Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – 2000. – №393
Permanent URI for this collection
Вісник Національного університету "Львівська політехніка"
У Віснику опубліковано результати науково-дослідних робіт професорсько-викладацького складу, аспірантів та докторантів електрофізичного факультету Державного університету “Львівська політехніка”, науковців та викладачів із провідних вищих закладів освіти та академічних інститутів. У Віснику публікуються роботи провідних вчених Республіки Польща. Тематика робіт пов’язана з питаннями теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичними і практичними проблемами мікроелектроніки та сенсорної техніки. Для викладачів, наукових співробітників, аспірантів, інженерів, студентів.
Вісник Національного університету "Львівська політехніка" : [збірник наукових праць] / Міністерство освіти і науки України, Національний університет "Львівська політехніка. – Львів : Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки / відповідальний редактор Я. С. Буджак. – 174 с. : іл.
Browse
Recent Submissions
Item Титульний аркуш до Вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки"(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Титульний аркуш до Вісника Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 393 : Елементи теорії та прилади твердої електроніки. – 174 с.Item Зміст до вісника "Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки" № 393(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000)Item Application of finite elements method for optimisation of optical fibre probe designed to operate in harsh conditions(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Wojcik, Waldemar; Smolarz, Andrzej; Kotyra, AndrzejIn the work we describe the process of design of fibre-optic probe for the flame monitoring system by method of finite elements. Probe made according to the design has successfully passed tests made in industrial boiler OP650. Описано процес розробки волоконно-оптичного зонду для систем моніторингу полум’я методом скінченних елементів. Виготовлений зонд успішно пройшов випробовування в промисловому бойлері ОР650.Item Розрахунок і оптимізація багатошарових інтерференційних покрить лазерних дзеркал(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Петровська, Г. А.; Бартків, Л. І.; Погань, Г. Й.Розроблено програму синтезу інтерференційних покрить дзеркал газових лазерів за заданими спектральними характеристиками для селекції довжин хвиль без використання в резонаторах дисперсійних елементів. Program of synthesis of interference coatings of mirrors of gas lasers along stipulated spectral characteristics to select wavelengths without using in resonators of dispersion elements is elaborated.Item Дослідження форми полімерних плоскоопуклих мікролінз(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лаба, Г. П.; Бобицький, Я. В.; Максименко, О. П.Подано наочний метод оцінки форми мікролінз, виготовлених полімеризацією лежачої краплини фоточутливої композиції. Розраховано відхилення виготовлених зразків від заданої кривизни. In this paper the method for estimation of shape of microlenses formed by polymerization of sessile drop of photosensitive composition is considered. Curvature deviation of formed samples from specific curvature is calculated.Item Аналіз дифракції світла на періодичних структурах методом зв’язаних хвиль(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Фітьо, В. М.; Бобицький, Я. В.Розглянуто дифракцію світла на періодичних структурах. На основі хвильового рівняння методом зв’язаних хвиль отримана лінійна система диференціальних рівнянь з постійними коефіцієнтами. Light diffraction on periodic structures is considered. On the bases of wave equation by coupled modes method linear system of differential equations with constant coefficients is received.Item Масоперенос Селеніду Цинку у квазізакритій системі(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Білинський, Ю. М.; Дубельт, С. П.; Лобойко, В. І.; Логуш, О. І.Розглянуто можливі механізми масопереносу при сублімації ZnSe у квазізакритій системі в температурному діапазоні 1100…1400 К, який є оптимальним для вирощування полікристалічних зразків високої прозорості. Показано, що переважаючим є перенесення речовини газодинамічним потоком, і визначальний вплив на його величину та властивості вирощених кристалів має температура зони джерела. Possible mechanisms of mass transport attached to ZnSe sublimation in quasi closed system for temperature diapason 1100…1400 K. This temperature region is optimum for the growth of the polio crystal samples of high transparency. Shown, the prevalence of the gas stream transport and the dominant influence of the vaporization temperature on the on the properties of the samples.Item Теорема про обернення статистичної суми у розрахунках термодинамічних величин ідеальних газів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Товстюк, К. К.