Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe
Loading...
Files
Date
2007
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.
Description
Keywords
напівпровідники, явища переносу
Citation
Малик О. П. Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe / О. П. Малик, І. С. Собчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2007. – № 601 : Фізико-математичні науки. – С. 78–81. – Бібліографія: 19 назв.