Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
16 results
Search Results
Item Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Бончик, О. Ю.; Готра, З. Ю.; Кияк, С. Г.; Могиляк, І. А.; Тростинський, І. П.; Національний університет “Львівська політехніка”Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented.Item Використання плівкових розподілених RC-структур в сенсорах вологості(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Готра, З. Ю.; Григор'єв, В. В.; Мельник, О. М.; Прошак, Д.; Національний університет "Львівська політехніка"; Жешувський технологічний університет, ПольщаРозглянуто питання використання фільтрів на основі розподілених RC-структур в сенсорах вологості. Як діелектрик в RC-структурі сенсорів використовується композиційний матеріал на основі полівінілового спирту з вкрапленими алюмінієвими мікрочастинками. Змодельовано характеристики сенсорів з прямокутною тришаровою RC-структурою у вигляді фільтра нижніх частот, нульового фільтра та фільтра верхніх частот. The application of filters on the base of distributed RC-structures in humidity sensors is considered in this paper. Composite material on the basis of polyvinyl alcohol with impregnated aluminum microparticles is used as dielectric in RC-structures. The characteristics of sensors with rectangular three-layers RC-structure as low-frequency filter, zero filter and high-frequency filter are simulated.Item Схеми заміщення магнітодіода для “SPICE”(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гладун, М. Р.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивчається проблема створення моделей сенсорів магнітного поля в середовищі схемотехнічного моделювання “Spice”. Розглянуті підходи до синтезу схем заміщення магнітодіода. Показано, що, використовуючи комбінацію фізичних та емпіричних моделей, можна забезпечити ефективний аналіз сенсорних пристроїв в спеціалізованих програмах схемотехнічного моделювання. Presents design of models for magnetic-field sensors which can be used in SPICE software. The synthesis of magnetodiode equivalent circuits is considered. It is shown that effective analysis of sensor devices in specialized circuitrical software can be maintained by using combination of physical and empirical models.Item Ємнісні зв’язки в паралельних провідниках плівкових мікросхем(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Готра, З. Ю.; Віш, Б.; Сабат, В.; Національний університет "Львівська політехніка"Наведено результати теоретичного аналізу ємнісних зв'язків для системи провідного шару в гібридній мікросхемі. Розглянуто варіант, в якому два паралельні провідні канали різної ширини розташовані з одного боку діелектричної підкладки безмежної довжини. Розв’язується задача, яка спрощена до розв’язання одновимірної крайової задачі. Отримана система рівнянь, яка описує розподіл електричного заряду, розв'язується чисельними методами. З отриманих результатів розраховуються ємнісні зв'язки. Results of theoretical analysis of capacitive couplings for the conductive layer system in a hybrid microcircuit have been presented. In the considered case two parallel conductive paths of different width are located on the same side of dielectric substrate of infinite extension. The solution for capacity determination is here reduced to one-dimensional boundary problem. The obtained equation system of electric charge distribution has next been solved by application of numerical method. On this basis the coupling capacity value has been calculated.Item Алгоритм функціонування та структура програмованого коректора характеристик однокристальних сенсорних пристроів(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Гладун, М. Р.; Голяка, Р. Л.; Готра, З. Ю.; Лопатинський, І. Є.; Потенцкі, Є.Подано результати розробки програмованого коректора характеристик для однокристальних сенсорних пристроїв. Розроблено новий алгоритм функціонування коректора, що базується на синтезі коректуючих струмів програмованою матрицею джерел струму. Принциповими рішеннями розробленої матриці є двійково-зважене масштабування струмів на латеральних p-n-p транзисторах та спеціальний алгоритм декодування комірок матриці. The results of elaboration of programmable characteristics corrector for on-chip sensor devices are presented in this paper. New algorithm of corrector functioning is elaborated. This algorithm is based on synthesis of correcting current by programmable array of current sources. The principal solutions of elaborated array are bit-power scaling of current on lateral p-n-p transistors and special algorithm for array cells decoding.Item Дослідження впливу параметрів структури іонно-селективних польових транзисторів на їх характеристики(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Тампль-Буайє, П'єр; Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Гуменюк, І. А.Розроблено та експериментально досліджено характеристики іонно-селективних польових транзисторів (1СПТ) з індукованим n-каналом. Функцію підзатворного діелектрика, чутливого до іонів водню, виконує мембрана з оксиду та нітриду кремнію Si02/Si3N4. Для забезпечення селективності до іонів нітрату N03' та амонію NH4+ використано чутливу мембрану на основі роїуНЕМА/сілопрен. Дано рекомендації щодо режимів живлення 1СПТ. Виготовлення та експериментальні дослідження проведені в Лабораторії Аналізу та Архітектур Систем, Тулуза, Франція. Front-side connected, N-channel, normally-off, ion-sensitive field effect transistor (1SFET) microsensors including a SiOi/SijNj pH-sensitive gate have been fabricated using a standard P-well silicon technology. Sensor properties and performances are demonstrated through pH measurements. Finally, the front-side connected ChemFETs microsensors have been adapted to the detection of ions thanks to polyHEMA/siloprene-based ionosensitive membrane. Operating modes of 1SFET sensor have been optimized. Fabrication and characterization of these ion-sensitive structures have been carried out at the Laboratory for Analysis and Architecture of Systems (LAAS, Toulouse, France).Item Моделювання характеристики перетворення диференційного сенсора температури на біполярних транзисторах(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Бойко, О. В.