Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
374 results
Search Results
Item Розробка системи обробки інформації з мікроелектронних сенсорів на основі КНІ-структур(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дружинін, А. О.; Матвієнко, С. М.; Панков, Ю. М.; Druzhinin, A. O.; Matviyenko, S. M.; Pankov, Y. M.; Національний університет “Львівська політехніка”Описано тенденції розвитку сучасних вимірювальних пристроїв та перспективи використання систем збору та обробки інформації на базі мікроконтролерів фірми CYPRESS для розробки інтелектуальних сенсорів механічних величин. Наведено переваги реалізації сенсорів на основі цих систем над відомими сенсорами. Подано багатофункційний сенсор тиску-температури з цифровою оброкою вимірювальної інформації і передачею її на персональний комп’ютер. Як первинні перетворювачі використано КНІ-структури, які містять міст з чотирьох полікремнійових п’єзорезисторів і одного терморезистора.Item Вплив розподілу струму розряду по катоду комірки Пеннінга на рівномірність напилених плівок(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Шандра, З. А.; Shandra, Z. A.; Національний університет “Львівська політехніка”Подано результати дослідження розподілу струму розряду по поверхні катода в комірці Пеннінга з прямокутним анодом. Виявлено, що при тиску газу близько 0,01 Па максимальна густина струму спостерігається в центрі катода. У разі збільшення тиску газу зростає густина струму на периферії катода. Розподіл струму по висоті катода можна апроксимувати функцією Jp(h) = n +(1-n) sin(πh/a), де а – розмір катода. Виконано моделювання впливу розподілу струму на рівномірність напилених плівок для різних тисків газу. Аналіз показує, що нерівномірність струму по катоду погіршує рівномірність плівок по товщині на краях підкладки.Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.Item Керування дефектністю приповерхневих шарів кремнієвої структури через зміну фононного тиску, викликаного проходженням через кристал лазерної ударної хвилі(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Ковалюк, Богдан Павлович; Нікіфоров, Юрій Миколайович; Kovalyuk, B. P.; Nikiforov, Yu. N.; Тернопільський державний технічний університет ім. Івана ПулюяДля діапазону температур 290 – 450 К розраховано відносні зміни фононної складової надлишкової сили, що діє на центр розсіяння в матеріалах з різною температурою Дебая з боку лазерної ударної хвилі. Виконані на кремнієвих структурах експерименти показують перспективність керування властивостями приповерхневих шарів твердих тіл при лазерній ударно-хвильовій обробці оптимізацією температурних умов опромінення, що впливають на фононну складову сили, зумовленої ударною хвилею.Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Особливості переходу аморфного селену в кристалічний стан(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Дутчак, З. А.; Ракобовчук, Л. М.; Dutchak, Z.; Rakobovchuk, L.; Національний університет “Львівська політехніка”Рентгенографічним методом досліджений аморфний селен. Встановлено, що в кристалічний стан він переходить при температурі 343 К. За допомогою аналізу кривих інтенсивності малокутової дифракції рентгенівського випромінювання та функції радіального розподілу атомів визначені параметри ближнього порядку: радіус координаційної сфери та координаційне число.Item Зміст до Вісника “Електроніка”(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01)Item Області застосування наближених методів аналізу дифракції на фазових гратках(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Фітьо, В. М.; Петровська, Г. А.; Мисак, В. В.; Fitio, V. M.; Petrovska, H. A.; Myssak, V. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Методом зв’язаних хвиль розрахована дифракційна ефективність усіх порядків дифракції тонкої фазової ґратки з періодами, які дорівнюють 50,5, 75,5 і 100,5 довжин хвиль. Здійснено порівняння точного розрахунку з методом, що ґрунтується на розкладі періодичного амплітудного пропускання ґратки в ряд Фур’є. Визначено області застосування наближеного методу розрахунку дифракційної ефективності плоских ґраток. Для товстих фазових ґраток виконане порівняння дифракційної ефективності, розрахованої за формулою Когельника, з її точним значенням. Показано теоретично та експериментально, що формула Когельника дає похибку для високочастотних ґраток у разі відхилення від кута Брегга.Item Фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання дзеркальних покрить(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Петровська, Г. А.; Демкович, І. В.; Бобицький, Я. В.; Petrovska, H. A.; Demkovytch, I. V.; Bobytski, Y. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Розроблено фототепловий метод визначення коефіцієнта поглинання інтерференційних покрить лазерних дзеркал. Метод базується на реєстрації фотостимульованих змін, які виникають у дзеркалі під дією потужного лазерного пучка з відомим просторово-часовим розподілом енергії випромінювання, зокрема, теплових полів на поверхні дзеркала. Для реєстрації цих полів використані методи лазерної інтерферометрії. Для визначення невідомого значення коефіцієнта поглинання за експериментально зареєстрованим розподілом температури на поверхні дзеркала розроблено математичну модель та відповідне програмне забезпечення.Item Вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла фотоакустичним методом (числове моделювання)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Мокрий, О. М.; Mokryy, O. M.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглянуто безконтактний фотоакустичний метод вимірювання товщини тонкого шару рідини на поверхні твердого тіла. Здійснено числове моделювання збудження акустичних хвиль за допомогою лазерного імпульсу та поширення їх в шарі рідини. Отримана залежність часових характеристик акустичного поля від фізичних властивостей та товщини шару рідини. Показана можливість визначити товщину шару рідини за часом між двома акустичними імпульсами. Проаналізовано внесок різних чинників у точність визначення товщини шару рідини. Область товщин, для яких розглядалось застосування методу, становить 30–500 мкм.