Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
10 results
Search Results
Item Критерій вибору глибини кулонової потенціальної ями в кремнії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.; Syrotyuk, S. V.; Kraevsky, S. N.; Kynash, Yu. E.; Національний університет “Львівська політехніка”; Український державний лісотехнічний університетРозраховані електронні енергетичні спектри кремнію за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціала атома у прямому просторі , яка враховує скінченність кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра β, який визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору значення β для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обґрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини.Item Розрахунок густини електронних станів кремнію методом псевдогрінових функцій(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Собчук, І. С.; Сиротюк, С. В.; Sobchuk, I. S.; Syrotyuk, S. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Запропоновано новий ефективний підхід до інтегрування електронного енергетичного спектра за зоною Бріллюена за допомогою наближення поліномами Чебишова. Метод використовується для розрахунку електронної густини в кремнії. Порівняння отриманих результатів з виявленими експериментально показує ефективність вибраного підходу.Item Електронні і магнітні властивості алмазу з домішками перехідних металів(Видавництво Львівської політехніки) Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Syrotyuk, C. Y.; Shved, V. M.; Сиротюк, С. В.; Швед, В. М.; Національний університет “Львівська політехніка”; National University “Lvivska Politechnika”; Национальный университет “Львивська политехника”Розраховано повні й парціальні щільності електронних станів алмазу, легованого перехідними 3 d елементами, з градієнтними поправками в функціоналі обмінно-кореляційної енергії, з урахуванням сильних локальних кореляцій Зй-електронів. Розрахунки виконані методом проекційних приєднаних хвиль. Виявлено, що алмаз з домішками заміщення Сг, Мп та Ni є магнітним напівпровідником.Item Моделювання числовими методами ефективної маси носіїв заряду кремнію(Видавництво Львівської політехніки, 2018-02-18) Кинаш, Ю. Є.; Сиротюк, С. В.; Мищишин, В. М.; Національний університет “Львівська політехніка”Енергетичний спектр кремнію розраховано методом змішаного базису. Значення ефективної маси в кремнії отримано з використанням поліномів Лагранжа та сплайнфункцій і одержані результати добре узгоджуються з експериментальними даними.Item Апріорні методи розрахунку електронної енергетичної структури напівпровідників і діелектриків(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Кинаш, Ю. Є.; Національний університет “Львівська політехніка”Аналізуються сучасні апріорні методи розрахунку електронного енергетичного спектра напівпровідників і діелектриків. Порівняні можливості різних підходів щодо точності отримання зонних енергій, можливостей застосування їх до складних кристалів. Зроблений висновок про перспективність змішаного базису для застосування в розрахунках енергетичних зон напівпровідників і діелектриків на основі порівняння результатів розрахунку з отриманими за іншими методиками та експериментом. The contemporary ab initio approaches for energy band structure evaluation in semiconductors and dielectrics have been analyzed. The comparison of possibilities of different methods from point of view of calculating the reliable band energies and of application them to complex crystals is made. The conclusion about prospective of the mixed basis approach for energy band evaluation in semiconductors and dielectrics has been made on base of comparison of obtained results with those evaluated by another approaches and experiment.Item Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2002) Сиротюк, С. В.; Кинаш, Ю. Є.; Краєвський, С. Н.; Різак, В. Л.; Національний університет "Львівська політехніка"Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.Item Розрахунок густини електронних станів кристала у моделі сильного зв’язку(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2006) Сиротюк, С. В.; Собчук, І. С.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Електронний енергетичний спектр простого кубічного кристала у наближенні сильного зв’язку апроксимований за допомогою поліномів Чебишева у першій зоні Брилюена. Точність апроксимації визначається для різних порядків поліномів. Отримані апроксиманти використані для розрахунку густини електронних станів. Проаналізована придатність отриманих апроксимацій для виявлення особливостей Ван Хова густини електронних станів. The energy band spectrum of simple cubic crystal within a tight binding model has been approximated by a Chebyshev polynomials over first Brillouin zone. The precision of approximation is evaluated for different degrees of polynomials. The obtained approximations have been applied in evaluation of electronic density of states. The validity of obtained approximations to show Van Hove singularities of electronic density of states has been analyzed.Item Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями(Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.Item Електронний енергетичний спектр кристала LiF(Видавництво Львівської політехніки, 2014) Сиротюк, С. В.; Клиско К. В.Розраховані електронні енергетичні зони, загальна і парціальні густини електронних станів кристала ЬіР з використанням градієнтних поправок у функціоналі обмінно-кореляційної енергії. На основі отриманих результатів були знайдені квазічастинкові поправки для одночасткових зонних енергій. Розрахунки виконані за методом проекційних приєднаних хвиль. Виправлене значення ширини забороненої зони дуже добре зіставляється з виміряним експериментально. Рассчитаны электронные энергетические зоны, общая и парциальные плотности электронных состояний кристалла LiF с использованием градиентных поправок в функционале обменно-корреляционной энергии. На основе полученных результатов были найдены квазичастичные поправки одночастичных зонных энергий. Расчеты выполнены методом проекционных присоединенных волн. Исправленная ширина запрещенной зоны очень хорошо сопоставляется с экспериментально измеренным значением. Electronic energy bands, total and partial density of electronic states of the crystal LiF with gradient corrections in the functional of the exchange-correlation energy have been evaluated. On the basis of obtained results the quasiparticle corrections for the single-particle band energies have been calculated. The calculations are performed by projector augmented waves. The corrected band gap is very good if compared with the experimentally measured value.Item Електронна енергетична структура кристала InN, розрахована на функціях Блоха і плоских хвилях(Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007) Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є.Розраховані електронні енергетичні спектри кристала InN у наближенні функціонала локальної електронної густини. Матриця гамільтоніана обчислювалась у змішаному базисі, який містить функції Блоха глибоких електронів та плоскі хвилі. Отримані зонні енергії в InN краще узгоджуються з експериментом, ніж розраховані за методом атомних апріорних псевдопотенціалів. The electronic energy bands in a crystal InN have been evaluated within the electronic density functional theory. The Hamiltonian matrix was derived on mixed basis, including the core Bloch states and plane waves. The obtained band energies show better agreement to experiment than those evaluated by means of ab initio atomic pseudopotentials.