Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів
No Thumbnail Available
Date
2002
Authors
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Видавництво Національного університету "Львівська політехніка"
Abstract
Використовуючи еквівалентну схему джозефсонівського тунельного переходу (ДТП) і вольт-амперну характеристику ДТП, створено математичну модель перехідних процесів у ДТП при пропусканні імпульсів струму. За допомогою математичного моделювання досліджено особливості перехідних процесів у ДТП,
які можна використовувати як надшвидкодіючі перемикачі (кріотрони). Показано,
що час комутації елементів пам’яті, в основі яких є джозефсонівські кріотрони
(ДК), може бути близько 30-50 пс. Досліджено вплив параметрів схеми на стабільність роботи ДК. Mathematic model of transition process in josephson tunneling junctions was created. For the investigation of properties of transition process with modification of logical state in josephson tunneling junctions the method of mathematic modelling was used. It was represented that josephson tunneling junctions may be used for the creation of extraquick memory cell with the commutation time of 30-50 ps. The influence of circuit parameters on the stability of functional circuit was investigated.
Description
Keywords
Citation
Тиханський М. В. Математична модель перехідних процесів в елементах пам’яті на основі джозефсонівських кріотронів / М. В. Тиханський, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 201–207. – Бібліографія: 6 назв.