Електроніка. – 2009. – №646
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.
Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – № 646 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 228 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Модель інфрачервоних тонкоплівкових фільтрів на основі інтерференційного дзеркала(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Яремчук, І. Я.; Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Запропоновано нову структуру інфрачервоних смугових інтерференційних фільтрів та наведено алгоритм їх аналізу. Аналітично отримані співвідношення, які пов'язують показники заломлення усіх шарів у фільтрах типу “шар з високим показником заломлення - інтерференційне дзеркало – шар з високим показником заломлення”. За допомогою отриманих залежностей визначено такі параметри, як товщина та показник заломлення шарів з високим показником заломлення, що обмежують інтерференційне дзеркало. Design the new structure of interference band-pass infrared filter and new algorithm analysis is proposed.The analytic expressions for the analysis structure “layer with the high refractive іndex – interference mirror – layer with the high refractive index” are obtained. The refractive indices optimal and thicknesses of individual layers that limited interference mirror are obtained.Item Характеристики ефективності магнітооптичної візуалізації просторових неоднорідностей магнітного поля методом індикаторної плівки(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Убізський, С. Б.; Павлик, Л. П.; Сиворотка, І. І.У роботі з точки зору перехідної характеристики перетворення проаналізована ефективність магнітооптичної візуалізації (МОВ) просторово-неоднорідних магнітних полів розсіяння методом індикаторної плівки з площинною намагніченістю, зокрема чутливість, лінійність перетворення, польова та просторова роздільна здатність. Розглядаються два режими реалізації МОВ –традиційний режим максимального оптичного контрасту та режим максимальної чутливості. Показано, що саме другий режим разом з вторинним обробленням отриманих зображень доцільно використовувати з погляду отримання кількісної інформації про параметри розподілу магнітних неоднорідностей на поверхні об’єкта дослідження. The performance of the magneto-optic visualization (MOV) spatially irregular magnetic leakage fields by means of indicator film with in-plane magnetization is analyzed on the base of transducer characteristic, namely sensitivity, transducing linearity, field and spatial resolution. Two MOV modes are considered: the traditional one of maximum optical contrast and the maximum sensitivity one. It is shown that exactly the second mode accompanied with the secondary image processing is purposeful to use for quantitative information obtaining about the distribution parameters of magnetic irregularities on the inspection subject surface.Item Класифікація подвійних перестановок як представлення фейнманових діаграм для електрон-фононної взаємодії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Товстюк, К. К.Проаналізовано подвійні перестановки для функції Гріна електронів за електрон-фононної взаємодії, що описується гамільтоніаном Фреліха. Подвійні перестановки і діаграми Фейнмана відповідають однаковим аналітичним виразам. Проведена у роботі класифікація та доведені теореми дають змогу ідентифікувати клас подвійних перестановок, які відповідають незв’язаним та звідним діаграмам Фейнмана, а також таким діаграмам, які містять функції Гріна фононів, і виділити клас подвійних перестановок, які відповідають масовому оператору за Т=0. Запропонований метод дасть змогу аналізувати потрібну фізичну величину (масовий оператор, поляризаційний оператор, густину часток) у високих порядках теорії збурення. The analysis of double permutations for electron Green function in electron – phonon interaction, represented by Frelich Hamiltonian is carried out in this work. Double permutations (DPs) and corresponded Feynman diagrams define the same analytical expressions. The classification, carried out іn this work, allows to identify the class of DPs, corresponded to disconnected and improper Feymnan diagrams, to diagrams including phonon Green functions and to separate the class of DPs corresponding to mass operator at T=0. This method allows to analyze the requited physical magnitude (mass operator, polarization, density of particles) in high orders of perturbation theory.Item Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.Item Формування буферних шарів GaAs для нарощування квантових точок методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії.(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Михащук, Ю. С.