Розраховано основні термодинамічні величини ідеального газу (електронів фононів, фотонів та ін.) у загальному випадку через статистичну суму однієї частинки, а також для параболічного та непараболічного – як у шаруватих кристалах – законів дисперсії. The main thermodynamical functions are represented in common case using the statistical sums. The calculations are carried out for parabolic and non parabolical (as in layered crystals) dispersions.Item Стабілізація частоти генератора гармонічних коливань за допомогою зворотного звязку на подільнику(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Тимощук, П. В.Отримано розв'язки задачi стабiлiзацiї частоти генератора гармонiчних коливань через автоматичного регулювання частоти на основi зворотного зв'язку. Для цього визначаються аналогова та дискретна математичнi макромоделi генератора четвертого порядку з стабiлiзованою амплiтудою. Зворотний зв'язок по частотi описується макромоделлю другого або третього порядку. Блок порiвняння такого зворотного зв'язку конструюють на базi операцiї дiлення. Функцiональнi схеми аналогового та цифрового генераторiв реалiзуються на базi iнтеграторiв, суматорiв, помножувачiв, подiльникiв та ланок затримки по часу. The problem solutions of frequency stabilization of harmonic oscillator by the automatic frequency regulation on the reverse tie foundation has been otained. For that the oscillator analogue and discrete mathematical macromodels of fourth order with stabilizable amplitude is defined. The frequency reverse tie is described by the macromodel of second or third order. The comparison block such reverse tie is designed on the division operation base. The functional diagrams of analogue and digital oscillators are realized on the integrators, summers, adders, multipliers, dividers and time delay units base.Item The stability of the two-channel distributed-parameters with the loss control system(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Dacka, Czeslaw; Gotra, Zenon; Wojcik, WaldemarIn this paper, we demonstrate the analysis of the stability of the two-channel control systems containing the optical fibre links as a through-coupling. The analysis of the stability of systems the indicial equation of which can be reduced to the form where its roots are located in the defined sector of the left half plane of the complex variables was conducted on the basis of the method of the plane of parameters. Приведено аналіз стабільності двоканальних керуючих систем, які містять волоконно-оптичні ланки в якості наскрізних зв’язків. На основі методу матриці параметрів проведено аналіз стабільності систем визначальне рівняння яких може бути зменшена до форми в якій його корені розміщені в певному місці лівої половини площини комплексних змінних.Item Релаксація радіаційно-індукованого поглинання у склоподібних напівпровідниках на основі сульфідів Миш’яку та Германію(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Балицька, В. О.; Буткевіч, Б.; Ваків, М. М.; Шпотюк, О. Й.Обговорюються результати дослідження процесів часової деградації радіаційно-індукованих змін оптичних властивостей склоподібних напівпровідників системи (As2S3)x(Ge2S3)1-x при варіації середнього координаційного числа Z. Встановлено, що адекватна математична модель для опису даних процесів може бути розвинута на основі бімолекулярної релаксаційної функції, властивої для анігіляції структурних дефектів у формі протилежно заряджених аномально координованих атомів. На основі проведених розрахунків підтверджується висновок про екстремальність властивостей цих стекол при Z=2,67. The results on the time degradation of radiation-induced changes of optical properties in vitreous semiconductors of (As2S3)x(Ge2S3)1-x system at the average coordination number Z variation were discussed. It is established, that the adequate mathematical model for description of these processes could be developed at the basis of bimolecular relaxation function corresponded to annihilation of structural defects in the form of oppositively charged atoms with anomal coordination. The conclusion on the extremal character of the investigated glasses properties in the point of Z=2.67 was proved owing to fulfilled calculations.Item Електрооптичне частотно-амплітудне перетворення сигналів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Микитюк, З. М.; Фечан, А. В.; Семенова, Ю. В.; Іваницький, В. Г.