Електроніка. – 2009. – №646

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2525

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету «Львівська політехніка» : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет «Львівська політехніка» – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – № 646 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 228 с. : іл.

Browse

Now showing 1 - 20 of 32

„PRE”-„POST” спряжена модифікація пористої і електронної будови активованого вугілля, отриманого з лляного волокна
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Каліцінський, В. З.; Григорчак, І. І.; Бордун, І. М.; Матулка, Д. В.; Чекайло, М.; Кулик, Ю. О.
Розглянуто двоєдину задачу, пов’язану зі спряженням пористої структури вуглецевих матеріалів з їх електронною будовою задля досягнення максимальної ефективності роботи подвійного електричного шару. Досліджено вплив параметрів карбонізації на ємнісні характеристики активованого вугілля. Вихідним матеріалом для отримання активованого вугілля були волокна льону. Запропоновано технології інтеркаляційної модифікації вихідного матеріалу та хімічної модифікації активованого вугілля, які підвищують ефективність роботи подвійного електричного шару. The double task which is related with coupling a pore structure of carbon materials with its electron structure for receiving maximum efficiency of work of double electric layer (DEL) is considered. The influence of parameters of carbonization process on capacitive characteristics of activated carbon is examined. Fiber flax were used as precursor for production an аctivated carbon. The technology of intercalation modification of precursor and chemical modification of activated carbon, which enlarge the efficiency of double electric layer, are submitted.
Адгезія та надійність струмопровідних шарів, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Лесюк, Р. І.; Бобицький, Я. В.; Їллек, В.; Савчук, В. К.; Котлярчук, Б. К.
Проведені дослідження адгезії та деградаційної стійкості струмопровідних доріжок, виготовлених струменевим друком наночастинок срібла в органічній матриці для потреб електроніки. Результати свідчать про відповідність адгезії струмопровідних шарів технічним вимогам після спікання “наночорнила” за температури 200–300 оС. Зафіксовано зростання адгезії із зростанням температури спікання. Проведені випробування зразків у камерах штучного прискореного старіння на предмет вологостійкості та стійкості до перепадів температур. The adhesion and reliability (degradation persistence) of conductive tracks, produced by ink-jet printing of silver nanoparticles in organic matrix, are investigated. Results indicate, that fabricated interconnects meet the requirements to adhesion of PCB conductive tracks after sintering by 200–300 oC. The increase of adhesion with the temperature іs shown. The investigations of durability to high humidity conditions and temperature shock are in cameras of fast artificial aging were carried out.
Аналіз реактивного кола збудження ферозонда з обертальним перемагнічуванням дискового осердя
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Павлик, Л. П.; Убізський, С. Б.; Лозинський, А. Б.; Савицький, Г. В.
Проведено аналіз режимів роботи ферозонда з обертальним перемагнічуванням ізотропного дискового осердя під час збудження від джерела гармонічної напруги та побудовано модель відгуку на компоненти вимірюваного магнітного поля у площині дискового осердя. Встановлено, що реєстрацію компонент вимірюваного поля можна здійснювати за гармонічним складом струму на котушці збудження. За умови, що частота збудження удвічі менша за резонансну частоту контуру збудження, чутливість ферозонда квадратично зростає з частотою і може перевищувати чутливість ферозонда у режимі збудження струмом. При цьому зникає необхідність у вимірювальній котушці, що спрощує конструкцію ферозонда. Розроблена модель дає змогу оцінити потенційну чутливість ферозонда та оптимізувати параметри його конструкції. The operation modes’ analysis of fluxgate with rotation magnetization reversal of isotrope disk core under harmonic voltage driving excitation is curried out and the response model is developed at presence of target magnetic field in the core disk plane. It was established that the target field components could be registered by the harmonic content of the excitation coil current. At condition that the excitation frequency is twice less than the resonance frequency of excitation circuit the fluxgate sensitivity rises quadratically and can exceed the sensitivity in the current driving excitation mode. At this the necessity in pick-up coils disappears that simplifies the fluxgate construction. The developed model allows estimating a potential performance of fluxgate and optimizing its construction parameters.
Архітектура й елементи інтегрованої мікросистеми на базовому матричному кристалі з КНІ-структурою
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Когут, I. T.; Дружинін, А. О.; Голота, В. І.
