Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe
No Thumbnail Available
Files
Date
2007
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Розглянуто моделі розсіяння важких дірок на близькодіючому потенціалі, зумовленому взаємодією з полярними та неполярними оптичними фононами іонізованими домішками в HgTe. Розраховані температурні залежності рухливості важких дірок в інтервалі 4.2-300К.
Description
Keywords
напівпровідники, явища переносу
Citation
Малик О. П. Моделювання локальної взаємодії важких дірок з потенціалом дефектів в HgTe / О. П. Малик, І. С. Собчук // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2007. – № 601 : Фізико-математичні науки. – С. 78–81. – Бібліографія: 19 назв.