Розроблено і реалізовано технологічні режими нарощування буферних шарів GaAs з перенасичених галієвих розчинів-розплавів, які забезпечують формування робочої поверхні вищої якості стосовно якості поверхні вихідної підкладки. Досліджено поведінку буферних шарів GaAs у контакті з насиченими розчинами-розплавами In-InAs за температури 450 оС. Показано, що за тривалості такого контакту щонайменше дві хвилини перехідні шари з вмістом індію на поверхні підкладки GaAs не утворюються. Technological conditions for growing of GaAs buffer layers from oversaturated melt-solution are elaborated and realized. The conditions enable to form resulting surface that has higher quality than quality of initial substrate surface. A behavior of GaAs buffer layers being in contact with saturated melt-solution. In-InAs at temperature 450 o C is investigated. It is shown that there are no transition layers containing Indium on the surface of GaAs substrate if duration of contact is no more than two minutes.Item Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.Item Розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі кристалічних дефектів у твердому розчині ZnxCd1-xTe (0.16 ≤ x ≤ 0.9)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Малик, О. П.Розглянуто процеси розсіяння носія заряду на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.9). Розраховано температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 50–300K. The processes of the charge carrier scattering on the short-range potential caused by interaction with polar and nonpolar optical phonons, piezoelectric and acoustic phonons, static strain, neutral and ionized impurities in ZnxCd1-xTe (0.16 £ x £ 0.8) are considered. The temperature dependences of the heavy-hole mobility in temperature range 50–300 K are calculated.Item Вплив концентрації іонів марганцю на люмінесцентні властивості кристалів YAlO3:MN(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Жидачевський, Я. А.Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%. The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.Item Оптимізація параметрів сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Татарин, В. Я.; Петровська, Г. А.Розглянуто вплив характеристик АЦП на чутливість сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу. Аналітично розраховано похибку вимірювань, зумовлену обмеженою частотою дискретизації та скінченним кроком квантування вихідного сигналу. Це дає змогу визначити максимально допустимі значення коефіцієнтів відбивання дзеркал інтерферометра для вибраної частоти розгортки, щo забезпечує як адекватне аналогово-цифрове перетворення вихідного сигналу, так і максимальне співвідношення сигнал-шум на вході аналогово-цифрового перетворювача. It is considered an influence of ADC characteristics on the sensitiveness of scanning Fabri-Perot interferometr with digital signal procceding. An error of measurings is analytically calculated taking into consideration the limited frequency of discretisation and the step of quantum of initial signal. It allows to find the maximally possible values of reflectivities of mirrors of interferometer at the set frequency of involute, which provides both adequate analog digital transformation of initial signal and maximal correlation signal to noise on the ADC input.Item Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції. The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.Item Оптоелектронний контроль фотоферезу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дідич, І. Р.; Зазуляк, А. М.; Кожухар, О. Т.; Скіра, М. С.За експериментально виявленими змінами оптичних показників крові після її опромінення лікувальним фотоферезом запропоновано його контроль на основі двох оптоелектронних елементів із різнокольоровими світлодіодами та спільним фотоприймачем, розташованими на вході і виході апарата фотофереза. Якщо різниця між фотострумами елементів відповідає виявленим змінам, фотоферез є успішним. After experimentally found out the changes of optical indexes of blood after its irradiation medical photospheres his control is offered on the basis of two optronic elements with varicolored light-emitting diodes and general photoresiver, located on an entrance and output of vehicle of photoresiver. If a difference between the photoelectrics of elements answers found out changes, photospheres is successful.Item Фототепловий метод визначення параметрів тонких плівок(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Демкович, І. В.; Петровська, Г. А.; Бобицький, Я. В.Розроблено фототепловий метод контролю параметрів тонкоплівкових покриттів, зокрема, поглинання, температуропровідності, товщини. Для реалізації методу розроблено математичну модель та програмне забезпечення, що дає змогу числовими методами розрахувати просторово-часовий розподіл температурних змін на поверхні досліджуваного зразка типу “підкладка-плівка” за опромінення його лазерним пучком з заданими енергетичними та просторово-часовими характеристиками. Проведено теоретичнi дослідження, що дасть змогу встановити залежність теплового відгуку на поверхні зразка від параметрів покриття під час використання імпульсного збуджувального випромінювання. The photothermal method of control of the thin-film coating parameters (absorption, thermal conductivity, thicknesses) is developed. The mathematical model and the developed software allow to determinate the spatial-temporal distribution of temperature changes on the surface of the investigated “substrate-film” sample caused by laser irradiation under given parameters of the laser beam.The theoretical investigations allow to determine the dependence of the thermal response on the surface of the sample from the parameters of coatings under heating by continuous and pulse exciting radiation.Item Метод та пристрій для здійснення амплітудної модуляції багатьох складових(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Горбатий, І. В.