Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/8439
Browse
9 results
Search Results
Item Кінетика оптичного відгуку під час абсорбції аміаку в плівці поліаніліну(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Стахіра, П. Й.; Готра, З. Ю.; Глушик, І. П.; Аксіментьєва, О. І.; Черпак, В. В.; Фечан, А. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет імені Івана ФранкаВивчено кінетику оптичного відгуку в плівці поліаніліну під час абсорбції аміаку. Враховуючи досліджені механізми взаємодії між молекулами NH3 та плівкою поліаніліну, встановлено, що процеси абсорбції газу можуть бути подані як хемосорбційні. Здійснено апроксимацію експериментальних кривих поглинання газу, використовуючи кінетичне рівнянння Легмюра.Item Дослідження спектральних характеристик хемілюмінесценції сироватки крові(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Готра, З. Ю.; Олійник, І. Я.; Національний університет “Львівська політехніка”Здійснено експериментальний та теоретичний аналіз спектрів хемілюмінесценції (ХЛ) сироватки крові. Показано, що спектральний розподіл має лоренцівський характер. Спрогнозовано звуження спектра у разі ініціювання хемілюмінесценції. Показано, що квантовий вигляд стимульованої ХЛ є значно вищий за вихід спонтанної ХЛ.Item Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Гуменюк, І. А.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистораItem Контролер мікроелектронного інтелектуального сенсора вологості ємнісного типу(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Єрашок, В. Е.; Мельник, О. М.; Прошак, Д.Розглянуто питання створення сучасних інтелектуальних сенсорних пристроїв, основні питання побудови контролера мікроелектронного сенсора вологості ємнісного типу. Як основу контролера використано один з найсучасніших виробів фірми Analog Devices - мікроконвертор серії ADuCXXX, який за функціональними характеристиками відповідає вимогам інтелектуальних сенсорів (IEEE 1451.2). Проаналізовано вибір елементної бази контролера, описано особливості його роботи, наведено результати мо¬делювання перехідних процесів схеми та алгоритмічну схему програмного забезпечення мікроконвертораItem Нерівноважні методи оброблення матеріалів з викоритстанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бончик, О. Ю.; Власов, А. П.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Савицький, Г.В.Запропоновані і апробовані методи лазерного оброблення матеріалів, які дають змогу формувати різкі p-n переходи на основі власнодефектних та легованих напівпровідників. Проведено порівняльний аналіз ефективності методів лазерного рідкофазного та твердофазного легування напівпровідників домішками, нанесеними на поверхню матеріалів. Показано, що найбільший ефект для цілей оптимізації лазерного оброблення напівпровідників досягається під час комбінованої дії на напівпровідник випромінювання від двох лазерів, які працюють в різних спектральних, енергетичних і часових режимах. Досліджено особливості автолегування епітаксійних шарів домішкою, джерелом якої слугувала імплантована заданою дозою іонів поверхня підкладки. Methods of laser treatment of materials were suggested and approbated. Comparative analysis of laser liquid phase and solid phase doping methods effectiveness with the help of admixtures on the surface of the materials was carried out. It is shown that the biggest effect for optimization of laser treatment of semiconductors is reached during multiaction of the radiation of two laser which work in different spectral, power and time regimes. The peculiarities of autodoping of epitaxial layers by admixture were examined. The source of admixture was the surface of the underlayer where the set quantity of ions was implanted.Item Нестійкості формування поверхні розділу фаз у зонах дії імпульсного лазерного випромінювання на напівпровідники(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Дацко, Б. К.; Кияк, С. Г.; Мелешко, В. В.; Могиляк, І. А.Встановлено, що в електронно-дірковій плазмі, індукованій у напівпровідниках дією імпульсного лазерного випромінювання, відбувається розшарування температури кристалічної решітки і концентрації носіїв заряду. Крім того, існує додатний зворотний зв’язок між температурою кристалічної решітки і концентрацією носіїв заряду в області їх флуктуації. Вказаний зв’язок зумовлює як підсилення флуктуацій температури, так і призводить до формування у напівпровідниках квазіперіодичних температурних полів великої амплітуди. Неоднорідні температурні поля визначають особливості процесів плавлення, кристалізації і формування рельєфу поверхні в зонах дії лазерного випромінювання. Запропоновані математичні моделі динаміки формування поверхні, коли флуктуації фронту проплавів виникають уздовж вибраного вектора