Запропоновано архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою “кремній-на-ізоляторі” (КНІ) для побудови сенсорних мікросистем з монолітною інтеграцією чутливих елементів і схем обробки інформації. Розроблено набори бібліотечних елементів для побудови цифрових та аналогових схем оброблення інформації, уніфіковано чутливі елементи, конструктивно-технологічну основу для проектування сенсорних мікросистем з локальними планарними і тривимірними структурами “кремній-на-ізоляторі” (КНІ). In this paper the architectura of the specialized base matrix chip (BMC) on the silicon-on-insulator (SOI) structures for creation a sensory microsystem with monolithic integration of sensitive elements and data procesing elements are propoused. The library elements for development of digital, analog cirquits and standartized sensetive elements as well as the structural and technological base for sensory microsystem design on the local planar and 3D SOI-structures is created.
Взаємодія рідкісноземельних алюмінатів в системах на основі PrAlO3 та LaAlO3
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Басюк, Т. В.; Василечко, Л. О.; Сиворотка, І. І.; Березовець, В.; Фадєєв, С. В.
Комбінованим методом твердофазного синтезу на повітрі та дугової плавки в атмосфері Аргону виготовлено серію зразків складних оксидів Pr1-xRxAlO3 і La1-xRxAlO3 (R – рідкісноземельний елемент). Методами порошкової дифракції рентгенівського випромінювання та термічного аналізу досліджено кристалічну структуру, термічне розширення та фазові перетворення твердих розчинів Pr1-xRxAlO3 і La1-xRxAlO3 в широкому температурному діапазоні. Побудовано діаграми станів деяких псевдоподвійних систем PrAlO3-RAlO3 та LaAlO3-RAlO3. Series of Pr1-xRxAlO3 and La1-xRxAlO3 (R – rare earth element) specimens were prepared by a combination of solid-state reaction in air and arc-melting in Ar atmosphere. Crystal structure, thermal expansion and phase transformation of Pr1-xRxAlO3 and La1-xRxAlO3 solid solution have been investigated by means of X-ray powder diffraction technique and thermal analysis in wide temperature range. The phase diagrams of some PrAlO3-RAlO3 and LaAlO3-RAlO3 pseudo-binary systems have been constructed.
Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Нічкало, С. І.
Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.
Властивості мікрокристалів InAsSb, вирощених з газової фази, та дослідження впливу нейтронного опромінення на їх параметри
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Шуригін, Ф. М.
Представлено результати вирощування методом газотранспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів InAs1-XSbX з різним складом InSb: від 2 до 16 моль %. Визначено, що високою рухливістю носіїв заряду до 30000 см2 В-2 характеризуються мікрокристали твердих розчинів складу InAs0,84Sb0,16. Легування оловом мікрокристалів InAs0,84Sb0,16 дає змогу зменшити температурні коефіцієнти сталої Холла та питомого опору порівняно із InSb за збереження високої чутливості до магнітного поля. Одночасно радіаційна стійкість таких кристалів вища за радіаційну стійкість кристалів InAs. Проведені дослідження показали, що кристали твердого розчину InAsSb є перспективними для використання їх як сенсорів магнітного поля в екстремальних умовах. Results of vapor-transport reaction method application for growing InAs1-XSbX solid solution microcrystals with different InSb inclusion: from 2 mole% to16 mole% are presented in the paper. It has been determined that high charge carrier mobility up to 30000 cm2 V-1 is characteristic to solid solution microcrystals of InAs0,84Sb0,16 composition. Doping of InAs0,84Sb0,16 microcrystals with stannum allows to decrease temperature coefficients of Hall constant and resistivity as compared to InSb maintaining high magnetic field sensitivity. At the same time, radiation hardness of such crystals is higher than radiation stability of InAs crystals. The conducted research has shown that crystals of InAsSb solid solution are perspective for being used as magnetic field sensors in extreme environment.
Вплив концентрації іонів марганцю на люмінесцентні властивості кристалів YAlO3:MN
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Жидачевський, Я. А.
Наведено результати дослідження люмінесцентних та термолюмінесцентних властивостей кристалів YAlO3:Mn із концентрацією іонів марганцю від 0.001 до 1 ат.%. Проведені дослідження дали змогу встановити, що для досягнення максимальної інтенсивності люмінесценції іонів Mn2+ в кристалі YAlO3 їх концентрація має бути порядку 0.1 ат.%. The work presents results of investigation of luminescence and thermoluminescence properties of YAlO3:Mn crystals with concentration of manganese ions from 0.001 to 1 at.%. The presented results allowed to establish that optimal concentration of manganese ions should be about 0.1 at.% in order to achieve a maximal intensity of luminescence of Mn2+ ions in YAlO3 crystal.
