Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію
Loading...
Files
Date
2006
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Із застосуванням макроскопічних методів фізики поверхні досліджено характер температурних змін фізичних характеристик поверхневих шарів арсеніду галію (GaAs). Встановлено, що в діапазоні температур 300 – 600 K параметри k, b, ξ, які входять у рівняння стану, зросли на 6,3, 5,0 і 6,0 % відповідно. With application of macroscopical methods of physics of a surface character of temperature changes of physical characteristics of superficial layers of GaAs is investigated. It is established, that in a range of temperatures 300 – 600 K parameters k, b, ξ have increased accordingly for 6,3, 5,0 and 6,0 % respectjvely.
Description
Keywords
Citation
Губа С. К. Характер температурних змін фізичних характеристик поверхневого шару арсеніду галію / С. К. Губа, В. М. Юзевич, І. В. Курило // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 103–107. – Бібліографія: 12 назв.