Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
6 results
Search Results
Item Низькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Берченко, М. М.; Богобоящий, В. В.; Власов, А. П.; Іжнін, І. І.; Яковина, B. C.; Національний університет “Львівська політехніка”; Кременчуцький державний політехнічний університет; Львівський національний університет; Львівський науково-дослідний інститут матеріалів НВП “КаратРозглянуто результати досліджень вузькощілинних напівпровідників типу CdxHg1-xTe, які знайшли широке застосування при виготовленні приладів оптоелектроніки. Основну увагу приділено визначенню параметрів й властивостей CdxHg1-xTe та границь розділу на його основі і пошуку технологічних процесів, які б дали змогу активно впливати на ці параметри. Для твердих розчинів на основі халькогенідів ртуті встановлено безпосередній зв'язок між особливостями рівноважних фазових діаграм у системах метал-халькоген- кисень і фазовим складом границі розділу напівпровідник-оксид, її механізмом росту, домінуючим типом дефектів і електрофізичними властивостями. Досліджено вплив на властивості матеріалу індукованих імпульсом лазерного випромінювання ударних хвиль та низькоенергетичного іонно-променевого травлення. Запропоновано механізм перебудови дефектної системи як в об'ємі, так і на границях розділу твердих розчинів CdxHg1-xTe під дією ударних хвиль при різних режимах ударної обробки. Встановлено, що іонно-променеве травлення, створюючи на поверхні джерело дифузії міжвузловинної ртуті надзвичайно високої концентрації, дає змогу створити в CdxHg1-xTe нові типи донорів внаслідок взаємодії акцепторних домішок з міжвузловинною ртуттю. This review article summarizes the research of CdxHg1-xTe semiconductors, which have found wide application in optoelectronic devices. The study is mainly focused on determining the properties of CdxHg1-xTe materials and interfaces to develop the technology, which would allow controlling the parameters of devices. The direct relation between the characteristic features of the metal (Hg, Cd, Zn or Mn) - chalcogen (Te, Se) - oxygen equilibrium phase diagram and experimentally discovered phenomena was revealed in Hg-based solid solutions. These include: (1) the phase composition of the growing oxide layer, (2) the predominant type of intrinsic point defects, (3) the possible mechanism of the layer growth, (4) electrical properties of semiconductor-oxide interfaces. The investigation of CdxHg1-xTe behavior under laser shock waves resulted in introducing the mechanism of rebuilding the defect environment caused by this kind of treatment. Another low temperature treatment, i.e. the low energy ion beam milling, involves a specific interaction of acceptor dopants with interstitial Hg atoms creating new types of donors in this material that seems to have good potential in creating quality p-n junctions.Item Ударна обробка структур Hg1-xCdxTe/CdTe(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Яковина, В. С.; Берченко, М. М.; Ільчук, Г. А.; Українець, Н. А.На прикладі структури Hg1-xCdx Te/CdTe розглянуто результати досліджень впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники за наявності великої кількості макронеоднорідностей, а також на границю розділення епітаксійний шар- підкладка. Встановлено, що ударна обробка є ефективним засобом зменшення відносного об'єму виділень іншої фази в напівпровідниках, а сама методика є перспективною в сенсі створення технологічного методу низькотемпературної модифікації параметрів напівпровідникових приладних структур. On the example of Hg1-xCdx Te/CdTe structure the result of study laser shock wave affect on the narrow-gap semiconductors with hight density of inhomogeneties as well as on epitaxial layer substrate interface are presented. It is found that shock wave treatment is an effective way to reduse the relative volume precipitates in semiconductors. While the technique is very promising for developing a low-temperature tool for modification device structures parameters.Item Особливості впливу лазерних ударних хвиль на приповерхневі шари та границі розділення твердих тіл(Вісник Національного університету "Львівська політехніка", 2003) Берченко, М. М.; Ковалюк, Б. П.; Нікіфоров, Ю. М.; Яковина, В. С.Дослідження накопичення дефектів на поверхні кремнію, екранованого від теплової дії, залежно від густини потоку та сумарної поглинутої енергії лазерного випромінювання, в режимі генерації ударних хвиль. Виявлено утворення точкових дефектів, що відпалюються при 450 К. Показано, що електроопір та вольт-амперні характеристики границі розділення та поверхня твердих тіл можуть керовано змінюватися за допомогою лазерних ударних хвиль. Acumullation of defects as a function of the absorbed energy flow density resulting from LSW generation on a Si crystal surface, protected with a heat screen has been investigated. Formation and reduction of point defects at 450K was observed. It was demonstrated that LSW processing can selectively modify resistance IU characteristic of surface and interface layers in solids.Item Закономірності окиснення твердого розчину Pb0,8Sn0,2Te(Видавництво Львівської політехніки, 2010) Берченко, М. М.; Фадєєв, С. В.; Нікіфоров, О. Ю.Для оцінки хімічного складу власного оксиду твердого розчину на основі халькогенідів Pb1-хSnхTe (х=0;0,2;1) застосовано метод діаграм фазових рівноваг. Дослідження проводили за методом рентгеноструктурного аналізу термічно окиснених зразків. Результати досліджень добре узгоджуються з діаграмами фазових рівноваг. Основними сполуками, що утворюються під час окиснення твердого розчину Pb0.8Sn0.2Te є PbTeO3, SnO2, PbSnO3 та Pb2SnO4. To evaluate the chemical composition of its own oxide solid solution based on chalcogenides Pb1-хSnхTe (x= 0; 0,2;1) applied the method of phase equilibrium diagrams. Research conducted by X-ray analysis of samples that were thermal oxidation. Research results agree well with the predicted phase equilibrium diagram. The main compounds formed during oxidation of solid solution Pb0.8Sn0.2Te is PbTeO3, SnO2, PbSnO3 and Pb2SnO4.Item Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Фадєєв, С. В.; Берченко, М. М.За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.Item Вплив лазерно-індукованих ударних хвиль на електрофізичні параметри HG1-xCDxTE (х=0.2)(Видавництво Державного університету "Львівська політехніка", 2000) Яковина, В. С.; Нікіфоров, Ю. М.; Берченко, М. М.Об'ємні монокристали Hg0.8Cd0.2Te n-типу обробляли лазерно-індукованими ударними хвилями (ЛУХ) без термічного впливу. Показано, що зміни концентрації носіїв заряду становлять до 120 %, а їх рухливості до 45 % від вихідної. Пропонується пояснення цих змін взаємною дією трьох механізмів взаємодії ЛУХ з дефектною підсистемою кристалів Hg1-XCdXTe. Bulk n- Hg0.8Cd0.2Te samples were treated using laser induced shock waves (LSW) without thermal effects. It is shown that the carrier density changes up to 120 % and their mobility changes up to 45 %. Three mechanisms of interaction between LSW and bulk Hg1-XCdXTe defect subsystem are given.