Розглянуто сучасні різновиди амплітудно-фазової модуляції та їх особливості. Наведено сигнальні сузір’я найуживаніших різновидів амплітудно-фазової модуляції. Запропоновано метод та пристрій для здійснення різновиду амплітудно-фазової модуляції – амплітудної модуляції багатьох складових. Показано ефективність використання такої модуляції порівняно із квадратурною амплітудною модуляцією. The modern varieties of amplitude phase modulation and their feature was consider. The signal constellations of the most common varieties of amplitude phase modulation was lead. The method and device for realization of variety of amplitude phase modulation – the amplitude modulation of many components was offered. The efficiency of use of such modulation by comparison to the quadrature amplitude modulation was shown.Item Інтерферометрична установка для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин в діапазонах мм-субм довжин хвиль. Апробація на прикладі оптичного скла і кристалів кварцу, сапфіру та евлітину(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Андрущак, Н. A.; Сиротинський, О. І.На основі запатентованого нами інтерферометрично-поворотного методу був створений та описаний принцип роботи експериментальної установки для визначення показника заломлення плоскопаралельних пластин із ізотропних чи анізотропних матеріалів в діапазонах міліметрових-субміліметрових (мм-субмм) довжин хвиль. Проаналізовано процес вимірювання зсуву інтерференційної картини на основі розробленого програмного забезпечення, наведено необхідні робочі співвідношення та оцінено експериментальну похибку визначення показника заломлення. Апробацію роботи установки на частоті джерела випромінювання f=33ГГц та відповідний розрахунок значень показників заломлення було здійснено на прикладі плоскопаралельних зразків із оптичного скла (n=1.53), кристалів кварцу (n=2.12), сапфіру (n=3.18) та евлітину (n=2.02). Based on patented by us interferometer-turning method the experimental set-up for refractive index measurement of parallel plates from isotropic and anisotropic materials in ranges millimeter-submillimeter (mm-submm) wave length have been created and described. The process of interference fringe shift measurement that based on created software has been analyzed, necessary working correlations have been given and experimental accuracy of refractive indexes measurement has been appraised. The set-up approbation for electromagnetic source f=33GGz frequency and necessary calculation of refractive indexes for parallel plate samples of optical glass (n=1.53) and crystaline quarts (n=2.12), sapphire (n=3.18) and evlitine (n=2.02) have been done.Item Питомі втрати потужності газового розряду та ефективність збудження ексиплексних молекул суміші Ar-Kr-Xe-Cl2(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Чигінь, В.; Горун, П.Проведено чисельне моделювання розряду у чотирикомпонентній газовій суміші Ar-Kr-Xe-Cl2, ексиплексні молекули якої є джерелом УФ-ВУФ випромінення смуг 175 нм ArCl(B-X), 222 нм KrCl(B-X), 236 нм XeCl(D-X), і 308 нм XeCl(B-X). Для оптимізації роботи джерела і отримання приблизно однакової яскравості смуг випромінення обчислені питомі втрати потужності розряду порівнюються з інтенсивністю свічення ексиплексно-галогенної лампи. Specific losses of gas discharge power and efficiency of exciplex molecules excitation in mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, by Chyhin Vasyl, Horun Pavlo. The numerical modelling of discharge in four-component gas mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, exciplex molecules of which are the source of UF-VUF radiation bands of 175 nm of ArCl(B-X), 222 nm of KrCl(B-X), 236 nm of XeCl(D-X), and 308 nm of XeCl(B-X), is conducted. For optimization of the source and to receive an approximately equal brightness of bands of radiation the specific losses of discharge power are calculated and compared with the radiation of exciplex-halogen lamp.Item Просторовий розподіл електроіндукованих змін оптичного шляху в кристалах LiNbO3:MgO(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Юркевич, О. В.; Сольський, І. М.; Андрущак, А. С.