown that both the characteristics of the PL spectra and quality of the grown structures are depended appreciably on concentration of the doping impurity into the solution. The range of doped impurity concentration, which enables to grow of epitaxial layers of large-scale homogeneity, is ascertained.
Перехідні характеристики джозефсонівських кріотронів під час керуванням їхнім логічним станом імпульсами струму гауссівської форми
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тиханський, М. В.; Тиханська, К. М.
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) та апроксимовані простими аналітичними функціями вольт-амперні характеристики ДТП при одноелектронному тунелюванні, проведено вдосконалення математичної моделі перехідних процесів у надшвидкодіючих елементах пам’яті - джозефсонівських кріотронах (ДК). Розраховувались перехідні характеристики кріотронів під час керування їхнім логічним станом за допомогою зовнішніх імпульсів струму гауссівської форми. Проведено моделювання перехідних процесів та отримано перехідні характеристики для логічних переходів “0” ^ “1” та “1” ^ “0”. Досліджено як впливають на перехідні характеристики кріотронів амплітуда імпульсів, середня тривалість імпульсів та момент подачі імпульсів при зворотних логічних переходах “1” ^ “0”. In the paper a mathematical model of transitional processes in extra-quick memory cells-josephson criotrons (JC) - was improved using josephson tunneling junction (JTJ) equivalent scheme and I-V characteristics of JTJ approximated by simple analytical functions in the case of one-electron tunneling. For criotrons’ logical state control by external Gauss- form current impulses their transitional characteristics were calculated. We carried out the simulating of transitional processes and obtained transitional characteristics for logical transitions “0” ^ “1” and “1” ^ “0”. The influence of impulses’ amplitude, impulses’ mean duration and the moment of impulses’ supply in the case of reverse logical transitions “1” ^ “0” on transitional characteristics was investigated.
Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Дружинін, А. О.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Матвієнко, С. М.
У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.
Кристалічна структура твердого розчину Y3.xYbxAl5012
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Мартинюк, Н. В.; Васичечко, Л. О.; Фадеев, С. В.; Матковсъкий, А. О.; Петерман, К.
Методом рентгенівської порошкової дифракції досліджено кристалічну структуру твердого розчину Y3.xYbxAl5Oi2 (х = 0,6; 1,2; 1,8; 2,4; 3) при кімнатній температурі. Встановлено, що досліджені кристали мають кубічну структуру типу гранату (просторова група ІаЗсІ). Зменшення середнього іонного радіуса катіонів РЗЕ внаслідок ізовалентного заміщення Y3+ - Yb3+ зумовлює закономірне зменшення об'єму елемен¬тарної комірки, який спадає лінійно, згідно з правилом Вегарда. Для всіх зразків твердого розчину уточнено періоди елементарної комірки, координати атомів та константи теплових коливань. Crystal structure of Y3.xYbxAl5Oi2 (x = 0,6; 1,2; 1,8; 2,4; 3) solid solution has been studied by means of X-ray powder diffraction technique. It was found, that the investigated crystals belong to the cubic garnet structure (space group ІаЗсІ). Decreasing of the average ionic radii of RE-cations resulting from the iso valent substitution Y3+ - Yb3+ leads to the reduction of the cell volume, which falls linearly according to the Vegard’s law. The lattice parameters, atomic coordinates as well as equivalent isotropic displacement parameters of the atoms were refined for each composition of the solid solution.
Багатоелементні інфрачервоні фотоприймачі на основі епітаксійних гетероструктур P-Pb/xSnxTe/ySey/J-Pb0,8oSn0,2oTe
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Царенко, О. М.; Рябець, С. І.; Ткачук, А. І.
Методами рідинної епітаксії та вакуумного напилення сформовані багато¬елементні фотоприймачі Pb/8-uiap/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pbo,8oSn0,юТе/Au на основі епітаксійних шарів (0,09<х<0,18 (ат. д.), 0,02<у<0,06 (ат. д.); р=(2,1^7,5)х1017 см'3, |н=(0,9^6,3)х103 CM^B'V'1). Одержаний Pb/8-map/p-Pb0,82Sn0,i8Teo,98Seo,o2/p+- Pb0,8oSn0,2oTe/Au 2х20-елементний фотоприймач при 170 К, Ар~8 мкм і Ас~8,3 мкм мав RoA=0,31-0,97 Ом-см2, Пх=0,32-0,51 TaDx*=(0,70-l,83)xl010 смГц,2Вт’. The Pb/§-layer/p-Pbi.xSnxTei.ySey/p+-Pb0.8oSn0.2oTe/Au linear photovoltaic infrared sensor arrays have been formed on the basis of high-quality epitaxial layers (0.09
Пориста структура, розмірні ефекти та асиметрія катодно-анодної поляризації вуглецевих матеріалів у конденсаторах з подвійним електричним шаром
(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Венгрин, Б. Я.; Бахматюк, Б. П.
Досліджено вуглецеві матеріали для електродів конденсаторів з подвійним електричним шаром. Показано, що подрібнення активаційно-карбонізованого вуглецевого матеріалу синтетичного походження погіршує його пористу структуру і знижує ємнісні показники. З’ясовано, що вплив розмірів зарядонакопичувальних часток на ємність та її частотну залежність має немонотонний характер. Виявлено, що зменшення енергії сольватації катіонів та аніонів сприяє симетризації анодно-катодної поляризації та може призводити до процесів з частковим перенесенням заряду на межі розділу активованого вугілля з електролітом. The carbon materials for electrodes of the electric double-layer capacitors have been investigated. It has been shown, that crushing the activation-saturated of a synthetic origin carbon material worsens its porous structure and reduces capacitor parameters. It is found out, that influence of the sizes of charge-storage particles on capacity and its frequency dependence has nonmonotonic character. The reduction of cations and anions solvatation energy promotes of symmetrization of anode-cathodic polarization have been revealed and can involve to processes with partial transferring a charge on boundary of the division of the activated carbon with electrolit.