Електроніка. – 2002. – №455

Permanent URI for this collectionhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39513

Вісник Національного університету "Львівська політехніка"

У Віснику опубліковані результати наукові-технічних досліджень у галузі технологічних, експериментальних, теоретичних та методологічних проблем електроніки та оптоелектроніки, фізики і техніки напівпровідників та напівпровідникового матеріалознавства, фізики твердого тіла, фізики, техніки та використання елементів, приладів та систем сучасної електронної техніки. Тематика Вісника Національного університету “Львівська політехніка” “Електроніка” охоплює такі розділи електроніки: матеріали електронної техніки; фізика, технологія та виробництво елементів, приладів та систем електронної техніки; фізика і техніка напівпровідників, металів, діелектриків та рідких кристалів; експериментальні та теоретичні дослідження електронних процесів; методика досліджень. У Віснику “Електроніка” публікуються оглядові та дослідницькі роботи, присвячені його тематиці (але не обмежені лише нею). Роботи можуть подавати як співробітники Львівської політехніки, так і будь-яких інших навчальних чи наукових закладів. Роботи авторів з України друкуються українською мовою. Для наукових працівників, інженерів і студентів старших курсів електрофізичних та технологічних спеціальностей.

Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка" – Львів : Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002. – № 455 : Електроніка / відповідальний редактор Д. Заярчук. – 224 с. : іл.

Browse

Search Results

Now showing 1 - 3 of 3
  • Thumbnail Image
    Item
    Ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Баран, М. М.; Пелещак, P. M.; Лукіянець, Б. А.; Національний університет "Львівська політехніка"
    У рамках зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розраховано ізоелектронно-концентраційні лінії навколо крайової дислокації залежно від ступеня заповнення зони провідності. Показано, що із зростанням ступеня заповнення зони провідності ізоконцентраційні лінії стискуються вздовж дислокаційної площини. А з наближенням до ядра дислокації ізоелектронно- концентраційним лініям відповідають більші густини заряду. In frames of a zone model taking into account electron-deformation interaction, the izoelectronic-concetrational lines are counted up around the edged dislocation depending on the filling in degree of conduction zone.There is shown that with the growth of filling in degree of conduction zone,the izoconcentrational lines are squeezed along the dislocation square on. There is also shown that with the approaching to the nucleus of dislocation, more denses of charge refer to izoelectronic-concentrational lines.
  • Thumbnail Image
    Item
    Проектування оптичних резонаторів потужних неперервних лазерів
    (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Бондарчук, Я. М.; Петровська, Г. А.; Національний університет "Львівська політехніка"
    Запропоновано метод оптимізації конструктивних параметрів оптичних резонаторів потужних лазерів з врахуванням теплових деформацій дзеркал, які виникають внаслідок поглинання частини потужного лазерного випромінювання тонкоплівковим покриттям. Скоректовані радіуси кривизни робочих поверхонь дзеркал для промислових іонних лазерів із дзеркалами з типовим рівнем поглинання. The method of optimization of design data of optical resonators of powerful lasers is offered in view of thermal deformations of mirrors, which arise owing to absorption of a part of powerful laser radiation is thin-film by a covering. Is corrected radiuses of curvature of mirrors for industrial of ion lasers from mirrors with a typical level of absorption.