Skip navigation

putin IS MURDERER

Please use this identifier to cite or link to this item: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38599
Title: Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів
Authors: Невзоров, В. В.
Смеркло, Л. М.
Bibliographic description (Ukraine): Невзоров В. В. Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 35–40. – Бібліографія: 6 назв.
Issue Date: 2001
Publisher: Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”
Abstract: Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.
URI: https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38599
Content type: Article
Appears in Collections:Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2001. – №427

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
8_35-40.pdf249.05 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.