Провідність і магнітоопір ниткоподібних кристалів Si-Ge в області переходу метал-діелектрик

Abstract

Вивчено характер низькотемпературної провідності та магнетоопору НК Si-Ge з вмістом Ge до 3 ат. % в області переходу метал-діелектрик (ПМД). У зразках з діелектричного боку ПМД магнітоопір визначається провідністю по локалізованих станах верхньої та нижньої зони Хаббарда. В НК з металічного боку ПМД спостерігається експоненціальний закон зміни магнетоопору з полем.Character of iow température conductivity and magnétorésistance of Si-Ge whiskers with Ge content up to 3 at.% near metal-insulator transition (MIT) was studied. In the sampies from the dielectric side of MIT magnétorésistance is determined by conductivity on locaiizated states of Hubbard zones. For metallic whiskers exponential dependence of magnétorésistance on magnetic field is observed.