Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
20 results
Search Results
Item Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Матвієнко, С. М.; Панков, Ю. М.; Druzhinin, A. O.; Matviyenko, S. M.; Pankov, Y. M.; Національний університет “Львівська політехніка”Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв та перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на основі цих систем над відомими сенсорами. Подано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації і передачею її на персональний комп’ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст з чотирьох полікремнійових п’єзорезисторів і одного терморезистора.Item Осциляції магнітоопору ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Павловський, І. В.; Ховерко, Ю. М.; Druzhinin, A. A.; Maryamova, I. I.; Pavlovskyy, I. V.; Khoverko, Yu. M.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”Виявлено та експериментально досліджено магнітофононні осциляції поперечного і поздовжнього магнітоопору в сильно легованих ниткоподібних кристалах (НК) Ge n- і p-типу провідності в інтервалі температур 4,2–70 К в магнітних полях з індукцією до 14 Тл. Досліджено вплив одновісної деформації та розігріву газу носіїв заряду на характер магнітофононних осциляцій магнітоопору. Розраховано ефективні маси електронів та легких дірок на основі експериментальних даних дослідження поперечного магнітоопору.Item П’єзорезистивні сенсори механічних величин на основі напівпровідникових ниткоподібних кристалів і КНІ структур(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Лавитська, О. М.; Кутраков, О. П.; Панков, Ю. М.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; Науково-дослідний центр “Кристал”Описано розроблені напівпровідникові тензорезистори на основі вирощених з газової фази ниткоподібних кристалів (НК) кремнію, германію і сполук А В (антимоніду галію, арсеніду галію, фосфіду галію) та наведено їх характеристики. Розглянуто деякі типи розроблених п’єзорезистивних сенсорів тиску з тензо-резисторами на основі НК кремнію, зокрема, сенсори для вимірювання пульсацій тиску, сенсори з універсальним тензомодулем, високотемпературні сенсори, сенсори для кріогенних температур, для медичної діагностики, а також сенсори гідростатичного тиску на основі НК GaSb. Подано мікроелектронні сенсори тиску на основі шарів полікремнію-на-ізоляторі, рекристалізованих лазерним опроміненням. 35. Developed semiconductor strain gauges based on silicon, germanium and AB compounds (GaSb, GaAs, GaP) whiskers grown from the vapour phase are described, and their perfomance are presented. Some types of developed pressure sensors with strain gauges based on Si whiskers are presented, i.e. sensors to measure pressure pulsation, sensors with universal strain unit, high-temperature sensors, sensors for cryogenic temperatures, sensors for medical diagnostics, and sensors to measure hydrostatic pressure based on GaSb whiskers. Microelectronic sensors based on laser-recrystallized polysilicon layers-on-insulator are described.Item Дослідження впливу деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів германію при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Стасюк, Н. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено властивості ниткоподібних кристалів (НК) германію р-типу провідності в широкому діапазоні температур - від 1,7 К до кімнатної. Ступінь легування кристалів акцепторною домішкою галію відповідав близькості до переходу метал-діелектрик (ПМД). Деформацію кристала створювали закріп¬ленням на спеціально підібраних підкладках, матеріал яких мав коефіцієнт ліній¬ного розширення (КЛР), відмінний від КЛР германію. Запропонована методика експерименту дозволила визначити коефіцієнт тензочутливості зразків, який при 4,2 К досягав до 8000. Досліджено вплив термічної деформації кристала на температурну залежність електропровідності, визначено залежність енергії активації стрибкової провідності від деформації розтягу та стиску. Зроблено практичні рекомендації щодо використання НК германію в сенсорах фізичних величин. The properties of semiconductor whiskers (SW) of p-type germanium have been studied in the wide temperature range - from 1,7 K up to the room temperature. The doping level of the crystals with the acceptor impurity of gallium corresponded to the vicinity to the metal-insulator transition (MIT). The strain was imposed by the crystal mounting on specially selected substrates with thermal expansion coefficients (TEC) different from that in germanium. Such an experimental technique let it possible to determine the gauge factor for the samples which achieved up to 8000 at 4,2 K. An influence of the thermal strain on the electrical conductivity of the crystal was studied. An activation energy for the hopping conductance as a function of the tensile and compressive strain has been determined. The practical recommendation concerning the germanium SW application in physical sensors have been elaborated.Item Низькотемпературний транспорт носіїв заряду в складнолегованих ниткоподібних кристалах Sі-Gе(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2001) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Варшава, С. С.; Островський, І. П.; Лях, Н.; Національний університет "Львівська політехніка"Вивченно електричні параметри НК Si-Ge в температурній області 4,2-300 К. Досліджено НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат.