Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
14 results
Search Results
Item Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.Item The short-range principle in the electron scattering theory in indium nitride(Видавництво Львівської політехніки) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розглянуто процеси розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, обумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, полем статичної деформації, іонізованими та нейтральними домішками в зразку ІпМ зі структурою вюртциту та з концентрацією електронів ~ 6 х 1017см_3. Розраховано температурну залежність рухливості електронів в інтервалі 4.2 — 560 К.Item Непружна електрон-фононна взаємодія в HgTe(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Малик, О. Л.; Кеньо, Г. В.; Національний університет “Львівська політехника”Точним розв’язанням стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду, В інтервалі температур 4,2 - 300 К розглянуто основні механізми розсіювання електронів з врахуванням иепружної взаємодії електронів з оптичними коливаннями кристалічної ґратки.Item Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі”(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002-03-26) Кеньо, Г. В.; Малик, О. П.; Національний університет “Львівська політехніка”Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.Item Непружне розсіювання дірок на оптичних коливаннях кристалічної ґратки в HgTe(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Національний університет "Львівська політехніка"Точним розв’язком стаціонарного рівняння Больцмана отримано нерівноважну функцію розподілу носіїв заряду. В інтервалі температур 4,2-300 К розглянуто основні механізми розсіювання дірок з врахуванням непружної взаємодії дірок з оптичними коливаннями кристалічної ґратки. By means of exact solution of stationary Boltzman equation the nonequilibrium charge carrier distribution function is obtained. In the temperature range 4,2-300 K the main hole scattering mechanism are considered taking into account the nonelastic hole interaction with optical vibrations of the crystall lattice.Item Контроль параметрів структур “кремній-на-ізоляторі” за даними вольт-фарадних характеристик(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2004) Кеньо, Г. В.; Кошель, С. Ф.Подано теоретичнi високочастотнi вольт-фараднi характеристики МДНДН-структури. Показано характер впливу параметрів структури (рiвнiв легування пiдкладки та напiвпровiдникового шару i товщин дiелектричних шарiв) на залежність ємності від напруги. Виконана оцiнка впливу вбудованих зарядiв у дiелектриках на величини змiщення ВФХ по осi напруг. Показана можливість отримання інформації про параметри шарів і стан меж розділу напівпровідник-діелектрик в структурі “кремній–на–ізоляторі” за даними реальних ВФХ. In this work the theoretical high-frequency C – V characteristics of MISIS structure is presented. The character of influence of the structure parameters (dopant level of substract and semiconductor layer, dielectric layers thicknesses) on the volt-capacitance dependence is shown. The influence of dielectric fixed charges on the shift value of C–V characteristic along voltage axes estimated. The possibility of obtaining the information about the layers parameters and semicondutor – insulator interface state in the “silicon-on-insulator” structure according to experimental C–V characteristics is shown.Item Ударна і термостимульована іонізація в КНІ МОН транзисторах(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Кеньо, Г. В.; Мищишин, В. М.Внаслідок проведеного фізичного моделювання некогерентних випромінювачів для фотополімеризації розглянуто можливості застосування стимуляційних режимів для підвищення ефективності цієї фототехнології. In result of seen out phisical modelling non coherent of radiators for photopolimerization are considered the management possibilities by application of stimulation for phototechnologies.Item Дериватографічні дослідження шихти системи SiO2-B2O3-R2O3 твердих планарних джерел бору на термостійких підкладках(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Кеньо, Г. В.; Богдановський, Ю. М.; Гасько, Л. З.; Полюжин, І. П.; Мищишин, В. М.Досліджено кінетичні параметри синтезу боросилікатних сполук загального складу (SiO2)x(B2O3) y (H2O)n дериватографічним методом в температурному інтервалі 20–1500оС. На основі цих кінетичних параметрів здійснено вибір температури та часу синтезу шихти твердих планарних джерел (ТПД) бору . Для моделювання оптимальних умов роботи ТПД бору можна використати дані з втрати маси, що отримні гравіметричним методом під час випаровування (950–1050oC) оксиду бору з поверхні джерел. Main kinetiks parameters was investigated for synthesis of boron silica glass of general composition as (SiO2)x(B2O3)y(H2O)n by derivatographical method in temperature range 20–1500оC. On these kinetiks data the selection of temperature and time was made for synthesis of raw mixture for boron solid planar sources (B-SPS) obtaining. For modeling optimal conditions of B-SPS operation the mass loss, which was investigated by gravimetric method at evaporation (950-1050 oC) of boron oxide from B-SPS surface, can be used.Item Моделювання акустичного каналу витоку інформації через відчинене вікно в захищеному приміщенні(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Кеньо, Г. В.; Ляшенко, М. О.; Любчик, Ю. Р.За допомогою системи фізико-технічного моделювання Comsol Multiphysics 3.5а змодельоване акустичне поле в системі “приміщення – вікно – відкритий простір”. Досліджено вплив відчиненого вікна на формування акустичного поля в приміщенні та вплив приміщення на поширення звукових хвиль через вікно у відкритий простір. Виявлено ймовірність перехоплення мовної інформації та показано залежність рівнів звукового тиску поза межами приміщення від розмірів досліджуваних об’єктів. Using physical engineering simulation system Comsol Multiphysics 3.5а, an acoustic field in the system ‘closed room/window/open space’ has been simulated. The influence of the open window on the acoustic field formation in the closed room and the effect of the room on sound waves propagation through the window into the open space have been studied. Probability of language information interception and dependence of sound pressure levels outside the closed room on the size of the research objects have been established.Item Суміщення засобів схемотехнічного та фізико-технічного моделювання в задачах захисту інформації(Видавництво Львівської політехніки, 2013) Хома, В. В.; Кеньо, Г. В.Висвітлено питання сумісного використання засобів схемотехнічного і фізико- технічного моделювання для вирішення завдань у галузі інформаційної безпеки. Як приклад наведено застосування програмних пакетів комп’ютерного моделювання (PSPISE і COMSOL Multiphisics) під час проектування системи радіочастотного розпізнавання (RFID). The paper discusses principles of combined use of circuits engineering and physical engineering simulations in the information security area. As an example, RFID system design based on CAD software (PSPICE and COMSOL Multiphysics) is presented.