Розглянуто принцип побудови елементів оптоелектроніки, зокрема запропоновано метод керування пристроями такого типу. Увага приділена розробленню приладів оптоелектроніки з використанням рідких кристалів як активного середовища і дослідженню ефектів, на основі яких працює прилад. Запропоновано та розраховано RC-модель модулятора для амплітудної модуляції світла частотно-модульованим електричним сигналом. Дослідження проводили на немато-холестеричних сумішах з додатною діелектричною анізотропією. Здійснено порівняння характеристик приладу на основі твіст-ефекту і холестерико-нематичному переході. Зняті експериментальні залежності оптичного пропускання РК-комірки (активного елемента модулятора). The principle of optoelectronic elements creation is considered. The method such devices controlling is suggested. The main point of this article is optoelectronic devices modelling by using liquid crystals as a active medium and effects, which use in such devices are investigated. Modulator RC-model for amplitude light modulation by modulated electric signal is propoused. Investigation was carried out on nematiccholesteric mixtures with positive dielectric anithotrophy. Performance of devices the base on twist and cholesteric-nematic transition effects was compared. Experimental response of LC-cell’s optic transition (active modulator element) was measured.Item Електрооптика подвійних РК структур(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Микитюк, З. М.; Нуцковський, М. С.; Сушинський, О. Є.; Черпак, В. В.Запропоновано новий метод створення рідкокристалічного модулятора для потужного лазерного випромінювання. Як активне середовище використані рідкокристалічні суміші на основі нематичної матриці – сильнополярних сумішей ціано- та оксиціанобіфенілів з низькою концентрацією оптично активної домішки. Досліджували частотно-модуляційні характеристики і часові параметри подвійної структури рідкокористалічного модулятора при зміні температури. Здійснено аналіз модуляційних характеристик в залежності від кроку холестеричної спіралі та амплітуди керуючого сигналу. Для суміші з 2 ваговими процентами оптичноактивної домішки з глибиною модуляції 90…93 проценти була створена рідкокристалічна комірка завтовшки 25 мкм. Потужність лазерного випромінювання становила 300 мВт, довжина хвилі 1,15 мкм. The new method of creation of liquid crystal modulators of high-powered laser radiation on the base of cholesteric-nematic phase transition is proposed. The liquid crystal materials on the base of nematic matrices – strong polar mixtures of ciano- and oxycianobipheniles with a low concentration of optical active dopant were as a modulating medium. The frequency – modulation characteristics and time parameters of double layer LC modulators their change with a temperature action are studied. The analysis of modulation characteristics depending on cholesteric helix pitch and control signal amplitude is carried out. For the mixtures with 2 percent by weight of optical dopant the modulation depth value of 90 … 93 percent was obtained for liquid crystal layer thickness of 25 μm and laser radiation power of 300 mW for wavelength 1,15 μm.Item Метод дослідження тонкої структури зон з використанням п’єзофоторезистивного ефекту(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Лопатинський, І. Є.; Стахіра, П. Й.; Стахіра, Р. Й.; Токарєв, І. С.Розглядається теорія явища п’єзофотопровідності, яке дає інформацію про енергетичну залежність густини станів у напівпровідникових кристалах. Описано методику експериментального визначення спектрів п’єзофотопровідності. The theory of the tensiophotoconductivity phenomenon, which gives information about energy dependence of state density in semiconductor crystals, is considered. The method of experimental determination of tensiophotoconductivity spectra was described.Item Розмірні ефекти в термоелектричних властивостях ниткоподібних кристалів(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Варшава, С. С.; Бортнік, Г. М.Досліджено геометричні розмірні ефекти в ниткоподібних кристалах (НК) Si p-типу. Виявлено вплив конусності на значення термо-ЕРС. Розраховано розподіл компонент теплового потоку при розташуванні НК на підкладці. Описано методики вимірювань. Dimensional effects in Si p-type whiskers have been investigated. An influence of conical shape on thermoelectric power value has been observed. A calculation of distribution of thermal flux components at attachment of the whisker on substrate has been carried out. Measurement techniques were described.Item Вплив домішки ініціатора росту на дефектоутворення в ниткоподібних кристалах кремнію(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Островський, І. П.; Байцар, Р. І.; Троць, Т. Я.