Електроніка. – 2009. – №646

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2525

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – № 646 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 228 с. : іл.

Browse

Now showing 1 - 20 of 32

Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.
Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції. The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.
Стабілізація параметрів МОН-структур при гетеруванні дефектів кремнієвої підкладки цинком
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Логуш, О. І.; Павлиш, В. А.
Наведено результати експериментальних досліджень впливу гетерування цинком на суцільність плівок SiO2. Показано, що введення цинку в парогазове середовище за термічного окислення кремнію приводить до покращання суцільності плівок. Експериментально підтверджена модель процесу гетерування тримірних дефектів плівок термічного діоксиду кремнію, яка полягає у зниженні рухливості дислокацій приповерхневої області кремнієвих пластин і зменшення внаслідок цього локальних напружень плівок в процесі росту. The results of experimental investigations of zinc gettering influence on uniformity of SiO2 films and parameters of MOS-structures as a whole are shown. It was demonstrated that adding of zinc into vapor during silicon thermal oxidation results in improvement of films uniformity. The model of gettering process of 3D-defects in thermal silicon dioxide films, which consists in decreasing of dislocation mobility in silicon wafer surface region thus leading to decreasing of local film stresses during growth process, is experimentally approved.
„PRE”-„POST” спряжена модифікація пористої і електронної будови активованого вугілля, отриманого з лляного волокна
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Каліцінський, В. З.; Григорчак, І. І.; Бордун, І. М.; Матулка, Д. В.; Чекайло, М.; Кулик, Ю. О.
Розглянуто двоєдину задачу, пов’язану зі спряженням пористої структури вуглецевих матеріалів з їх електронною будовою задля досягнення максимальної ефективності роботи подвійного електричного шару. Досліджено вплив параметрів карбонізації на ємнісні характеристики активованого вугілля. Вихідним матеріалом для отримання активованого вугілля були волокна льону. Запропоновано технології інтеркаляційної модифікації вихідного матеріалу та хімічної модифікації активованого вугілля, які підвищують ефективність роботи подвійного електричного шару. The double task which is related with coupling a pore structure of carbon materials with its electron structure for receiving maximum efficiency of work of double electric layer (DEL) is considered. The influence of parameters of carbonization process on capacitive characteristics of activated carbon is examined. Fiber flax were used as precursor for production an аctivated carbon. The technology of intercalation modification of precursor and chemical modification of activated carbon, which enlarge the efficiency of double electric layer, are submitted.
Диференціальний термічний аналіз шихти Si–Se, Ag-Si–Se в процесі її нагрівання та синтезу сполук SiSe2, Ag8SiSe6
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Чекайло, М. В.; Українець, В. О.; Ільчук, Г. А.; Павловський, Ю. П.
З використанням методу диференціального термічного аналізу (ДТА) вперше комплексно досліджено процеси фазових перетворень (ФП) та перебігу хімічних реакцій, що супроводжують нагрівання шихти Ag-Si-Se та Si-Se у стехіометричних співвідношеннях, що відповідають сполукам аргіродиту (Ag8SiSe6) та SiSe2. Ідентифіковано основні типи ФП і хімічних реакцій утворення сполук Ag8SiSe6, SiSe2 та визначено їхні характерні теплоти і температурні діапазони перебігу реакцій. Дослідженням ДТА під час охолодженя експериментально продемонстровано утворення сполуки Ag8SiSe6. With a help of method of differential thermal analysis (DTA), processes of phase transformations (PT) and the course of the chemical reactions which accompany the heating of Si-Se and Ag-Si-Se charge materials have been for the first time in complex way investigated in the stoichiometric proportions which correspond to the compounds of argyrodite (Ag8SiSe6) and SiSe2. Main types of PT and the chemical reactions of the formation of Ag8SiSe6, SiSe2 compounds are identified; their characteristic heats and temperature ranges of reactions proceeding are determined. By mean of DTA under cooling, formation of Ag8SiSe6 compound has been experimentally demonstrated.