Наведено алгоритм SPICE моделювання та оптимізації режимів роботи диференціального сенсора температури на біполярних транзисторах. Сигнальний перетворювач сенсора реалізовано за схемою диференціального каскаду. Виявлена істотна залежність чутливості сенсора від режимів роботи транзисторів диференціального каскаду. Показано, що домінуючим параметром, який впливає на стабільність інформативного сигналу різницевої температури, є опорна напруга на базових електродах транзисторів. Оптимальне значення опорної напруги перебуває в межах VREF0 = 1,20–1,25 В. The SPICE simulation and optimization algorithm of a differential temperature sensor based on bipolar transistors is presented. The signal transducer of the sensor is implemented on a differential stage. A significant dependence of the sensor’s sensitivity from differential stage transistor modes is revealed. It is shown that the dominant parameter that affects informative signal of differential temperature is a reference voltage on transistors base electrodes. The optimum value of the reference voltage are within VREF0 = 1.20 V...1.25 V.Item Органічні напівпровідникові структури OLED на основі Alq3 З транспортним шаром NiPc(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Готра, З. Ю.; Волинюк, Д. Ю.; Возняк, Л. Ю.; Костів, Н. В.Запропоновано використання в якості транспортного шару фталоціаніну нікелю (NiPc) для підвищення ефективності роботи та електролюмінесценції органічних світловипромінювальних діодів. Створено світлодіодні структури ITO/NiPc/Alq3/PEGDE/Al та ITO/Alq3/PEGDE/Al та проведено порівняльний аналіз їхніх вольт-амперних та яскравісних характеристик. Показано, що використання плівки NiPc як дірково-транспортного шару призводить до зниження напруги живлення та покращання яскравісних характеристик органічних світлодіодів. Зниження напруги живлення відбувається за рахунок пониження потенціального бар’єра для дірок на границі розділу анод – світловипромінювальний шар. Збалансованість дрейфового потоку нерівноважних дірок, які інжектуються з NiPc, та електронів Al в шар Alq3, призводить до покращання яскравісних характеристик органічного світлодіода. Additional layer greatly improved OLED performance. In this work we have proposed using nickel phtalocyanine (NiPc) as hole transport layer. Also we have also measured current–voltage and luminescent characteristics of structures with transport layer NiPc. The efficient using NiPc hole transport layer was shown. NiPc transport layer reduce the operation voltage. It is occurred due to lowering the potential barrier for holes in ligh–temitting structure.Item Аналогові сенсори напруги на основі ефекту холестерико-нематичного переходу(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Готра, З. Ю.; Фечан, А. В.; Левенець, В. В.; Коцун, В. І.; Вараниця, А. В.На основі досліджених електрооптичних характеристик холестерико-нематичного переходу запропоновано використовувати як аналогового сенсора напруги рідкокристалічну комірку зі змінною товщиною. Проведено математичне моделювання поширення світла в шарі рідкого кристала та скляній пластині. Експериментально отримано розподіл інтенсивності випромінювання та діаграму напрямленості запропонованого сенсора. The liquid crystal cell with changed thickness proposed to use as voltage analog sensor. The cholesteric-nematic transition as the elecrooptical effect in liquid crystal material is investigated. The mathematical modelling of light propagation in liquid crystal layer and in glass plate is proposed. The angle distribution of light radiation of such sensor is experimentally investigated.Item Aналіз ефективності придушення електромагнітних завад у холлівських сенсорних пристроях(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Готра, З. Ю.; Голяка, Р. Л.; Ільканич, В. Ю.; Марусенкова, Т. А.Розглянута проблема впливу електромагнітної завади на відтворюваність вимірювання сигналу в холлівських сенсорних пристроях. Спосіб компенсації електромагнітної завади забезпечується двотактним вимірюванням сигналу при протилежних напрямах імпульсів струму живлення холлівських сенсорів. Встановлена залежність ефективності двотактного режиму роботи від затримки між суміжними вимірюваннями. Експериментальними дослідженнями показано, що за наявності електромагнітної завади використання двотактного режиму забезпечує підвищення відтворюваності вимірювання в 6–8 разів. The work gives an analysis of electromagnetic noise influence on signal repeatability in Hall sensor devices. The electromagnetic noise compensation is based on signal two tact mode measurements at reverse direction of Hall sensor supply current. The functional dependence of two tact mode efficiency on time delay between serial measurements is described. It was experimentally shown that two tact mode of electromagnetic noise compensation provides an efficiency improving by 6..8 times.