Показано, що домішка золота, яка відіграє роль ініціатора росту ниткоподібних кристалів Si у закритій галоїдній системі, приводить до зменшення концентрації власних дефектів, входячи у кристал у незначній кількості. It has been shown that gold impurity serving as initiator of Si whisker growth in closed halogen system results in a decrease of self defect concentration, being slowly introduced into the crystal.Item Нестійкості плоского фронту кристалізації при лазерній епітаксії і легуванні напівпровідників(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Бончик, О. Ю.; Загіней, А. О.; Кияк, С. Г.; Паливода, І. П.; Похмурська, Г. В.Описано механізми формування нестійкостей плоского фронту кристалізації, які виникають при лазерній епітаксійній кристалізації напівпровідникових шарів. Запропоновано чотири основні механізми, що зумовлюють виникнення таких нестійкостей, які, в свою чергу, призводять до формування на поверхні напівпровідників комірчастої структури різної природи. Mechanisms of a planar interface instability initiation during laser epitaxy solidification of semiconductor layers are described in present paper. The main four mechanisms that determine such interface instability initiation have been proposed. These mechanisms set conditions for cellular structure of different nature formation on the semiconductor surface.Item Prospects in development of volume microelectronics structures(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Kalita, Wlodzimierz; Potencki, JerzyContemporary development trends in technology of integrated circuits have been presented especially taking into account a role of third dimension for increase in integration scale and functional possibilities of ICs. Розглянуто сучасні тенденції розвитку технології інтегральних схем, особливу увагу приділено ролі тривимірних структур, які дозволяють збільшувати масштаб інтеграції і функціональні можливості інтегральних схем.Item Високочутливі перетворювачі для однокристальних термосенсорних інтегральних схем(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.; Каліта, В.Аналізуються схеми термосенсорних пристроїв з експоненційною характеристикою перетворення. Виготовлені у вигляді однокристальних біполярних ІС, дані пристрої дозволяють отримати гранично високу чутливість в околицях опорної температури при мінімальних структурних затратах. В основі функціонування запропонованих ІС покладено принцип вимірювання та подальшого перетворення струму через прямозміщений pn-перехід при фіксації на ньому заданої напруги, що визначає опорну точку вимірювання температури. Сфера застосування ІС – системи керування термостатами, елементи захисту від перегріву, протипожежна сигналізація. The circuits of thermosensitive devices with exponential transduction characteristic are analysed. Made as single-chip bipolar IC these devices allow to receive maximum sensitivity in the range of reference temperature at minimum structure expenditures. The functioning of proposed IC is based on principle of measuring and further trunsduction of current through direct biased p-n-junction at fixation on it the defined voltage which determines the reference point of temperature measuring. IC can be used in systems of thermostate controlling, elements of overheating protection, fire-prevention signalling.Item Верифікація температурних моделей елементів термосенсорних ІС(Видавництво Державного університету “Львівська політехніка”, 2000) Готра, О. З.Розглянуто алгоритм верифікації температурних моделей p-n переходів транзисторних структур, що використовуються як первинні перетворювачі термосенсорних біполярних інтегральних схем. У процесі верифікації моделей ППП ”Spice” можливе досягнення невідповідності між ними та характеристикою реальних структур ІС в межах (-0,8...0,7)% в температурному діапазоні (- 50...+100)0С. The algorythm of verification of temperature models of p-n transistor structures that are used as primary transducers of thermosensitive bipolar integrated circuits is shown. In the process of verification of models of ”Spice” it is possible to achieve the noncorrespondence between them and characteristic of real structures of IC in the range of (-0,8...0,7)% in the temperature range of (-50...+100)0С.