Для кристалів LiNbO3:MgO, що належать до класу симетрії 3m, вперше побудовані вказівні поверхні електроіндукованої зміни оптичного шляху та їх стереографічні проекції. Визначено екстремальні значення для кожної поверхні та проведено порівняльний аналіз із вказівними поверхнями електрооптичного ефекту, що описують електроіндуковану зміну показника заломлення. At first for the crystals of LiNbO3:MgO, which belong to 3m symmetry class, the indicative surfaces and their stereographic projections for electro-induced change of optical path length were built. Extreme values for every surface were determined and the comparative analysis with the indicative surfaces of electro-optical effect, which describe the electro-induced change of refractive index, was carried out.Item Мультиструктура для фронтальної поверхні сонячних елементів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Єрохов, В. Ю.Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання було створено шляхом переформатування технологічного процесу, об’єднуючи електрохімічні і хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення порівняно із стандартними сонячними елементами. For the sun energy photoelectric converter (PEC) the reflection optical system of frontal side is developed in the type of multifunction multitexture on the basis of porous silicon (PS). Multitexture with the low integral coefficient of reflection it was created by re-formatting of technological process, uniting the electrochemical and chemical methods of PS. PEC, made with the use of the PS multitexture, showed an increase efficiency of converter comparatively with standard solar cells.Item Принципи електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Павлов, С. В.; Куленко, С. С.Робота скерованана на розширення можливостей традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP розробленням моделей та принципів електротепловогo моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого електротеплового моделювання характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи електротеплового моделювання продемонстровані на прикладах дослідження вольт-амперних характеристик терморезисторів, діодів та транзисторів під час їхнього динамічного саморозігріву. The work is directed on performance widening of сommon used PSpiсe and MicroCAP software packets by models and principles developing of electronic circuit’s electro-heat modeling with elements dynamic self heating under supply current. Tasks of such electro-heat modeling are typical ones for power electronic devices, thermostats, thermo-anemometric flow sensors etc. Proposed principles of electro-heat modeling are demonstrated on thermo-resistors’, diodes’ and transistors’ current-voltage characteristics investigation on their dynamic self heating.Item Розподіл поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Гоблик, В. В.; Павлиш, В. А.; Ничай, І. В.Для дослідження особливостей формування поля діелектричної пластини зі складним профілем зміни діелектричної проникності наведено математичну модель у вигляді гіллястого ланцюгового дробу. Представлено результати просторового розподілу поля над структурою для різних значень її конструктивних параметрів та параметрів функції, яка описує її діелектричну проникність. In given paper the mathematical model in form of branched continual fraction for research of features of forming of the field of periodically nonuniform dielectric plate with complex profile of dielectric permittivity change is considered. The numerical results of spatial distribution of the field for the different parameters of function that discribe dielectric permittivity of plate are represented.Item Роль поверхні у процесі перезарядження Yb2+ ® Yb3+ у монокристалічних епітаксійних шарах Yb:Y3Al5O12(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Мартинюк, Н. В.; Бурий, О. А.; Убізський, С. Б.; Сиворотка, І. І.; Бьоргер, А.; Беккер, К. Д.Методами високотемпературної in-situ спектроскопії досліджено процеси перезарядження йонів Yb2+ Æ Yb3+ під час високотемпературного відпалу в окиснювальній атмосфері в епітаксійних плівках Yb:Y3Al5O12. Встановлено якісні відмінності у перебігу процесів перезарядження в епітаксійних плівках та об’ємних кристалах Yb:Y3Al5O12, зокрема у формі кінетичних залежностей, що їх описують, та тривалості процесу, і показано, що вони пов’язані з відмінностями у швидкості реакції на поверхні зразка та визначаються структурою приповерхневого шару. Встановлено, що швидкість перезарядження у зразках з порушеннями структури поверхні, викликаними механічним шліфуванням та поліруванням, є набагато більшою, ніж в епітаксійних плівках з атомно-гладкою поверхнею. The recharge process Yb2+ Æ Yb3+ in Yb:YAG epitaxial films under thermo-chemical treatment in oxidizing atmosphere was studied by means of in-situ high temperature spectroscopy. It was revealed that course of Yb2+ Æ Yb3+ recharge process in films differs from that in bulk crystals, particularly, in the form of recharge kinetics and its rate. These differences were shown to be related with differences in the reaction rate on the sample surface and determined by structural perfection of the sample surface. The rate of Yb2 Æ Yb3+ recharge process was found to be much higher in samples with damaged surface structure caused by mechanical polishing than in epitaxial films with atomically smooth surface.