Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38591

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Національного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща та Словаччини. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 151 с. : іл.

Browse

Filters

20012

Settings

Author: search.filters.author.Буджак, Я. С.

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Елементи теорії резистивних напівпровідникових сенсорів температури
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.; Готра, 0. 3.
    3а допомогою сучасної кінетичної теорії з’ясовано природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. In this paper the nature of important parameters of semiconductor thermoresistors is cleared up by modern kinetics theory.
  • Thumbnail Image
    Item
    До питання про новий метод в теорії кінетичних властивостей кристалів
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001) Буджак, Я. С.
    Актуальні кристали твердотілої електроніки характеризуються різноманітними кінетичними властивостями. Частина цих властивостей в омічній області провідності обумовлюється рівноважною концентрацією носіїв зарядів n0 та характером їх руху між вузлами кристалічної гратки, а інші - нерівноважною концентрацією. Пропонується метод загальної теорії всіх кінетичних властивостей кристалів. Actual crystals of solid-state electronics posses various kinetic properties. Some of them in the ohmic-conduction region are defined by the equilibrium carrier concentration n0 and nature of their movement between the nodes of crystalline lattice. Another properties depend on the non-equilibrium carrier concentration. The method of the general theory of all the kinetic properties of the crystals is proposed.