%, вирощених в легуючих системах з домішками B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt. Оцінено енергії активації 0,018 та 0,32 еВ у кристалах, легованих B і Zn, відповідно. У НК проявляються мікро- та макронеоднорідності. Встановлено, що НК, вирощені з домішками Hf та Au, є фоточутливі. The present paper deals with a study of Si-Ge whisker in the temperature range 4.2-300K. Si-Ge whiskers with compositions (up to 3at.% Ge) grown in doped system of B+Au, Zn+Au, Hf+Au, Ni+Mn+Pt were under investigation. Activation energies 0,018 and 0.32eV of crystals doped with B, Zn impurities, respectively, were calculated. Micro- and macro-inhomogeneties are found in the whiskers. The whiskers doped with Hf and Au was shown to be photosensitive.Item Дослідження властивостей шарів полі-Si для створення на їх основі сенсорів, працездатних при кріогенних температурах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Мар'ямова, І. Й.; Ховерко, Ю. М.; Національний університет "Львівська політехніка"Експериментально досліджено властивості зразків полікристалічного кремнію р- типу провідності на діелектричних підкладках в температурному діапазоні 4,2-300 К і магнітних полях 0-14 Тл, а також вплив деформації на опір та температурний коефіцієнт опору. Вимірювання проводились на тестових структурах з рекристалізованими і нерекристалізованими полікремнієвими резисторами. Показано, що найкращу чутливість до деформації і оптимальний температурний коефіцієнт опору для застосування в п'єзорезистивних сенсорах механічних величин мають рекристалізовані шари полі-Si, леговані бором до концентрацій >1x 10 19 см"3. Одночасно такі структури є найбільш стабільними до впливу сильних магнітних полів до 14 Тл. Тестові структури з порівняно слабколегованими нерекристалізованими полікремнієвими резисторами мають високий температурний коефіцієнт опору, який монотонно змінюється в діапазоні 4,2-300 К, і можуть бути рекомендовані для використання як високочутливі терморезистори. The electrical properties of p-type polycrystalline silicon on dielectric substrates were studied experimentally in the range 4,2-300 K and in magnetic fieldss 0-14 T, as well as the strain influence on their resistance and temperature coefficient of resistance. The measurements were carried out on the test structures containing as-deposited fine-grained poly-Si and after microzone laser recrystallization. It was shown that the recrystallized test structures doped by boron up to concentrations >1x 10 19 cm3 posess the highest strain sensitivity combined with the best temperature coefficient of resistance for sensor application. At the same time such structures are the most stable in high magnetic field up to 14 T. The structures containing relatively slightly doped polysilicon resistors have a high temperature coefficient of resistance that is monotonous in the range 4,2-300 K. They may be recommended for application as high-sensitive thermoresistors.Item Вплив деформації на домішкову провідність ниткоподібних кристалів твердих розчинів Ge-Si(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Дружинін, А. О.; Лавитська, О. М.; Островський, І. П.; Лях, Н. С.; Національний університет "Львівська політехніка"У роботі вивчено вплив деформації на електропровідність ниткоподібних кристалів (НК) GexSii-x (x = 0,01-0,03) в інтервалі температур 4,2-300 К. НК вирощували методом хімічних транспортних реакцій в закритій бромідній системі з використанням домішок Au і B. Досліджували сильнолеговані кристали з питомим опором р = 0,005-0,025 Омсм, який відповідає близькості зразків до переходу метал-діелектрик. Деформація зразків здійснювалася їх закріпленням на спеціально підібрані підкладки (мідь, алюміній, кварц) з відмінним від матеріалу Ge-Si коефіцієнтом термічного розширення. Виявлений гігантський п’єзорезистивний ефект в НК при кріогенних температурах. Визначений коефіцієнт тензочутливості К<111> = Ар/(р0є) становить 10,000-30,000 при 4,2 K в НК з питомим опором р = 0,012-0,018 Омсм, відповідно. З кривих а = f(1/T) були розраховані енергії активації стрибкової провідності. Обговорюються можливі причини виявленого ефекту. The present paper deals with studies of deformation influence