Вісники та науково-технічні збірники, журнали
Permanent URI for this communityhttps://ena.lpnu.ua/handle/ntb/12
Browse
41 results
Search Results
Item Використання мікрокристалів кремнію, легованих бором та нікелем, у сенсорній техніці(Видавництво Львівської політехніки, 2022-03-01) Дружинін, А.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Лях-Кагуй, Н.; Druzhinin, A.; Ostrovskii, I.; Hoverko, Yu.; Liakh-Kaguy, N.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду в мікрокристалах кремнію, легованих бором до концентрації, що відповідає переходу метал-діелектрик, а також модифікованих домішкою перехідного металу із незаповненою 3d+ оболонкою локального магнітного моменту. Досліджено магнітоопір мікрокристалів під дією магнітних полів до 14 Тл за кріогенних температур. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей кристалів. Встановлено, що низькотемпературний транспорт носіїв заряду у мікрокристалах кремнію зумовлений стрибковою поляризаційною провідністю. Відповідно до результатів досліджень намагніченості ниткоподібних кристалів Si визначено концентрацію магнітних центрів, яка становить 4×1017см–3. Запропоновано використання мікрокристалів кремнію у сенсорах магнітного поля з магніторезистивним принципом дії.Item Оцінка низькотемпературних параметрів обмінної взаємодії полікристалічних шарів у КНІ-структурах(Видавництво Львівської політехніки, 2021-01-31) Дружинін, А.; Когут, І.; Островський, І.; Ховерко, Ю.; Мороз, А.; Druzhinin, A.; Kohut, I.; Ostrovskii, I.; Khoverko, Yu.; Moroz, A.; Національний університет “Львівська політехніка”; Прикарпатський національний університет ім. В. Стефаника; Lviv Polytechnik National UniversityВивчено особливості перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках у КНІструктурах, легованих бором до концентрацій, які відповідають переходу метал – діелектрик. Досліджено магнетоопір полікремнію у КНІ-структурах під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Детально проаналізовано результати досліджень магнітотранспортних властивостей полі-Si. Встановлено, що за низькотемпературного перенесення носіїв заряду в полікристалічних плівках наявна стрибкова провідність, параметри якої можна оцінити за сильної спін-орбітальної взаємодії у межах теорії слабкої локалізації.Item Магнітоопір та намагніченість кремнієвих мікроструктур за низьких температур(Видавництво Львівської політехніки, 2020-02-20) Дружинін, А. О.; Островський, І. П.; Ховерко, Ю. М.; Кучерепа, Н. І.; Druzhinin, A. A.; Ostrovskii, I. P.; Khoverko, Yu. M.; Kucherepa, N. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityДосліджено особливості перенесення носіїв заряду мікрокристалів кремнію, легованих бором, до концентрацій, які відповідають переходу метал–діелектрик, та нікелем, що міститься у приповерхневій області кристала. Досліджено магнітні властивості до 4 кОЕ та магнітоопір ниткоподібних мікрокристалів кремнію під дією магнітних полів до 14 Тл за температур 4,2 К. Виконано детальний аналіз результатів теоретичних досліджень магнітних та магнітотранспортних властивостей Si. Встановлено квадратичний характер залежності коефіцієнта від’ємного магнітоопору від намагніченості в ниткоподібних мікрокристалах кремнію.Item Локальна взаємодія електронів з близькодіючим потенціалом дефектів в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О.; Malyk, O.; Національний університет “Львівська політехніка”; Lviv Polytechnic National UniversityРозглянуті моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими та нейтральними домішками в CdxHg1-xTe (0 ≤ x ≤ 0.26) . Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300 К .Item Модифікація властивостей приповерхневих шарів мішеней HgCdTe лазерним опроміненням у режимі видалення матеріалу(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Лопатинський, І. Є.; Рудий, І. О.; Курило, І. В.; Вірт, І. С.; Фружинський, М. С.; Кемпник, В. І.; Lopatynskii, I. Ye.; Rudyi, I. O.; Kurilo, I. V.; Virt, I. S.; Fruginskii, M. S.; Kempnyk, V. I.; Національний університет “Львівська політехніка”; Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка; НВП “Карат”Поверхні Hg1-хCdхTe зразків, які використовують як мішені при імпульсному лазерному осадженні досліджували методами дифракції електронів та растрової електронної мікроскопії. Зразки мішеней опромінювали за допомогою двох лазерів: YAG:Nd3+, ексимерного XeCl із тривалостями імпульсів 10, 20 нс, 100 