Диференціальний термічний аналіз шихти Si–Se, Ag-Si–Se в процесі її нагрівання та синтезу сполук SiSe2, Ag8SiSe6
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Чекайло, М. В.; Українець, В. О.; Ільчук, Г. А.; Павловський, Ю. П.
З використанням методу диференціального термічного аналізу (ДТА) вперше комплексно досліджено процеси фазових перетворень (ФП) та перебігу хімічних реакцій, що супроводжують нагрівання шихти Ag-Si-Se та Si-Se у стехіометричних співвідношеннях, що відповідають сполукам аргіродиту (Ag8SiSe6) та SiSe2. Ідентифіковано основні типи ФП і хімічних реакцій утворення сполук Ag8SiSe6, SiSe2 та визначено їхні характерні теплоти і температурні діапазони перебігу реакцій. Дослідженням ДТА під час охолодженя експериментально продемонстровано утворення сполуки Ag8SiSe6. With a help of method of differential thermal analysis (DTA), processes of phase transformations (PT) and the course of the chemical reactions which accompany the heating of Si-Se and Ag-Si-Se charge materials have been for the first time in complex way investigated in the stoichiometric proportions which correspond to the compounds of argyrodite (Ag8SiSe6) and SiSe2. Main types of PT and the chemical reactions of the formation of Ag8SiSe6, SiSe2 compounds are identified; their characteristic heats and temperature ranges of reactions proceeding are determined. By mean of DTA under cooling, formation of Ag8SiSe6 compound has been experimentally demonstrated.
Електроннa енергетичнa структура алмазу, кремнію та германію, отримана з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Cиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Швед, В. М.
Розраховані електронні енергетичні спектри кристалів C, Si та Ge у наближенні функціонала локальної електронної густини з урахуванням градієнтних поправок до функціоналів обмінної й кореляційної енергії. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який включає функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії C, Si і Ge краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands of C, Si and Ge have been evaluated by means of the local electronic density functional approximation. The Hamiltonian matrix has been calculated on mixed basis including the core Bloch states and plane waves. The band energies in C, Si and Ge obtained herе are in better agreement with experiment than ones calculated within the atomic norm-conserving ab initio pseudopotential approach.
Залежність режиму роботи джозефсонівських кріотронів від сили струму зміщення
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Тиханський, М. В.; Партика, А. І.
Методами математичного моделювання досліджено вплив струму зміщення на перехідні процеси в джозефсонівських елементах пам’яті (кріотронах) на основі окремих джозефсонівських тунельних переходів (ДТП). Керування логічним станом кріотронів здійснювалось за допомогою імпульсів струму. За результатами моделювання отримано перехідні характеристики кріотронів – часові залежності напруги під час зміни їх логічного стану і визначено час комутації. Розрахунки проводились для різних значень сили струму зміщення кріотрона, на отриманих залежностях часу комутації кріотронів від величини ємності та нормальної провідності ДТП виявлено інтервали стабільності роботи кріотронів та встановлено їх межі. In the present work, we studied a mathematical model of transitional processes in Josephson memory cells (cryotrons) based on individual Josephson tunneling junctions (JTJ). The logical state of the cryotrons was controlled by means of current impulses. From the results of the modeling we determined transitional characteristic of the cryotrons, i. e., time dependences of the voltage across a cryotron during the change of its logical state, and the commutation time. For different values of the bias current of the cryotrons, we derived the dependence of the commutation time on the capacitance and normal conductance of the JTJ and determined stable operational regimes of the cryotrons.
Класифікація подвійних перестановок як представлення фейнманових діаграм для електрон-фононної взаємодії
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Товстюк, К. К.