on GexSi1-x (x = 0,01-0,03) whisker conduction in the temperature range 4,2-300 K. The whiskers were grown by chemical vapour deposition method in a sealed bromide system with use of Au and B dopants. The whiskers with resistivity р = 0,005-0,025 Q cm were under investigation. The values of resistivity are corresponded to impurity concentrations closed to the metal-insulator transition. The strain was imposed by the whisker mounting on specially selected substrates (quartz, copper, aluminium) with thermal expansion coefficient different from that in Si-Ge material. The ‘giant’ piezoresistance was found in the specimens at cryogenic temperatures. Estimated longital gauge factor G<111> = Ар/(роЄ) is equal to 10,000-30,000 at 4,2 K in the whiskers with resistivity р = 0,012-0,018 Q cm respectively. From the curves а = f(1/T) the activation energies for the hopping conductance in the whiskers have been calculated. Possible reasons of the obtain phenomena are discussed.Item Високотемпературний напівпровідниковий сенсор тиску на основі мікрокристалів кремнію(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2000) Дружинін, А. О.; Кутраков, О. П.; Лавитська, О. М.; Мар’ямова, І. Й.Наведено результати комплексу робіт із створення п’єзорезистивного сенсора тиску, працездатного в умовах підвищених та високих температур. Елементною базою сенсора стали мікрокристали кремнію, а в основу конструкції покладено універсальний тензомодуль з пружно-чутливим елементом балочного типу і круглою мембраною. Наведено вихідні характеристики розробленого сенсора тиску. Results of the complex works on the piezoresistive pressure sensor development for operation at elevated and high temperatures are presented. The material basis for this sensor is silicon microcrystals while the sensor's design is based on the universal strain unit with a cantilever strain-sensitive element and a circular membrane. Output performance of the developed sensor is presented.Item Сенсори деформації для кріогенних температур на основі мікрокристалів кремнію(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Дружинін, А. О.; Мар’ямова, І. Й.; Кутраков, О. П.; Павловський, І. В.Для створення сенсорів деформації, працездатних при кріогенних температурах, досліджено тензометричні характеристики легованих бором ниткоподібних кристалів (НК) Si р-типу, закріплених на сталевих пружних елементах, при температурах 4,2, 77 і 300 К. Показано, що НК Si p-типу з ρ300К≈0,010 Ом×см (R77K/R300K≈1,7) і коефіцієнтом тензочутливості К4,2К≈–1×103 найпридатніші для створення сенсорів деформації на основі некласичного п’єзорезистивного ефекту для кріогенних температур, зокрема, для 4,2 К. Для створення сенсорів деформації для температури рідкого азоту найпридатніші НК Si p-типу з ρ300К=0,013–0,025 Ом×см (R77K/R300K=2,8–3,4) на основі класичного п’єзорезистивного ефекту. To create strain sensors operating at cryogenic temperatures piezoresistive characteristics of boron doped p-type Si whiskers, mounted on steel spring elements fabricated, were studied at temperatures 4.2, 77 and 300 K. P-type Si whiskers with ρ300К ≈0.010 Ohm×cm (R77K/R300K ≈1,7) and gauge factor GF4.2K = –1103 are most suitable to create strain sensors based on the nonclassic piezoresistance for cryogenic temperatures, particularly, for 4.2 K. To create strain sensors for the temperature of liquid nitrogen the most suitable are p-Si whiskers with ρ300К=0.013–0.025 Ohmcm (R77K/R300K=2,8–3,4) based on the classic piezoresistance.Item Сучасний стан і напрямки розвитку нанометрової літографії (огляд)(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Голота, В. І.; Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.Розглянуто сучасний стан і напрямки досліджень нанометрової літографії. Наведено характеристики оптичної і альтернативних безмаскових літографій для масового виробництва ІС. Виділено напрямки досліджень і задачі, які необхідно розв’язати для створення α-версії вітчизняної матрично-емітерної літографії. Запропоновано апаратну декомпресію даних на основі модифікованого методу BWT із збільшеними буферами стискання. Запропоновано інтегровані КМОН КНІ структури на основі базових матричних кристалів для реалізації ІС, логіки, пам’яті і керування випромінювачами. The modern state and research directions of nanometer lithography are considered. Descriptions of optical and alternative maskless lithography for industrial VLSI production are presented. Research directions and tasks, which are necessary to solve for α-version of matrix emitters lithography realization are selected. The BWT hardware data decompression with extended sorting buffer is offered. The integrated CMOS SOI structures on the basis of base matrix crystals for realization of logic, memory and control VLSI for matrix emitters are offered.