Електроніка
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2523
Browse
5 results
Search Results
Item Тензорезистивні сенсори тиску на основі ниткоподібних кристалів кремнію дляширокого діапазону температур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Дружинін, А. О.; Кутраков, О. П.; Мар’ямова, І. Й.Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характеристики розроблених сенсорів. Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.Item Особливості магнітоопору мікрокристалів InSb за кріогенних температур(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Дружинін, А. О.; Большаковa, І. А.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Лях-Кагуй, Н. С.Проведено дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик в інтервалі низьких температур 4,2 – 77 К в полях з індукцією до 14 Тл. Встановлено наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза як в поперечному, так і в поздовжньому магнітоопорі, визначено період осциляцій 0,1 Тл-1, ефективну циклотронну масу електронів mс » 0,14mо, концентрацію носіїв заряду 2,3´1017 см-3, фактор g* » 30 та температуру Дінгла ТD= 14,5 К. The study of the magnetoresistance in InSb whiskers with impurity concentration in the vicinity to the metal-insulator transition at low temperature range 4.2 – 77 K in fields with induction up to 14 T was conducted. The presence of Shubnikov-de Haas oscillations in both transverse and longitudinal magnetoresistance was observed. The following parameters of InSb whiskers were defined: period of oscillations 0,1 Т-1, cyclotron effective mass of electrons mс » 0,14mо, concentration of charge carriers 2,3´1017 сm-3, g-factor g* » 30 and Dingle temperature ТD = 14.5K.Item Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Большакова, І. А.; Заячук, Д. М.; Кость, Я. Я.; Макідо, О. Ю.; Серкіз, Р. Я.; Стецко, Р. М.; Шуригін, Ф. М.Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.Item Електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів кремнію(Видавництво Львівської політехніки, 2012) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Корецький, Р. М.; Яцухненко, С. Ю.На основі дослідження електропровідності ниткоподібних кристалів Si з діаметрами 5–40 мкм, легованих домішкою бору до концентрацій поблизу переходу метал-ізолятор (ПМД), у температурному інтервалі 4,2–300 К, частотному діапазоні 1–1×106 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл виявлено від’ємний магнетоопір (ВМО) у поперечному магнітному полі, абсолютна величина якого залежить від їх діаметра. На основі дослідження кристалів методом імпедансної спектроскопії визначено концентрації домішок у кристалах, які становлять 5,0×1018 см-3. та 5,2×1018 см-3 для зразків різного діаметра, що пояснює виявлені відмінності електропровідності зразків. Conductance investigations of Si whiskers with diameters 5-40 mkm doped with B impurity to concentration in the vicinity to metal-insulator transition (MIT) in temperature range 4,2¸300 К, frequency range 1¸1×106 Hz and magnetic fields with intensity up to 14 Т have showed negative magnetoresistance in transverseve magnetic field, value of which is dependent of the whisker diameter. Impedance investigations allowed us to determine the whisker concentrations of about of 5,0×1018 сm-3. and 5,2×1018 сm-3 in the samples of various diameters, which is correspondent on the observed differences in the whisker conductance.Item Приладно-технологічне моделювання нанорозмірних тривимірних КНІ-структур(Видавництво Львівської політехніки, 2011) Дружинін, А. О.; Когут, І. Т.; Голота, В. І.; Довгий, В. В.Проведено комплексні дослідження, спрямовані на створення тензорезистивних сенсорів тиску на основі ниткоподібних кристалів кремпію, працездатних в умовах кріогенних та високих температур. В основу конструкції сенсора покладено систему мембрана – шток – балка з універсальним тензомодулем. Наведено вихідні характеристики розроблених сенсорів. Complex studies aimed at the creating of piezoresistive pressure sensors on the basis of silicon whiskers operating at cryogenic and high temperatures were carried out. The sensor’s design is based on the diaphragm – rod – beam system with the universal strain unit. Output characteristics of the developed sensors are presented.