Сенсорні пристрої магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Большакова, І. А.; Голяка, Р. Л.; Мороз, А. П.; Єрашок, В. Е.; Марусенкова, Т. А.
Наведено принципи побудови сенсорних пристроїв магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою. Показано, що шляхом відповідної конструктивної модифікації сенсорів Холла з розщепленою структурою вдається отримати нові функціональні можливості, зокрема, щодо підвищення просторової роздільної здатності та інтегрування декількох сенсорів в дво- та тривимірні структури. The work is dealing with questions of new magnetic field sensor devices developing on the splitted structure base. It has been shown that by special structure modification of Hall sensors with splitted structure it is possible to achieve new functional abilities, in particular, concerning an improvement of space resolution and the sensors integration into two- and three dimensions structure.
Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.
Взаємодія рідкісноземельних алюмінатів в системах на основі PrAlO3 та LaAlO3
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Басюк, Т. В.; Василечко, Л. О.; Сиворотка, І. І.; Березовець, В.; Фадєєв, С. В.
Комбінованим методом твердофазного синтезу на повітрі та дугової плавки в атмосфері Аргону виготовлено серію зразків складних оксидів Pr1-xRxAlO3 і La1-xRxAlO3 (R – рідкісноземельний елемент). Методами порошкової дифракції рентгенівського випромінювання та термічного аналізу досліджено кристалічну структуру, термічне розширення та фазові перетворення твердих розчинів Pr1-xRxAlO3 і La1-xRxAlO3 в широкому температурному діапазоні. Побудовано діаграми станів деяких псевдоподвійних систем PrAlO3-RAlO3 та LaAlO3-RAlO3. Series of Pr1-xRxAlO3 and La1-xRxAlO3 (R – rare earth element) specimens were prepared by a combination of solid-state reaction in air and arc-melting in Ar atmosphere. Crystal structure, thermal expansion and phase transformation of Pr1-xRxAlO3 and La1-xRxAlO3 solid solution have been investigated by means of X-ray powder diffraction technique and thermal analysis in wide temperature range. The phase diagrams of some PrAlO3-RAlO3 and LaAlO3-RAlO3 pseudo-binary systems have been constructed.
Розподіл поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ничай, І. В.
Для дослідження особливостей формування поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності наведено математичну модель у вигляді гіллястого ланцюгового дробу. Представлено результати просторового розподілу поля над структурою для різних значень її конструктивних параметрів та параметрів функції, яка описує її діелектричну проникність. In given paper the mathematical model in form of branched continual fraction for research of features of forming of the field of periodically nonuniform dielectric plate with complex profile of dielectric permittivity change is considered. The numerical results of spatial distribution of the field for the different parameters of function that discribe dielectric permittivity of plate are represented.
Мультиструктура для фронтальної поверхні сонячних елементів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Єрохов, В. Ю.
Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання було створено шляхом переформатування технологічного процесу, об’єднуючи електрохімічні і хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення порівняно із стандартними сонячними елементами. For the sun energy photoelectric converter (PEC) the reflection optical system of frontal side is developed in the type of multifunction multitexture on the basis of porous silicon (PS). Multitexture with the low integral coefficient of reflection it was created by re-formatting of technological process, uniting the electrochemical and chemical methods of PS. PEC, made with the use of the PS multitexture, showed an increase efficiency of converter comparatively with standard solar cells.
Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.
Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.
Принципи електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Павлов, С. В.; Куленко, С. С.
Робота скерованана на розширення можливостей традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP розробленням моделей та принципів електротепловогo моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого електротеплового моделювання характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи електротеплового моделювання продемонстровані на прикладах дослідження вольт-амперних характеристик терморезисторів, діодів та транзисторів під час їхнього динамічного саморозігріву. The work is directed on performance widening of сommon used PSpiсe and MicroCAP software packets by models and principles developing of electronic circuit’s electro-heat modeling with elements dynamic self heating under supply current. Tasks of such electro-heat modeling are typical ones for power electronic devices, thermostats, thermo-anemometric flow sensors etc. Proposed principles of electro-heat modeling are demonstrated on thermo-resistors’, diodes’ and transistors’ current-voltage characteristics investigation on their dynamic self heating.
