Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2002. – №454

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45251

Вісник Національного університету «Львівська політехніка»

У Віснику опубліковано результата науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів інституту телекомунікації, радіоелектроніки та електронної техніки Національного університету «Львівська політехніка», науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів та провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелекгроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2002. – № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 80 с. : іл.

Вісник Національного університету “Львівська політехніка”

Зміст


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Content


1
3
7
11
15
19
24
28
37
42
47
53
59
63
71
75
79

Browse

Search Results

Now showing 1 - 2 of 2
  • Thumbnail Image
    Item
    Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”
    Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.
  • Thumbnail Image
    Item
    Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”
    (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.; Національний університет “Львівська політехніка”
    Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.