мкс та 40 нс відповідно та різними лазерними потужностями. Були досліджені електрофізичні та механічні властивості зразків до і після опромінення. Морфологія та структурні властивості досліджених поверхонь сильно залежать від типу лазерного імпульсу та його енергії.Item Керування концентрацією носіїв заряду в епітаксійних шарах AlGaAs для лазерних структур, вирощуваних методом низькотемпературної рідинно-фазної епітаксії(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Заячук, Д. М.; Круковський, С. І.; Мрихін, І. О.; Zayachuk, D. M.; Krukovsky, S. I.; Mrykhin, I. O.; Національний університет “Львівська політехніка”Наведено результати досліджень впливу домішки магнію на концентрацію носіїв заряду в епітаксійних шарах Al0.1Ga0.9As і Al0.28Ga0.72As, вирощених методом НТРФЕ. Показано, що якщо концентрація домішки в розчині-розплаві переважає 0.014 ат %, то концентрація вільних дірок в легованих плівках є вищою за 1·1018 см-3, що достатньо для їх використання як активних і емітерних шарів лазерної гетероструктури. Аналізується залежність результуючої концентрації дірок в епітаксійних шарах від концентрації домішки в розплаві, складу кристалічної матриці та технологічних умов гомогенізації вихідної шихти.Item Особливості технології вирощування мікрокристалів InSb, легованих ербієм(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Большакова, І. А.; Кость, Я. Я.; Луців, Р. В.; Макідо, О. Ю.; Московець, Т. А.; Bolshakova, I. A.; Kost’, Ya. Ya.; Lutsiv, R. V.; Makido, O. Yu.; A Moskovets’, T.; Національний університет “Львівська політехніка”; Львівський національний університет ім. І. ФранкаДосліджено можливість легування мікрокристалів антимоніду індію елементами лантаноїдного ряду в процесі їх вирощування за методом хімічних транспортних реакцій. Вперше здійснено моделювання фізико-хімічних процесів, які відбуваються в йодидній системі InSb-Er-J2 при вирощуванні кристалів в ампульних реакторах закритого типу та визначені оптимальні температури їх вирощування. Визначена залежність електрофізичних параметрів вирощених мікрокристалів InSb, легованих Er, від кількості введеної в шихту домішки.Item Розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі у твердому розчині CdXHg1-xte (x=0.52; 0.59, 1)(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Малик, О. П.; Кеньо, Г. В.; Петрович, І. В.; Malyk, O. P.; Kenyo, G. V.; Petrovych, I. V.; Національний університет “Львівська політехніка”Розглядаються моделі розсіяння електронів на близькодіючому потенціалі зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами, п’єзоелектричними та акустичними фононами, іонізованими домішками в широкозонному CdxHg1-xTe (x=0.52; 0.59; 1.0). Розраховані температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 – 300 К.Item Особливості магнітної сприйнятливості ниткоподібних кристалів Si-Ge(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Цмоць, В. М.; Литовченко, П. Г.; Литовченко, О. П.; Островський, І. П.; Павловський, Ю. В.; Tsmots’, V. M.; Litovchenko, P. G.; Litovchenko, O. P.; Ostrovskii, I. P.; Pavlovskii, Yu. V.; Міжвідомча лабораторія матеріалів твердотільної мікроелектроніки НАН та МОН України при Дрогобицькому ДПУ імені Івана Франка; Науковий центр “Інститут ядерних досліджень” НАНУ; Національний університет “Львівська політехніка”Досліджено магнітну сприйнятливість (МС) ниткоподібних кристалів (НК) Si1-хGeх (х = 0,01-0,05) при Т = 300 К в магнітних полях 0,3–4 кЕ. Досліджено субмікронні НК, які є квазіциліндричними кристалами, і кристали з d > 3 мкм, які є голкоподібними. Встановлено, що поведінка магнітної сприйнятливості НК різного діаметра істотно відрізняється від МС об’ємного матеріалу. Отримані значення МС ниткоподібних кристалів Si-Ge пояснено особливостями їх кристалічної структури і хімічного складу.Item Нестійкість металевої підгратки SnTe(Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2005-03-01) Хандожко, О. Г.; Слинько, Є. І.; Khandozhko, O. G.; Slynko, E. I.; Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича; Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН УкраїниВстановлена залежність ширини і форми ліній ЯМР від концентрації дірок в SnTe. В області концентрацій p<1,8∙1020см-3 спостерігається різке звуження ліній 119Sn і 125Te та ускладнення їхньої форми. Поява в спектрах ЯМР 119Sn лоренцової складової вказує на “розм'якшення” металевої підґратки внаслідок рухливості атомів олова.