Хімічний потенціал як важлива характеристика в аналізах кінетичних властивостей кристалів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Буджак, Я. С.; Зуб, О. В.
Представлено аналітичну формулу залежності хімічного потенціалу від концентрацій донорної і акцепторної домішок та енергії іонізації донора, яка справедлива в області слабкого виродження носіїв заряду. Запропоновано метод визначення концентрацій донорної і акцепторної домішок та енергії іонізації донора з експериментальних температурних залежностей коефіцієнта термо-ЕРС. The analytical formula of chemical potential dependence from donor and acceptor concentrations and donor ionization energy is presented. This formula is valid in the region of weak charge carrier degeneration. The method of determination of donor and acceptor concentrations and donor ionization energy from experimental temperature dependences of thermo –e.m.f. coefficient is proposed.
Вплив концентрації іонів марганцю на люмінесцентні властивості кристалів YAlO3:MN
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Жидачевський, Я. А.
Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%. The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.
Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Малик, О. П.
Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.
Питомі втрати потужності газового розряду та ефективність збудження ексиплексних молекул суміші Ar-Kr-Xe-Cl2
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Чигінь, В.; Горун, П.
Проведено чисельне моделювання розряду у чотирикомпонентній газовій суміші Ar-Kr-Xe-Cl2, ексиплексні молекули якої є джерелом УФ-ВУФ випромінення смуг 175 нм ArCl(B-X), 222 нм KrCl(B-X), 236 нм XeCl(D-X), і 308 нм XeCl(B-X). Для оптимізації роботи джерела і отримання приблизно однакової яскравості смуг випромінення обчислені питомі втрати потужності розряду порівнюються з інтенсивністю свічення ексиплексно-галогенної лампи. Specific losses of gas discharge power and efficiency of exciplex molecules excitation in mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, by Chyhin Vasyl, Horun Pavlo. The numerical modelling of discharge in four-component gas mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, exciplex molecules of which are the source of UF-VUF radiation bands of 175 nm of ArCl(B-X), 222 nm of KrCl(B-X), 236 nm of XeCl(D-X), and 308 nm of XeCl(B-X), is conducted. For optimization of the source and to receive an approximately equal brightness of bands of radiation the specific losses of discharge power are calculated and compared with the radiation of exciplex-halogen lamp.
Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.
Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.
Інтерферометрична установка для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин в діапазонах мм-субм довжин хвиль. Апробація на прикладі оптичного скла і кристалів кварцу, сапфіру та евлітину
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Андрущак, Н. A.; Сиротинський, О. І.
На основі запатентованого нами інтерферометрично-поворотного методу був створений та описаний принцип роботи експериментальної установки для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин із ізотропних чи анізотропних матеріалів в діапазонах міліметрових-субміліметрових (мм-субмм) довжин хвиль. Проаналізовано процес вимірювання зсуву інтерференційної картини на основі розробленого програмного забезпечення, наведено необхідні робочі співвідношення та оцінено експериментальну похибку визначення показника заломлення. Апробацію роботи установки на частоті джерела випромінювання f=33ГГц та відповідний розрахунок значень показників заломлення було здійснено на прикладі плоскопаралельних зразків із оптичного скла (n=1.53), кристалів кварцу (n=2.12), сапфіру (n=3.18) та евлітину (n=2.02). Based on patented by us interferometer-turning method the experimental set-up for refractive index measurement of parallel plates from isotropic and anisotropic materials in ranges millimeter-submillimeter (mm-submm) wave length have been created and described. The process of interference fringe shift measurement that based on created software has been analyzed, necessary working correlations have been given and experimental accuracy of refractive indexes measurement has been appraised. The set-up approbation for electromagnetic source f=33GGz frequency and necessary calculation of refractive indexes for parallel plate samples of optical glass (n=1.53) and crystaline quarts (n=2.12), sapphire (n=3.18) and evlitine (n=2.02) have been done.