Проаналізовано подвійні перестановки для функції Гріна електронів за електрон-фононної взаємодії, що описується гамільтоніаном Фреліха. Подвійні перестановки і діаграми Фейнмана відповідають однаковим аналітичним виразам. Проведена у роботі класифікація та доведені теореми дають змогу ідентифікувати клас подвійних перестановок, які відповідають незв’язаним та звідним діаграмам Фейнмана, а також таким діаграмам, які містять функції Гріна фононів, і виділити клас подвійних перестановок, які відповідають масовому оператору за Т=0. Запропонований метод дасть змогу аналізувати потрібну фізичну величину (масовий оператор, поляризаційний оператор, густину часток) у високих порядках теорії збурення. The analysis of double permutations for electron Green function in electron – phonon interaction, represented by Frelich Hamiltonian is carried out in this work. Double permutations (DPs) and corresponded Feynman diagrams define the same analytical expressions. The classification, carried out іn this work, allows to identify the class of DPs, corresponded to disconnected and improper Feymnan diagrams, to diagrams including phonon Green functions and to separate the class of DPs corresponding to mass operator at T=0. This method allows to analyze the requited physical magnitude (mass operator, polarization, density of particles) in high orders of perturbation theory.
Метод та пристрій для здійснення амплітудної модуляції багатьох складових
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Горбатий, І. В.
Розглянуто сучасні різновиди амплітудно-фазової модуляції та їх особливості. Наведено сигнальні сузір’я найуживаніших різновидів амплітудно-фазової модуляції. Запропоновано метод та пристрій для здійснення різновиду амплітудно-фазової модуляції – амплітудної модуляції багатьох складових. Показано ефективність використання такої модуляції порівняно із квадратурною амплітудною модуляцією. The modern varieties of amplitude phase modulation and their feature was consider. The signal constellations of the most common varieties of amplitude phase modulation was lead. The method and device for realization of variety of amplitude phase modulation – the amplitude modulation of many components was offered. The efficiency of use of such modulation by comparison to the quadrature amplitude modulation was shown.
Модель інфрачервоних тонкоплівкових фільтрів на основі інтерференційного дзеркала
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Яремчук, І. Я.; Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.
Запропоновано нову структуру інфрачервоних смугових інтерференційних фільтрів та наведено алгоритм їх аналізу. Аналітично отримані співвідношення, які пов'язують показники заломлення усіх шарів у фільтрах типу “шар з високим показником заломлення - інтерференційне дзеркало – шар з високим показником заломлення”. За допомогою отриманих залежностей визначено такі параметри, як товщина та показник заломлення шарів з високим показником заломлення, що обмежують інтерференційне дзеркало. Design the new structure of interference band-pass infrared filter and new algorithm analysis is proposed.The analytic expressions for the analysis structure “layer with the high refractive іndex – interference mirror – layer with the high refractive index” are obtained. The refractive indices optimal and thicknesses of individual layers that limited interference mirror are obtained.
Мультиструктура для фронтальної поверхні сонячних елементів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Єрохов, В. Ю.
Для фотоелектричного перетворювача (ФЕП) сонячної енергії розроблено оптичну систему відбивання фронтальної поверхні у вигляді багатофункціональної мультитекстури на основі поруватого кремнію (ПК). Мультитекстуру з низьким інтегральним коефіцієнтом відбивання було створено шляхом переформатування технологічного процесу, об’єднуючи електрохімічні і хімічні методи формування ПК. ФЕП, виготовлені з використанням мультитекстур ПК, показали збільшення ефективності перетворення порівняно із стандартними сонячними елементами. For the sun energy photoelectric converter (PEC) the reflection optical system of frontal side is developed in the type of multifunction multitexture on the basis of porous silicon (PS). Multitexture with the low integral coefficient of reflection it was created by re-formatting of technological process, uniting the electrochemical and chemical methods of PS. PEC, made with the use of the PS multitexture, showed an increase efficiency of converter comparatively with standard solar cells.
Оптимізація параметрів сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Татарин, В. Я.; Петровська, Г. А.
Розглянуто вплив характеристик АЦП на чутливість сканувального інтерферометра Фабрі-Перо з цифровою обробкою вихідного сигналу. Аналітично розраховано похибку вимірювань, зумовлену обмеженою частотою дискретизації та скінченним кроком квантування вихідного сигналу. Це дає змогу визначити максимально допустимі значення коефіцієнтів відбивання дзеркал інтерферометра для вибраної частоти розгортки, щo забезпечує як адекватне аналогово-цифрове перетворення вихідного сигналу, так і максимальне співвідношення сигнал-шум на вході аналогово-цифрового перетворювача. It is considered an influence of ADC characteristics on the sensitiveness of scanning Fabri-Perot interferometr with digital signal procceding. An error of measurings is analytically calculated taking into consideration the limited frequency of discretisation and the step of quantum of initial signal. It allows to find the maximally possible values of reflectivities of mirrors of interferometer at the set frequency of involute, which provides both adequate analog digital transformation of initial signal and maximal correlation signal to noise on the ADC input.