хвилі. Результати комп’ютерного моделювання динаміки формування поверхні проплаву на основі цієї математичної моделі добре узгоджуються з експериментальними даними і вказують на фрактальний характер формування поверхні проплаву. We determined that spontaneous segregation of uniform temperature state of crystal lattice and charge carrier concentration can take place in electron-hole plasma, generated by laser radiation. Besides, there exists a positive opposite connection between the temperature of crystal lattice and charge carrier concentration in the region of their fluctuation. It causes both amplification of original fluctuation of temperature and generation of quasi-periodic temperature fields of large amplitude in semiconductors. The nonuniform temperature fields determine the features of the surface relief formation in the zone of laser radiation action. The mathematical model of the surface profiles dynamics, when the instability of the front of melt arises along a chosen wave vector, is proposed. The results of computer simulation of interface dynamics of solitary melted region on the base this mathematical model good fits experimental data and indicate the fractal character of their formation.Item Контролер інтелектуальних ємнісних сенсорів(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Єрашок, В. Є.Нові методи вимірювального перетворення та нове покоління спеціалізованих твердотільних інтегральних схем (ІС), які були розроблені в останні роки, зумовили кардинальні зміни в сенсорній техніці на основі ємнісних первинних перетворювачів. Наведено результати розроблення контролера ємнісних сенсорів на основі безпосереднього перетворення ємності с сенсора у цифровий код. Контролер реалізовано на сигма- дельта модуляторі “ємність – цифровий код”, який є основою анонсованих в 2005 році серії спеціалізованих інтегральних схем AD77XX (Analog Devices, США). За своїми функціональними параметрами – висока точність вимірювання та завадостійкість, термокомпенсація функції перетворення, універсальний шинний цифровий інтерфейс, мінімальне енергоспоживання та габарити тощо, розроблений контролер відповідає вимогам інтелектуальних сенсорних пристроїв. New methods of measurement conversion and new generation of specialized solid-state integrated circuits (IC), that were designed during last few years, cause huge changes in measurement equipment based on capacitance primary transducers. We present the result of design of special capacitance sensor controller which is based on direct conversion of capacitance to digital code. The controller is realized on the Σ-Δ capacitance-to-digital modulator, which is the base for announced in 2005 specialized integrated circuits AD77XX (Analog Devices, USA). Granting controller operational parameters such as high accuracy and noise immunity, thermal compensation of transfer function, universal serial interface, low energy consumption and small dimensions we can state that designed controller meets the requirements to intelligent sensor devices.Item Оптичні властивості вакуумно напилених плівок поліаніліну в середовищах з різним водневим покажчиком(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Готра, З. Ю.; Черпак, В. В.; Глушик, І. П.; Стахіра, П. Й.; Волинюк, Д. Ю.; Фоменко, В. Л.Вивчено можливість використання плівок поліаніліну (ПАН), отриманих методом вакуумного напилення, як чутливого елемента сенсора водневого покажчика середовища (рН) з оптичним каналом передавання інформації. Здійснено порівняльний аналіз зміни оптичної густини вакуумно напилених плівок ПАН і плівок ПАН, отриманих методом електрохімічної полімеризації від рівня рН. The perspective of vacuum deposited polyaniline films (PAN) use as sensitive elements of pH-sensor with optical data transfer channel is studied. The comparative analysis of optical density change of vaccum deposited PAN films and electrochemically polymerized PAN films on pH level was carried out.Item Стабілізація коефіцієнта теплового зв’язку інтегральних теплокерованих операційних підсилювачів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, З. Ю.; Халавка, А. І.Запропоновано спосіб стабілізації параметрів інтегральних тепло-керованих операційних підсилювачів внутрішнім теплоелектричним зворотним зв’язком. Розроблено схеми окремих вузлів пристроїв на основі даного принципу. Спосіб застосовано для побудови інтегральних фільтрів низькочастотного діапазону. A method of the normalization of integrated thermal controlled amplifiers’ parameters by means of internal electrothermal feedback is proposed. The electrical diagrams of some units of devices on the basis of that principle are elaborated. The method was used to the construction of integrated low-pass filters.