Фототепловий метод визначення параметрів тонких плівок
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Демкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Бобицький, Я. В.
Розроблено фототепловий метод контролю параметрів тонкоплівкових покриттів, зокрема, поглинання, температуропровідності, товщини. Для реалізації методу розроблено математичну модель та програмне забезпечення, що дає змогу числовими методами розрахувати просторово-часовий розподіл температурних змін на поверхні досліджуваного зразка типу “підкладка-плівка” за опромінення його лазерним пучком з заданими енергетичними та просторово-часовими характеристиками. Проведено теоретичнi дослідження, що дасть змогу встановити залежність теплового відгуку на поверхні зразка від параметрів покриття під час використання імпульсного збуджувального випромінювання. The photothermal method of control of the thin-film coating parameters (absorption, thermal conductivity, thicknesses) is developed. The mathematical model and the developed software allow to determinate the spatial-temporal distribution of temperature changes on the surface of the investigated “substrate-film” sample caused by laser irradiation under given parameters of the laser beam.The theoretical investigations allow to determine the dependence of the thermal response on the surface of the sample from the parameters of coatings under heating by continuous and pulse exciting radiation.
Топологія напруженості високочастотного поля котушки давача радіоспектрометра
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Браїловський, В. В.; Саміла, А. П.; Хандожко, О. Г.
Досліджено топологію напруженості високочастотного поля котушок різної форми давача радіоспектрометра ЯМР і ЯКР. Найбільша область однорідного поля спостерігається в котушках із змінним кроком намотування витків. Розбіжність профілів залежності інтенсивності ЕПР і напруженості високочастотного поля В1 пояснюється впливом крайового розсіювання напруженості поля на потокозчеплення магнітного поля котушки зі спіновою системою випробувального зразка ДФПГ. Topology of high-frequency field strength of various-shaped coils of NMR and NQR microwave spectrometer sensor is investigated. The largest area of homogeneous field is observed in the coils with variable winding pitch. The discrepancy in dependence profiles of EPR intensity and high-frequency field strength B1 is attributable to the effect of edge scattering of field strength on the flux linkage of coil magnetic field with the spin system of DPPH sample under test.
Тонкоплівкові термоелектричні модулі на основі вузькощілинних напівпровідників V2VI3
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Курило, І. В.; Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Фружинський, М. С.; Вірт, І. С.; Шкумбатюк, Т. П.
Тонкі плівки Bi2Te3, Sb2Te3 та гетероструктури Bi2Te3 / Sb2Te3 змінної товщини отримано за допомогою імпульсного лазерного осадження. Плівки осаджували на підкладки Al2O3 та KCl у вакуумі 1×10-5 мм рт. ст. за температур 453–523 K. Товщина плівок становила 0.5–1 мкм. Структуру отриманих плівок досліджено за допомогою методу дифракції електронів високої енергії на просвіт. Питомий опір плівок різної товщини вимірювали в температурному інтервалі 77–300 K. Теплопровідність тонких плівок вимірювали за допомогою 3-ω методу. Наведено характеристики створеного термогенератора на основі термоелектричного модуля. Thin films Bi2Te3, Sb2Te3 and heterostructures Bi2Te3 / Sb2Te3 of different thickness have been prepared on Al2O3 and KCl substrate in vacuum of 1×10-5. Torr by pulsed laser deposition. Samples were obtained when the substrate temperature was 453–523 K. A thickness of films obtained in the range of 0.5–1 μm, depending on a number of shots. The structure of laser deposited films was investigated by transmission high-energy electron diffraction method. Electrical resistivity was measured in the temperature range 77–300 K. The thermal conductivity of thin films was obtained by employing the 3-ω method. The present work reports the fabrication and characterization of a thermogenerator based on the principles of thermoelectric module.