Оптоелектронний контроль фотоферезу
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Дідич, І. Р.; Зазуляк, А. М.; Кожухар, О. Т.; Скіра, М. С.
За експериментально виявленими змінами оптичних показників крові після її опромінення лікувальним фотоферезом запропоновано його контроль на основі двох оптоелектронних елементів із різнокольоровими світлодіодами та спільним фотоприймачем, розташованими на вході і виході апарата фотофереза. Якщо різниця між фотострумами елементів відповідає виявленим змінам, фотоферез є успішним. After experimentally found out the changes of optical indexes of blood after its irradiation medical photospheres his control is offered on the basis of two optronic elements with varicolored light-emitting diodes and general photoresiver, located on an entrance and output of vehicle of photoresiver. If a difference between the photoelectrics of elements answers found out changes, photospheres is successful.
Питомі втрати потужності газового розряду та ефективність збудження ексиплексних молекул суміші Ar-Kr-Xe-Cl2
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Чигінь, В.; Горун, П.
Проведено чисельне моделювання розряду у чотирикомпонентній газовій суміші Ar-Kr-Xe-Cl2, ексиплексні молекули якої є джерелом УФ-ВУФ випромінення смуг 175 нм ArCl(B-X), 222 нм KrCl(B-X), 236 нм XeCl(D-X), і 308 нм XeCl(B-X). Для оптимізації роботи джерела і отримання приблизно однакової яскравості смуг випромінення обчислені питомі втрати потужності розряду порівнюються з інтенсивністю свічення ексиплексно-галогенної лампи. Specific losses of gas discharge power and efficiency of exciplex molecules excitation in mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, by Chyhin Vasyl, Horun Pavlo. The numerical modelling of discharge in four-component gas mixture of Ar-Kr-Xe-Cl2, exciplex molecules of which are the source of UF-VUF radiation bands of 175 nm of ArCl(B-X), 222 nm of KrCl(B-X), 236 nm of XeCl(D-X), and 308 nm of XeCl(B-X), is conducted. For optimization of the source and to receive an approximately equal brightness of bands of radiation the specific losses of discharge power are calculated and compared with the radiation of exciplex-halogen lamp.
Принципи електротеплового моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Павлов, С. В.; Куленко, С. С.
Робота скерованана на розширення можливостей традиційних програмних пакетів схемного моделювання PSpiсe та MicroCAP розробленням моделей та принципів електротепловогo моделювання електронних схем з динамічним саморозігрівом елементів струмом живлення. Завдання такого електротеплового моделювання характерні для пристроїв потужної електроніки, термостатів, термоанемометричних сенсорів потоку тощо. Запропоновані принципи електротеплового моделювання продемонстровані на прикладах дослідження вольт-амперних характеристик терморезисторів, діодів та транзисторів під час їхнього динамічного саморозігріву. The work is directed on performance widening of сommon used PSpiсe and MicroCAP software packets by models and principles developing of electronic circuit’s electro-heat modeling with elements dynamic self heating under supply current. Tasks of such electro-heat modeling are typical ones for power electronic devices, thermostats, thermo-anemometric flow sensors etc. Proposed principles of electro-heat modeling are demonstrated on thermo-resistors’, diodes’ and transistors’ current-voltage characteristics investigation on their dynamic self heating.
Просторовий розподіл електроіндукованих змін оптичного шляху в кристалах LiNbO3:MgO
(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2009) Юркевич, О. В.; Сольський, І. М.; Андрущак, А. С.
Для кристалів LiNbO3:MgO, що належать до класу симетрії 3m, вперше побудовані вказівні поверхні електроіндукованої зміни оптичного шляху та їх стереографічні проекції. Визначено екстремальні значення для кожної поверхні та проведено порівняльний аналіз із вказівними поверхнями електрооптичного ефекту, що описують електроіндуковану зміну показника заломлення. At first for the crystals of LiNbO3:MgO, which belong to 3m symmetry class, the indicative surfaces and their stereographic projections for electro-induced change of optical path length were built. Extreme values for every surface were determined and the comparative analysis with the indicative surfaces of electro-optical effect, which describe the electro-induced change of refractive index, was carried out.